SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
IPA60R250CPXKSA1 Infineon Technologies IPA60R250CPXKSA1 -
RFQ
ECAD 2245 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA60R MOSFET (금속 (() PG-to220-3-31 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 12A (TC) 10V 250mohm @ 7.8a, 10V 3.5V @ 440µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 100 v - 33W (TC)
AUIRLR024NTRL Infineon Technologies auirlr024ntrl -
RFQ
ECAD 5810 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001517694 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 17A (TC) 4V, 10V 65mohm @ 10a, 10V 2V @ 250µA 15 nc @ 5 v ± 16V 480 pf @ 25 v - 45W (TC)
IRG4BH20K-SPBF Infineon Technologies IRG4BH20K-SPBF -
RFQ
ECAD 8802 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRG4BH20 기준 60 W. D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 960V, 5A, 50ohm, 15V - 1200 v 11 a 22 a 4.3V @ 15V, 5A 450µJ (on), 440µJ (OFF) 28 NC 23ns/93ns
SMBT3904PNH6327XTSA1 Infineon Technologies SMBT3904PNH6327XTSA1 0.0831
RFQ
ECAD 3017 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 SMBT 3904 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 200ma 50NA (ICBO) NPN, PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
IRG5K400HF06B Infineon Technologies IRG5K400HF06B -
RFQ
ECAD 4090 0.00000000 인피온 인피온 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Powir® 62 2 1620 w 기준 Powir® 62 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001540486 귀 99 8541.29.0095 15 반 반 - 600 v 670 a 2.1V @ 15V, 400A 2 MA 아니요 25 nf @ 25 v
AIMZA75R090M1HXKSA1 Infineon Technologies AIMZA75R090M1HXKSA1 7.9761
RFQ
ECAD 2034 0.00000000 인피온 인피온 * 튜브 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-AIMZA75R090M1HXKSA1 240
IRG4PC30FPBF Infineon Technologies irg4pc30fpbf -
RFQ
ECAD 1765 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 100 W. TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 480v, 17a, 23ohm, 15v - 600 v 31 a 120 a 1.8V @ 15V, 17a 230µJ (on), 1.18mj (OFF) 51 NC 21ns/200ns
FP25R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies FP25R12KT4B11BOSA1 -
RFQ
ECAD 7034 0.00000000 인피온 인피온 Econopim ™ 2 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FP25R12 160 W. 기준 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 25 a 2.15V @ 15V, 25A 1 MA 1.45 NF @ 25 v
IPP65R065C7 Infineon Technologies IPP65R065C7 -
RFQ
ECAD 4034 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 0000.00.0000 1 n 채널 650 v 33A (TC) 10V 65mohm @ 17.1a, 10V 4V @ 850µA 64 NC @ 10 v ± 20V 3020 pf @ 400 v - 171W (TC)
BSF083N03LQ G Infineon Technologies BSF083N03LQ g -
RFQ
ECAD 3051 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-Wdson MOSFET (금속 (() Mg-Wdson-2, Canpak M ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 13A (TA), 53A (TC) 4.5V, 10V 8.3MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 15 v - 2.2W (TA), 36W (TC)
BC 856S E6433 Infineon Technologies BC 856S E6433 -
RFQ
ECAD 4768 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC 856 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 650MV @ 5MA, 100MA 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IRGP4266DPBF Infineon Technologies IRGP4266DPBF -
RFQ
ECAD 9813 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 455 W. TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001542370 귀 99 8541.29.0095 400 400V, 75A, 10ohm, 15V 170 ns - 650 v 140 a 300 a 2.1V @ 15V, 75A 2.5mj (on), 2.2mj (OFF) 210 NC 50ns/200ns
IRFC048N Infineon Technologies IRFC048N -
RFQ
ECAD 2345 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001577740 쓸모없는 1
BTS121ANKSA1 Infineon Technologies BTS121ANKSA1 -
RFQ
ECAD 9095 0.00000000 인피온 인피온 Tempfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 22A (TC) 4.5V 100mohm @ 9.5a, 4.5v 2.5V @ 1mA ± 10V 1500 pf @ 25 v - 95W (TC)
BSP300 E6327 Infineon Technologies BSP300 E6327 -
RFQ
ECAD 2487 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4-21 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 190ma (TA) 10V 20ohm @ 190ma, 10V 4V @ 1MA ± 20V 230 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
