SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
IRFI1310NPBF Infineon Technologies IRFI1310NPBF 2.4000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IRFI1310 MOSFET (금속 (() TO-220AB Full-Pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 24A (TC) 10V 36mohm @ 13a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 25 v - 56W (TC)
IRGS4B60KD1TRRP Infineon Technologies IRGS4B60KD1TRRP -
RFQ
ECAD 8783 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRGS4B60 기준 63 W. D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001534000 귀 99 8541.29.0095 800 400V, 4A, 100ohm, 15V 93 ns NPT 600 v 11 a 22 a 2.5V @ 15V, 4A 73µJ (on), 47µJ (OFF) 12 NC 22ns/100ns
PTFC262808SVV1XWSA1 Infineon Technologies PTFC262808SVV1XWSA1 -
RFQ
ECAD 9258 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001028996 쓸모없는 0000.00.0000 250 - - - - -
IRFI530N Infineon Technologies IRFI530N -
RFQ
ECAD 1750 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFI530N 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 12A (TC) 10V 110mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 41W (TC)
IKU15N60RBKMA1 Infineon Technologies IKU15N60RBKMA1 -
RFQ
ECAD 5280 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA KU15N 기준 250 W. PG-to251-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 400V, 15a, 15ohm, 15V 110 ns 도랑 600 v 30 a 45 a 2.1V @ 15V, 15a 900µJ 90 NC 16ns/183ns
IRFIZ48N Infineon Technologies irfiz48n -
RFQ
ECAD 6030 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfiz48n 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 36A (TC) 10V 16mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 89 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 25 v - 42W (TC)
IRF4905LPBF Infineon Technologies IRF4905LPBF 2.9300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF4905 MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 55 v 42A (TC) 10V 20mohm @ 42a, 10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 3500 pf @ 25 v - 170W (TC)
IKP20N65H5XKSA1 Infineon Technologies IKP20N65H5XKSA1 2.9700
RFQ
ECAD 94 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IKP20N65 기준 125 w PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 10A, 32OHM, 15V 52 ns 도랑 650 v 42 a 60 a 2.1V @ 15V, 20A 170µJ (on), 60µJ (OFF) 48 NC 18ns/156ns
IRF7726TRPBF Infineon Technologies IRF7726TRPBF -
RFQ
ECAD 4867 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) IRF7726 MOSFET (금속 (() Micro8 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 30 v 7A (TA) 4.5V, 10V 26mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 250µA 69 NC @ 10 v ± 20V 2204 pf @ 25 v - 1.79W (TA)
BSS126IXTSA1 Infineon Technologies BSS126IXTSA1 0.5200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS126 MOSFET (금속 (() PG-SOT23-3-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 600 v 21MA (TA) 500ohm @ 16ma, 10V 1.6V @ 8µA 1.4 NC @ 5 v ± 20V 21 pf @ 25 v - 500MW (TA)
IRG4RC20F Infineon Technologies IRG4RC20F -
RFQ
ECAD 2593 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRG4RC20F 기준 66 W. D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRG4RC20F 귀 99 8541.29.0095 75 480V, 12A, 50ohm, 15V - 600 v 22 a 44 a 2.1V @ 15V, 12a 190µJ (on), 920µJ (OFF) 27 NC 26ns/194ns
BSC200P03LSG Infineon Technologies BSC200P03LSG 0.4300
RFQ
ECAD 13 0.00000000 인피온 인피온 Optimos® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 30 v 9.9A (TA), 12.5A (TC) 10V 20mohm @ 12.5a, 10V 1V @ 100µA 48.5 nc @ 10 v ± 25V 2430 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 63W (TC)
IPD50N04S410ATMA1 Infineon Technologies IPD50N04S410ATMA1 1.1500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD50 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 50A (TC) 10V 9.3mohm @ 50a, 10V 4V @ 15µA 18.2 NC @ 10 v ± 20V 1430 pf @ 25 v - 41W (TC)
BCV47E6433HTMA1 Infineon Technologies BCV47E6433HTMA1 0.0786
RFQ
ECAD 6619 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCV47 360 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 60 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 170MHz
IRF7452TR Infineon Technologies IRF7452TR -
RFQ
ECAD 7052 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 100 v 4.5A (TA) 10V 60mohm @ 2.7a, 10V 5.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 930 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon Technologies AIKW50N65DF5XKSA1 10.4300
