- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
트랜지스터 (13833)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IMW65R072M1HXKSA1 | 12.1700 |  | 160 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolsic ™ M1 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IMW65R072 | sicfet ((카바이드) | PG-to247-3-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 26A (TC) | 18V | 94mohm @ 13.3a, 18V | 5.7V @ 4mA | 22 nc @ 18 v | +23V, -5V | 744 pf @ 400 v | - | 96W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPU80R1K2P7AKMA1 | 0.6448 | | 7236 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P7 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IPU80R1 | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 800 v | 4.5A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 1.7a, 10V | 3.5V @ 80µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 300 pf @ 500 v | - | 37W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IKB10N60TATMA1 | 2.1300 | | 6365 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IKB10N | 기준 | 110 W. | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 10A, 23ohm, 15V | 115 ns | npt, 필드 트렌치 중지 | 600 v | 20 a | 30 a | 2.05V @ 15V, 10A | 430µj | 62 NC | 12ns/215ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | irl6372trpbf | 0.9900 | | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | irl6372 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 8.1a | 17.9mohm @ 8.1a, 4.5v | 1.1V @ 10µA | 11nc @ 4.5v | 1020pf @ 25v | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPD25DP06LMSAUMA1 | - | | 2824 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD25DP06 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-313 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP004987234 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 6.5A (TC) | 4.5V, 10V | 250mohm @ 6.5a, 10V | 2V @ 270µA | 13.8 nc @ 10 v | ± 20V | 420 pf @ 30 v | - | 28W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPI20N65C3XKSA1 | - | | 4260 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | spi20n | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 650 v | 20.7A (TC) | 10V | 190mohm @ 13.1a, 10V | 3.9V @ 1mA | 114 NC @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 208W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC883N03LSG | - | | 7898 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 3 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 34 v | 17A (TA), 98A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 2800 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 57W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7350PBF | - | | 7188 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF7350 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 및 p 채널 | 100V | 2.1a, 1.5a | 210mohm @ 2.1a, 10V | 4V @ 250µA | 28NC @ 10V | 380pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPB19DP10NMATMA1 | 2.2400 | | 975 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB19D | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 100 v | 2.9A (TA), 13.8A (TC) | 10V | 185mohm @ 12a, 10V | 4V @ 1.04ma | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 2000 pf @ 50 v | - | 3.8W (TA), 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPA15N65C3XKSA1 | - | | 2200 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SPA15N65 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-31 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 650 v | 15A (TC) | 10V | 280mohm @ 9.4a, 10V | 3.9V @ 675µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1600 pf @ 25 v | - | 34W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC 807-16 E6433 | - | | 9489 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC 807 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 100ma, 1v | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSP296E6327 | - | | 4941 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 1.1A (TA) | 4.5V, 10V | 700mohm @ 1.1a, 10V | 1.8V @ 400µA | 17.2 NC @ 10 v | ± 20V | 364 pf @ 25 v | - | 1.79W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC817UE6327HTSA1 | 0.5000 | | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | BC817 | 330MW | PG-SC74-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 500ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN (() | 700mv @ 50ma, 500ma | 160 @ 100MA, 1V | 170MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| irf5210strrpbf | - | | 6661 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF5210 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 100 v | 38A (TC) | 10V | 60mohm @ 38a, 10V | 4V @ 250µA | 230 nc @ 10 v | ± 20V | 2780 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 170W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPA65R420CFDXKSA2 | 1.4606 | | 8877 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | CoolMOS ™ CFD2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA65R420 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 650 v | 8.7A (TC) | 10V | 420mohm @ 3.4a, 10V | 4.5V @ 300µA | 31.5 nc @ 10 v | ± 20V | 870 pf @ 100 v | - | 31.2W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | spp08p06pbksa1 | - | | 8867 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | spp08p | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | p 채널 | 60 v | 8.8A (TC) | 10V | 300mohm @ 6.2a, 10V | 4V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 420 pf @ 25 v | - | 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPU78cn10n g | - | | 4936 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IPU78C | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 100 v | 13A (TC) | 10V | 78mohm @ 13a, 10V | 4V @ 12µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 716 pf @ 50 v | - | 31W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFB093608FVV2XWSA1 | - | | 4096 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 쟁반 | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000997834 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 35 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPP42N03S2L13 | - | | 7493 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | spp42n | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 30 v | 42A (TC) | 4.5V, 10V | 12.9mohm @ 21a, 10V | 2V @ 37µA | 30.5 nc @ 10 v | ± 20V | 1130 pf @ 25 v | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IFS100B17N3E4PB11BPSA1 | - | | 9444 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | MIPAQ ™ | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | IFS100 | 600 w | 기준 | 기준 기준 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 6 | 전체 전체 | 트렌치 트렌치 정지 | 1700 v | 150 a | 2.3V @ 15V, 100A | 1 MA | 예 | 9 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFP3306PBF | 3.3500 | | 125 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP3306 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 60 v | 120A (TC) | 10V | 4.2MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 4520 pf @ 50 v | - | 220W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPZ65R065C7XKSA1 | 11.9900 | | 240 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C7 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | IPZ65R065 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 33A (TC) | 10V | 65mohm @ 17.1a, 10V | 4V @ 850µA | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 3020 pf @ 400 v | - | 171W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PTFA180701FV4FWSA1 | - | | 6557 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 | PTFA180701 | 1.84GHz | LDMOS | H-37265-2 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 80 | 10µA | 550 MA | 60W | 16.5dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9358TRPBF | 1.3800 | | 19 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF9358 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 9.2A | 16.3MOHM @ 9.2A, 10V | 2.4V @ 25µA | 38NC @ 10V | 1740pf @ 25v | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS200R10W3S7B11BPSA1 | 140.5200 | | 5328 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EasyPack ™, TrenchStop ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS200 | 20 MW | 기준 | Ag-Easy3b | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 8 | 전체 전체 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 950 v | 130 a | 1.98V @ 15V, 150A | 53 µA | 예 | 13 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 94-4849pbf | - | | 2029 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 75 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPA040N06NXKSA1 | 2.6000 | | 4247 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA040 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 60 v | 69A (TC) | 6V, 10V | 4mohm @ 69a, 10V | 3.3V @ 50µA | 44 NC @ 10 v | ± 20V | 3375 pf @ 30 v | - | 36W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFA180701FV4R250XTMA1 | - | | 6580 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 | PTFA180701 | 1.84GHz | LDMOS | H-37265-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | 10µA | 550 MA | 60W | 16.5dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| irfz48nstrlpbf | 1.9200 | | 7 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFZ48 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 64A (TC) | 10V | 14mohm @ 32a, 10V | 4V @ 250µA | 81 NC @ 10 v | ± 20V | 1970 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 130W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSF030NE2LQXUMA1 | - | | 2768 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-Wdson | BSF030 | MOSFET (금속 (() | Mg-Wdson-2, Canpak M ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 25 v | 24A (TA), 75A (TC) | 4.5V, 10V | 3MOHM @ 30A, 10V | 2V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1700 pf @ 12 v | - | 2.2W (TA), 28W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)