SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
BSO4804HUMA2 Infineon Technologies BSO4804HUMA2 -
RFQ
ECAD 2575 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) BSO4804 MOSFET (금속 (() 2W PG-DSO-8 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 8A (TA) 20mohm @ 8a, 10V 2V @ 30µA 17nc @ 5v 870pf @ 25v 논리 논리 게이트
BTS282Z E3180A Infineon Technologies BTS282Z E3180A -
RFQ
ECAD 8612 0.00000000 인피온 인피온 Tempfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA MOSFET (금속 (() PG-to220-7-180 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 49 v 80A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 36a, 10V 2V @ 240µA 232 NC @ 10 v ± 20V 4800 pf @ 25 v 온도 온도 다이오드 300W (TC)
FF600R12ME7B11BPSA1 Infineon Technologies FF600R12ME7B11BPSA1 -
RFQ
ECAD 8241 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF600R12 20 MW 기준 Ag-Econod 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1200 v 600 a 1.75V @ 15V, 600A 35 µA 92 NF @ 25 v
F417MR12W1M1HPB76BPSA1 Infineon Technologies F417MR12W1M1HPB76BPSA1 152.9700
RFQ
ECAD 30 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 F417MR12 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30
IPP60R099P6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R099P6XKSA1 6.8500
RFQ
ECAD 7161 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P6 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R099 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 37.9A (TC) 10V 99mohm @ 14.5a, 10V 4.5V @ 1.21ma 70 nc @ 10 v ± 20V 3330 pf @ 100 v - 278W (TC)
IPAN65R650CEXKSA1 Infineon Technologies IPAN65R650CEXKSA1 1.4200
RFQ
ECAD 9218 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPAN65 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 10.1A (TC) 10V 650mohm @ 2.1a, 10V 3.5V @ 210µA 23 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 100 v - 28W (TC)
IPN60R1K5PFD7SATMA1 Infineon Technologies IPN60R1K5PFD7SATMA1 0.7900
RFQ
ECAD 7569 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ PFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IPN60R1 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 700ma, 10V 4.5V @ 40µA 4.6 NC @ 10 v ± 20V 169 pf @ 400 v - 6W (TC)
BSZ0703LSATMA1 Infineon Technologies BSZ0703LSATMA1 1.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ0703 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 40A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 20µA 13 nc @ 4.5 v ± 20V 1800 pf @ 30 v 기준 46W (TC)
BSM100GB120DN2KHOSA1 Infineon Technologies BSM100GB120DN2KHOSA1 -
RFQ
ECAD 7097 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 BSM100 700 w 기준 기준 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 반 반 - 1200 v 145 a 3V @ 15V, 100A 2 MA 아니요 6.5 NF @ 25 v
IRF2805SPBF Infineon Technologies IRF2805SPBF -
RFQ
ECAD 3081 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 135A (TC) 10V 4.7mohm @ 104a, 10V 4V @ 250µA 230 nc @ 10 v ± 20V 5110 pf @ 25 v - 200W (TC)
IPA80R310CEXKSA1 Infineon Technologies IPA80R310CEXKSA1 -
RFQ
ECAD 3884 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA80R MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 6.8A (TC) 310mohm @ 11a, 10V 3.9V @ 1mA 91 NC @ 10 v 2320 pf @ 100 v - 35W (TC)
FP06R12W1T4B3BOMA1 Infineon Technologies FP06R12W1T4B3BOMA1 42.7100
RFQ
ECAD 7324 0.00000000 인피온 인피온 EasyPIM ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FP06R12 94 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 24 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 12 a 2.25V @ 15V, 6A 1 MA 600 pf @ 25 v
IRG4IBC30KD Infineon Technologies irg4ibc30kd -
RFQ
ECAD 3119 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 기준 45 W. PG-to220-FP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irg4ibc30kd 귀 99 8541.29.0095 50 480V, 16A, 23OHM, 15V 42 ns - 600 v 17 a 34 a 2.7V @ 15V, 16A 600µJ (on), 580µJ (OFF) 67 NC 60ns/160ns
IRF1405ZLPBF Infineon Technologies IRF1405ZLPBF 2.3000
RFQ
ECAD 581 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 4.9mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 4780 pf @ 25 v - 230W (TC)
IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies IKW25N120H3FKSA1 7.9500
RFQ
ECAD 519 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IKW25N120 기준 326 w PG-to247-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 23OHM, 15V 290 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 50 a 100 a 2.4V @ 15V, 25A 2.65mj 115 NC 27ns/277ns
SPA04N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPA04N60C3XKSA1 -
