SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IKY100N120CH7XKSA1 Infineon Technologies IKY100N120CH7XKSA1 16.4200
RFQ
ECAD 190 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IKY100N120 기준 721 w PG-to247-4-U10 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 - 99 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 212 a 400 a 2.15V @ 15V, 100A 2.37mj (on), 2.65mj (OFF) 714 NC 44ns/359ns
IRFR3711TR Infineon Technologies irfr3711tr -
RFQ
ECAD 3650 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 20 v 100A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 20V 2980 pf @ 10 v - 2.5W (TA), 120W (TC)
IRLR8103TR Infineon Technologies IRLR8103TR -
RFQ
ECAD 2710 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 89A (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA (Min) 50 nc @ 5 v ± 20V - 89W (TC)
IRF7501TR Infineon Technologies irf7501tr -
RFQ
ECAD 7557 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) IRF7501 MOSFET (금속 (() 1.25W Micro8 ™ 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 2.4a 135mohm @ 1.7a, 4.5v 700MV @ 250µA 8NC @ 4.5V 260pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRF7809AV Infineon Technologies IRF7809AV -
RFQ
ECAD 6530 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF7809AV 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 13.3A (TA) 4.5V 9mohm @ 15a, 4.5v 1V @ 250µA 62 NC @ 5 v ± 12V 3780 pf @ 16 v - 2.5W (TA)
IPP50N12S3L15AKSA1 Infineon Technologies IPP50N12S3L15AKSA1 -
RFQ
ECAD 9558 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP50N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 120 v 50A (TC) 4.5V, 10V 15.7mohm @ 50a, 10V 2.4V @ 60µA 57 NC @ 10 v ± 20V 4180 pf @ 25 v - 100W (TC)
BSC020N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSC020N03MSGATMA1 1.6600
RFQ
ECAD 32 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC020 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 25A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 2MOHM @ 30A, 10V 2V @ 250µA 124 NC @ 10 v ± 20V 9600 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 96W (TC)
IRL3402SPBF Infineon Technologies IRL3402SPBF -
RFQ
ECAD 3947 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001568332 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 85A (TC) 4.5V, 7V 8mohm @ 51a, 7v 700mv @ 250µa (최소) 78 NC @ 4.5 v ± 10V 3300 pf @ 15 v - 110W (TC)
IRFL1006TR Infineon Technologies irfl1006tr -
RFQ
ECAD 4911 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 1.6A (TA) 10V 220mohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 20V 160 pf @ 25 v - 1W (TA)
IRF5800TRPBF Infineon Technologies IRF5800TRPBF -
RFQ
ECAD 3140 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() Micro6 ™ (TSOP-6) 다운로드 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4A (TA) 4.5V, 10V 85mohm @ 4a, 10V 1V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 535 pf @ 25 v - 2W (TA)
IPI600N25N3GAKSA1 Infineon Technologies IPI600N25N3GAKSA1 -
RFQ
ECAD 4633 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI600 MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 250 v 25A (TC) 10V 60mohm @ 25a, 10V 4V @ 90µA 29 NC @ 10 v ± 20V 2350 pf @ 100 v - 136W (TC)
IPB100N06S3-03 Infineon Technologies IPB100N06S3-03 -
RFQ
ECAD 7513 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB100N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 100A (TC) 10V 3MOHM @ 80A, 10V 4V @ 230µA 480 nc @ 10 v ± 20V 21620 pf @ 25 v - 300W (TC)
PTFA092201FV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA092201FV4XWSA1 -
RFQ
ECAD 7866 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 PTFA092201 960MHz LDMOS H-37260-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 10µA 1.85 a 220W 18.5dB - 30 v
IKD06N60RFAATMA1 Infineon Technologies IKD06N60RFAATMA1 -
RFQ
ECAD 8506 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, TrenchStop ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 기준 100 W. PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400V, 6A, 23ohm, 15V 48 ns 도랑 600 v 12 a 18 a 2.5V @ 15V, 6A 90µJ (on), 90µJ (OFF) 48 NC 8ns/105ns
BSF134N10NJ3GXUMA1 Infineon Technologies BSF134N10NJ3GXUMA1 2.3000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-Wdson BSF134 MOSFET (금속 (() Mg-Wdson-2, Canpak M ™ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 9A (TA), 40A (TC) 6V, 10V 13.4mohm @ 30a, 10V 3.5V @ 40µA 30 nc @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 50 v - 2.2W (TA), 43W (TC)
