SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
IRLI530N Infineon Technologies irli530n -
RFQ
ECAD 4075 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLI530N 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 12A (TC) 4V, 10V 100mohm @ 9a, 10V 2V @ 250µA 34 NC @ 5 v ± 16V 800 pf @ 25 v - 41W (TC)
AUIRFS3307Z Infineon Technologies AUIRFS3307Z -
RFQ
ECAD 1679 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001519782 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 120A (TC) 10V 5.8mohm @ 75a, 10V 4V @ 150µA 110 NC @ 10 v ± 20V 4750 pf @ 50 v - 230W (TC)
IRLS4030TRLPBF Infineon Technologies irls4030trlpbf 4.3400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRLS4030 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 180A (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 110a, 10V 2.5V @ 250µA 130 NC @ 4.5 v ± 16V 11360 pf @ 50 v - 370W (TC)
IRG4BC20KDPBF Infineon Technologies irg4bc20kdpbf -
RFQ
ECAD 3228 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 60 W. TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 480V, 9A, 50ohm, 15V 37 ns - 600 v 16 a 32 a 2.8V @ 15V, 9A 340µJ (ON), 300µJ (OFF) 34 NC 54ns/180ns
IRG4BC30K Infineon Technologies IRG4BC30K -
RFQ
ECAD 2677 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 100 W. TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRG4BC30K 귀 99 8541.29.0095 50 480V, 16A, 23OHM, 15V - 600 v 28 a 58 a 2.7V @ 15V, 16A 360µJ (on), 510µJ (OFF) 67 NC 26ns/130ns
IRF7726TR Infineon Technologies IRF7726TR -
RFQ
ECAD 5234 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) MOSFET (금속 (() Micro8 ™ 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 30 v 7A (TA) 4.5V, 10V 26mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 250µA 69 NC @ 10 v ± 20V 2204 pf @ 25 v - 1.79W (TA)
IPP80P03P4L07AKSA1 Infineon Technologies IPP80P03P4L07AKSA1 -
RFQ
ECAD 6389 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80p MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 p 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 7.2MOHM @ 80A, 10V 2V @ 130µA 80 nc @ 10 v +5V, -16V 5700 pf @ 25 v - 88W (TC)
SPD14N06S2-80 Infineon Technologies SPD14N06S2-80 -
RFQ
ECAD 1611 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SPD14N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 17A (TC) 10V 80mohm @ 7a, 10V 4V @ 14µA 10 nc @ 10 v ± 20V 400 pf @ 25 v - 30W (TC)
AUIRL2203N Infineon Technologies auirl2203n -
RFQ
ECAD 4411 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 75A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 60a, 10V 1V @ 250µA 60 nc @ 4.5 v ± 16V 3290 pf @ 25 v - 180W (TC)
IPB60R385CP Infineon Technologies IPB60R385CP -
RFQ
ECAD 2745 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 385mohm @ 5.2a, 10V 3.5V @ 340µA 22 nc @ 10 v ± 20V 790 pf @ 100 v - 83W (TC)
FF600R17ME4BOSA1 Infineon Technologies FF600R17ME4BOSA1 471.1900
RFQ
ECAD 3348 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF600R17 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1700 v 2.3V @ 15V, 600A 1 MA 48 NF @ 25 v
FZ1200R33KF2CNOSA1 Infineon Technologies FZ1200R33KF2CNOSA1 -
RFQ
ECAD 4152 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FZ1200 14500 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 전체 전체 - 3300 v 2000 a 4.25V @ 15V, 1200A 12 MA 아니요 150 NF @ 25 v
FZ1200R33KL2CNOSA1 Infineon Technologies FZ1200R33KL2CNOSA1 -
RFQ
ECAD 9054 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 기준 기준 14500 w 기준 기준 기준 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000100618 귀 99 8541.29.0095 1 - 3300 v 2300 a 3.65V @ 15V, 1200A 5 MA 아니요 145 NF @ 25 v
IRFIZ46N Infineon Technologies irfiz46n -
RFQ
ECAD 9543 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfiz46n 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 33A (TC) 10V 20mohm @ 19a, 10V 4V @ 250µA 61 NC @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 25 v - 45W (TC)
PTFA072401ELV4R250XTMA1 Infineon Technologies PTFA072401ELV4R250XTMA1 -
RFQ
ECAD 1710 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 H-33288-2 765MHz LDMOS H-33288-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 5A991G 8541.21.0095 250 - 1.8 a 220W 19db - 30 v
IRF8915TR Infineon Technologies IRF8915TR -
RFQ
ECAD 5450 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF89 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 8.9a 18.3mohm @ 8.9a, 10V 2.5V @ 250µA 7.4NC @ 4.5V 540pf @ 10V 논리 논리 게이트