RFQ
ECAD 9998 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, TrenchStop ™ 5 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 AIKW50 기준 270 W. PG-to247-3-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 25A, 12ohm, 15V 도랑 650 v 150 a 2.1V @ 15V, 50A 490µJ (ON), 140µJ (OFF) 1018 NC 21ns/156ns
IRF7702 Infineon Technologies IRF7702 -
RFQ
ECAD 4582 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 p 채널 12 v 8A (TC) 1.8V, 4.5V 14mohm @ 8a, 4.5v 1.2V @ 250µA 81 NC @ 4.5 v ± 8V 3470 pf @ 10 v - 1.5W (TC)
IRG4BC20UD Infineon Technologies irg4bc20ud -
RFQ
ECAD 9352 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 60 W. TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irg4bc20ud 귀 99 8541.29.0095 50 480V, 6.5A, 50ohm, 15V 37 ns - 600 v 13 a 52 a 2.1V @ 15V, 6.5A 160µJ (on), 130µJ (OFF) 27 NC 39ns/93ns
IPB015N04LGATMA1 Infineon Technologies IPB015N04LGATMA1 4.8700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB015 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 120A (TC) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 100a, 10V 2V @ 200µA 346 NC @ 10 v ± 20V 28000 pf @ 25 v - 250W (TC)
IRLR3303TRL Infineon Technologies irlr3303trl -
RFQ
ECAD 6441 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 = 94-4007 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 31mohm @ 21a, 10V 1V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v ± 16V 870 pf @ 25 v - 68W (TC)
IRGS4064DTRLPBF Infineon Technologies IRGS4064DTRLPBF -
RFQ
ECAD 4903 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 101 w d²pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001535958 귀 99 8541.29.0095 800 400V, 10A, 22ohm, 15V 62 ns 도랑 600 v 20 a 40 a 1.91V @ 15V, 10A 29µJ (on), 200µJ (OFF) 32 NC 27ns/79ns
BUP213 Infineon Technologies BUP213 -
RFQ
ECAD 8909 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 bup2 기준 200 w TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 bup213in 귀 99 8541.29.0095 50 600V, 15A, 82OHM, 15V - 1200 v 32 a 64 a 3.2V @ 15V, 15a - 70NS/400NS
IRG4BC15UD-S Infineon Technologies IRG4BC15UD-S -
RFQ
ECAD 9591 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 49 w D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 480V, 7.8A, 75ohm, 15V 28 ns - 600 v 14 a 42 a 2.4V @ 15V, 7.8A 240µJ (on), 260µJ (OFF) 23 NC 17ns/160ns
IRLU9343 Infineon Technologies irlu9343 -
RFQ
ECAD 9774 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLU9343 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 55 v 20A (TC) 4.5V, 10V 105mohm @ 3.4a, 10V 1V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 20V 660 pf @ 50 v - 79W (TC)
IRG4BC30F Infineon Technologies IRG4BC30F -
RFQ
ECAD 2283 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 100 W. TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRG4BC30F 귀 99 8541.29.0095 50 480v, 17a, 23ohm, 15v - 600 v 31 a 120 a 1.8V @ 15V, 17a 230µJ (on), 1.18mj (OFF) 51 NC 21ns/200ns
IQD063N15NM5CGATMA1 Infineon Technologies IQD063N15NM5CGATMA1 4.8300
RFQ
ECAD 5141 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 5,000
IGC193T120T12RMAX7SA1 Infineon Technologies IGC193T120T12RMAX7SA1 -
RFQ
ECAD 3114 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
IRLR3103TRR Infineon Technologies irlr3103trr -
RFQ
ECAD 3181 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 55A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 33a, 10V 1V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 16V 1600 pf @ 25 v - 107W (TC)
BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies BSC150N03LDGATMA1 1.1100
RFQ
ECAD 8042 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn BSC150 MOSFET (금속 (() 26W PG-TDSON-8-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 30V 8a 15mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 13.2NC @ 10V 1100pf @ 15V 논리 논리 게이트
IHW30N90R Infineon Technologies IHW30N90R -
RFQ
ECAD 1409 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 454 w PG-to247-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000209140 귀 99 8541.29.0095 240 600V, 30A, 15ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 900 v 60 a 90 a 1.7V @ 15V, 30A 1.46mj 200 NC -/511NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고