BSO303SPNTMA1 Infineon Technologies BSO303SPNTMA1 -
RFQ
ECAD 7150 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() PG-DSO-8 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 8.9A (TA) 4.5V, 10V 21mohm @ 8.9a, 10V 2V @ 100µa 69 NC @ 10 v ± 20V 1754 pf @ 25 v - 2.35W (TA)
IRF7807 Infineon Technologies IRF7807 -
RFQ
ECAD 6596 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 8.3A (TA) 4.5V 25mohm @ 7a, 4.5v 1V @ 250µA 17 nc @ 5 v ± 12V - 2.5W (TA)
IRF7807ZTR Infineon Technologies IRF7807ZTR -
RFQ
ECAD 5382 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001572296 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 13.8mohm @ 11a, 10V 2.25V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 770 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IRL530NPBF Infineon Technologies IRL530NPBF -
RFQ
ECAD 5313 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRL530 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 17A (TC) 4V, 10V 100mohm @ 9a, 10V 2V @ 250µA 34 NC @ 5 v ± 16V 800 pf @ 25 v - 79W (TC)
IRF8736TRPBF Infineon Technologies IRF8736TRPBF 0.7800
RFQ
ECAD 2845 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF8736 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 18A (TA) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 18a, 10V 2.35V @ 50µA 26 NC @ 4.5 v ± 20V 2315 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IPU50R950CEAKMA2 Infineon Technologies ipu50r950ceakma2 -
RFQ
ECAD 9807 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA ipu50r MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 500 v 4.3A (TC) 13V 950mohm @ 1.2a, 13v 3.5V @ 100µA 10.5 nc @ 10 v ± 20V 231 pf @ 100 v - 53W (TC)
BCR 142F E6327 Infineon Technologies BCR 142F E6327 -
RFQ
ECAD 8942 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-723 BCR 142 250 MW PG-TSFP-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 150MHz 22 KOHMS 47 Kohms
BFR 93AW E6327 Infineon Technologies BFR 93AW E6327 -
RFQ
ECAD 6171 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BFR 93 300MW PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 10.5dB ~ 15.5dB 12V 90ma NPN 70 @ 30MA, 8V 6GHz 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IPA50R950CE Infineon Technologies IPA50R950CE -
RFQ
ECAD 5267 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA50R MOSFET (금속 (() PG-to220-3-31 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 4.3A (TC) 13V 950mohm @ 1.2a, 13v 3.5V @ 100µA 10.5 nc @ 10 v ± 20V 231 pf @ 100 v - 25.7W (TC)
IPG20N06S415ATMA2 Infineon Technologies IPG20N06S415ATMA2 1.3800
RFQ
ECAD 5402 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn IPG20N MOSFET (금속 (() 50W PG-TDSON-8-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 60V 20A 15.5mohm @ 17a, 10V 4V @ 20µA 29NC @ 10V 2260pf @ 25V -
BSP129L6906HTSA1 Infineon Technologies BSP129L6906HTSA1 -
RFQ
ECAD 9937 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4-21 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 240 v 350MA (TA) 0V, 10V 6ohm @ 350ma, 10V 1V @ 108µA 5.7 NC @ 5 v ± 20V 108 pf @ 25 v 고갈 고갈 1.8W (TA)
IPB160N04S203ATMA1 Infineon Technologies IPB160N04S203ATMA1 -
RFQ
ECAD 5720 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IPB160N MOSFET (금속 (() PG-to263-7-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 160A (TC) 10V 2.9mohm @ 60a, 10V 4V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 5300 pf @ 25 v - 300W (TC)
BCR133WH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR133WH6327XTSA1 0.0553
RFQ
ECAD 1080 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 SC-70, SOT-323 BCR133 250 MW PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 130MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
BCW60BE6327HTSA1 Infineon Technologies BCW60BE6327HTSA1 0.0666
RFQ
ECAD 48 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW60 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 32 v 100 MA 20NA (ICBO) NPN 550MV @ 1.25ma, 50ma 180 @ 2MA, 5V 250MHz
BSC027N06LS5ATMA1 Infineon Technologies BSC027N06LS5ATMA1 2.6800
RFQ
ECAD 36 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC027 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 100A (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 50a, 10V 2.3V @ 49µA 30 nc @ 4.5 v ± 20V 4400 pf @ 30 v - 83W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고