BSL303SPEH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL303SPEH6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 1160 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() PG-TSOP6-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 6.3A (TA) 4.5V, 10V 33mohm @ 6.3a, 10V 2V @ 30µA 20.9 NC @ 10 v ± 20V 1401 pf @ 15 v - 2W (TA)
IPP17N25S3100AKSA1 Infineon Technologies IPP17N25S3100AKSA1 3.0700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP17N25 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 17A (TC) 10V 100mohm @ 17a, 10V 4V @ 54µA 19 NC @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 25 v - 107W (TC)
AUIRFR3504ZTRL Infineon Technologies auirfr3504ztrl 1.1429
RFQ
ECAD 9665 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AUIRFR3504 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001516690 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 42A (TC) 9MOHM @ 42A, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v 1510 pf @ 25 v - 90W (TC)
IPD03N03LA G Infineon Technologies IPD03N03LA g 1.4900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD03N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 90A (TC) 4.5V, 10V 3.2MOHM @ 60A, 10V 2V @ 70µA 41 NC @ 5 v ± 20V 5200 pf @ 15 v - 115W (TC)
IPI086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPI086N10N3GXKSA1 1.6500
RFQ
ECAD 4996 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI086 MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 80A (TC) 6V, 10V 8.6mohm @ 73a, 10V 3.5V @ 75µA 55 NC @ 10 v ± 20V 3980 pf @ 50 v - 125W (TC)
IGD01N120H2BUMA1 Infineon Technologies IGD01N120H2BUMA1 0.8552
RFQ
ECAD 4564 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IGD01 기준 28 w PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 800V, 1A, 241OHM, 15V - 1200 v 3.2 a 3.5 a 2.8V @ 15V, 1A 140µJ 8.6 NC 13ns/370ns
IRGSL6B60KDPBF Infineon Technologies irgsl6b60kdpbf -
RFQ
ECAD 6969 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRGSL6 기준 90 W. TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 5A, 100ohm, 15V 70 ns NPT 600 v 13 a 26 a 2.2V @ 15V, 5A 110µJ (on), 135µJ (OFF) 18.2 NC 25NS/215NS
IRG4BC20K-SPBF Infineon Technologies IRG4BC20K-SPBF -
RFQ
ECAD 9492 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 60 W. D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001549338 귀 99 8541.29.0095 50 480V, 9A, 50ohm, 15V - 600 v 16 a 32 a 2.8V @ 15V, 9A 150µJ (on), 250µJ (OFF) 34 NC 28ns/150ns
IRF7331PBF Infineon Technologies IRF7331PBF -
RFQ
ECAD 1272 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF733 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001577400 귀 99 8541.29.0095 95 2 n 채널 (채널) 20V 7a 30mohm @ 7a, 4.5v 1.2V @ 250µA 20NC @ 4.5V 1340pf @ 16v 논리 논리 게이트
IST011N06NM5AUMA1 Infineon Technologies IST011N06NM5AUMA1 6.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 5-powersfn IST011N MOSFET (금속 (() PG-HSOF-5-1 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 38A (TA), 399A (TC) 6V, 10V 1.1MOHM @ 100A, 10V 3.3V @ 148µA 154 NC @ 10 v ± 20V 8100 pf @ 30 v - 3.8W (TA), 313W (TC)
IRFR2905ZTR Infineon Technologies irfr2905ztr -
RFQ
ECAD 1129 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001566952 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 55 v 42A (TC) 10V 14.5mohm @ 36a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1380 pf @ 25 v - 110W (TC)
SI3443DVTR Infineon Technologies SI3443DVTR -
RFQ
ECAD 3705 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() Micro6 ™ (TSOP-6) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.4A (TA) 65mohm @ 4.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v 1079 pf @ 10 v -
BSS192PE6327T Infineon Technologies BSS192PE6327T -
RFQ
ECAD 1197 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA MOSFET (금속 (() PG-SOT89 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 250 v 190ma (TA) 2.8V, 10V 12ohm @ 190ma, 10V 2V @ 130µA 6.1 NC @ 10 v ± 20V 104 pf @ 25 v - 1W (TA)
IRF4104 Infineon Technologies IRF4104 -
RFQ
ECAD 6372 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF4104 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 5.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 25 v - 140W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고