IRFR3706TRPBF Infineon Technologies irfr3706trpbf -
RFQ
ECAD 1712 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 20 v 75A (TC) 2.8V, 10V 9mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA 35 NC @ 4.5 v ± 12V 2410 pf @ 10 v - 88W (TC)
IRF7402TR Infineon Technologies IRF7402TR -
RFQ
ECAD 7683 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 20 v 6.8A (TA) 2.7V, 4.5V 35mohm @ 4.1a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 22 nc @ 4.5 v ± 12V 650 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IRFR220NTRRPBF Infineon Technologies irfr220ntrrpbf -
RFQ
ECAD 5026 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR220 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001575982 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 5A (TC) 10V 600mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 43W (TC)
IRF7555TR Infineon Technologies IRF755TR -
RFQ
ECAD 4199 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) IRF7555 MOSFET (금속 (() 1.25W Micro8 ™ 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.3A 55mohm @ 4.3a, 4.5v 1.2V @ 250µA 15NC @ 5V 1066pf @ 10v 논리 논리 게이트
IRFR2905ZTRPBF Infineon Technologies irfr2905ztrpbf 1.3200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR2905 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 55 v 42A (TC) 10V 14.5mohm @ 36a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1380 pf @ 25 v - 110W (TC)
SKB06N60HSATMA1 Infineon Technologies SKB06N60HSATMA1 -
RFQ
ECAD 8253 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SKB06N 기준 68 w PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 6A, 50ohm, 15V 100 ns NPT 600 v 12 a 24 a 3.15V @ 15V, 6A 190µJ 33 NC 11ns/196ns
FS100R17KE3BOSA1 Infineon Technologies FS100R17KE3BOSA1 223.0770
RFQ
ECAD 5818 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FS100R17 555 W. 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 - 1700 v 145 a 2.45V @ 15V, 100A 5 MA 9 nf @ 25 v
PTFA212401F V4 R250 Infineon Technologies PTFA212401F V4 R250 -
RFQ
ECAD 7943 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 PTFA212401 2.14GHz LDMOS H-37260-2 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 250 10µA 1.6 a 50W 15.8dB - 30 v
IRGC4275B Infineon Technologies IRGC4275B -
RFQ
ECAD 9442 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 400V, 200a, 5ohm, 15V - 650 v 1.9V @ 15V, 200a - 380 NC 130ns/280ns
FF3MR20KM1HHPSA1 Infineon Technologies FF3MR20KM1HHPSA1 1.0000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 - 섀시 섀시 기준 기준 기준 Ag-62mmhb - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 반 반 트렌치 트렌치 정지 2000 v - 아니요
CHIPT0110L3E6762SX2XA1 Infineon Technologies chipt0110L3E6762SX2XA1 -
RFQ
ECAD 3653 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 마지막으로 마지막으로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001155730 0000.00.0000 1
IRF7473TRPBF Infineon Technologies IRF7473TRPBF 1.7100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7473 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 100 v 6.9A (TA) 10V 26mohm @ 4.1a, 10V 5.5V @ 250µA 61 NC @ 10 v ± 20V 3180 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
BCR108E6433HTMA1 Infineon Technologies BCR108E6433HTMA1 0.0495
RFQ
ECAD 8761 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR108 200 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 170 MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
IRF3708PBF Infineon Technologies IRF3708PBF -
RFQ
ECAD 6886 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 62A (TC) 2.8V, 10V 12MOHM @ 15A, 10V 2V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 12V 2417 pf @ 15 v - 87W (TC)
FZ3600R12HP4HOSA2 Infineon Technologies Fz3600R12HP4HOSA2 1.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FZ3600 19000 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 단일 단일 도랑 1200 v 4930 a 2.05V @ 15V, 3600A 5 MA 아니요 225 NF @ 25 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고