RFQ
ECAD 5002 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SPA04N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-31 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 3.9V @ 200µA 25 nc @ 10 v ± 20V 490 pf @ 25 v - 31W (TC)
IRF7832PBF Infineon Technologies IRF7832PBF -
RFQ
ECAD 7773 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001560060 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 20A (TA) 4.5V, 10V 4MOHM @ 20A, 10V 2.32V @ 250µA 51 NC @ 4.5 v ± 20V 4310 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IRF6892STR1PBF Infineon Technologies IRF6892ST1PBF -
RFQ
ECAD 5529 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 S3C MOSFET (금속 (() DirectFet ™ S3C 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 25 v 28A (TA), 125A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 28a, 10V 2.1V @ 50µA 25 nc @ 4.5 v ± 16V 2510 pf @ 13 v - 2.1W (TA), 42W (TC)
IRLI530N Infineon Technologies irli530n -
RFQ
ECAD 4075 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLI530N 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 12A (TC) 4V, 10V 100mohm @ 9a, 10V 2V @ 250µA 34 NC @ 5 v ± 16V 800 pf @ 25 v - 41W (TC)
IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640nstrlpbf 2.0500
RFQ
ECAD 49 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF640 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 18A (TC) 10V 150mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 1160 pf @ 25 v - 150W (TC)
IKD06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies IKD06N60RC2ATMA1 1.1800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IKD06N60 기준 51.7 w PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400V, 6A, 49ohm, 15V 98 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 11.7 a 18 a 2.3V @ 15V, 6A 170µJ (on), 80µJ (OFF) 31 NC 6ns/129ns
FZ1000R33HE3C1NOSA1 Infineon Technologies Fz1000R33HE3C1NOSA1 160.0000
RFQ
ECAD 1849 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FZ1000 1600000 w 기준 AG-IHVB130-3 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 단일 단일 트렌치 트렌치 정지 3300 v 1000 a 3.1V @ 15V, 1KA 5 MA 아니요 190 NF @ 25 v
PTFA212401F V4 Infineon Technologies PTFA212401F V4 -
RFQ
ECAD 8287 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 PTFA212401 2.14GHz LDMOS H-37260-2 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 10µA 1.6 a 50W 15.8dB - 30 v
BSS138WH6433XTMA1 Infineon Technologies BSS138WH6433XTMA1 0.3900
RFQ
ECAD 9788 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BSS138 MOSFET (금속 (() PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 280MA (TA) 4.5V, 10V 3.5ohm @ 200ma, 10V 1.4V @ 26µA 1.5 nc @ 10 v ± 20V 43 pf @ 25 v - 500MW (TA)
AUIRL1404S Infineon Technologies auirl1404s -
RFQ
ECAD 6910 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 40 v 160A (TC) 4.3V, 10V 4mohm @ 95a, 10V 3V @ 250µA 140 nc @ 5 v ± 20V 6600 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
IRF7701TR Infineon Technologies IRF7701TR -
RFQ
ECAD 8482 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001575290 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 12 v 10A (TC) 1.8V, 4.5V 11mohm @ 10a, 4.5v 1.2V @ 250µA 100 nc @ 4.5 v ± 8V 5050 pf @ 10 v - 1.5W (TA)
IRFS3207PBF Infineon Technologies IRFS3207pbf -
RFQ
ECAD 9106 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 170A (TC) 10V 4.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 7600 pf @ 50 v - 300W (TC)
BSC039N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC039N06NSATMA1 1.9000
RFQ
ECAD 8907 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC039 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 19A (TA), 100A (TC) 6V, 10V 3.9mohm @ 50a, 10V 2.8V @ 36µA 27 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 30 v - 2.5W (TA), 69W (TC)
BSC026NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies BSC026NE2LS5ATMA1 1.4900
RFQ
ECAD 18 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC026 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 25 v 24A (TA), 82A (TC) 4.5V, 10V 2.6MOHM @ 30A, 10V 2V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 16V 1100 pf @ 12 v - 2.5W (TA), 29W (TC)
IPP60R065S7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R065S7XKSA1 6.7700
RFQ
ECAD 4855 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ S7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 8A (TC) 12V 65mohm @ 8a, 12v 4.5V @ 490µA 51 NC @ 12 v ± 20V 1932 pf @ 300 v - 167W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고