SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
IKB40N65EF5ATMA1 Infineon Technologies IKB40N65EF5ATMA1 5.0200
RFQ
ECAD 8020 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IKB40N65 기준 250 W. PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 40A, 15ohm, 15V 83 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 74 a 160 a 2.1V @ 15V, 40A 420µJ (on), 100µJ (OFF) 95 NC 22ns/160ns
IRF6729MTRPBF Infineon Technologies IRF6729MTRPBF -
RFQ
ECAD 7123 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 30 v 31A (TA), 190a (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 31a, 10V 2.35V @ 150µA 63 NC @ 4.5 v ± 20V 6030 pf @ 15 v - 2.8W (TA), 104W (TC)
IRL40B209 Infineon Technologies IRL40B209 -
RFQ
ECAD 7737 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRL40B209 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001576458 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 195a (TC) 4.5V, 10V 1.25mohm @ 100a, 10V 2.4V @ 250µA 270 NC @ 4.5 v ± 20V 15140 pf @ 25 v - 375W (TC)
PTF080101S V1 Infineon Technologies PTF080101S V1 -
RFQ
ECAD 7761 0.00000000 인피온 인피온 Goldmos® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 H-32259-2 960MHz LDMOS H-32259-2 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 1µA 150 MA 10W 18.5dB - 28 v
IPS65R650CEAKMA1 Infineon Technologies IPS65R650CEAKMA1 -
RFQ
ECAD 4275 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPS65R650 MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 700 v 10.1A (TC) 10V 650mohm @ 2.1a, 10V 3.5V @ 210µA 23 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 100 v - 86W (TC)
IPZA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies IPZA60R099P7XKSA1 6.6000
RFQ
ECAD 5587 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IPZA60 MOSFET (금속 (() PG-to247-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 600 v 31A (TC) 10V 99mohm @ 10.5a, 10V 4V @ 530µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1952 pf @ 400 v - 117W (TC)
BFN38E6327HTSA1 Infineon Technologies BFN38E6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 8719 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.5 w PG-SOT223-4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 300 v 200 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2ma, 20ma 30 @ 30MA, 10V 70MHz
IPSA70R360P7SAKMA1 Infineon Technologies IPSA70R360P7SAKMA1 1.3000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPSA70 MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 700 v 12.5A (TC) 10V 360mohm @ 3a, 10V 3.5V @ 150µA 16.4 nc @ 400 v ± 16V 517 pf @ 400 v - 59.5W (TC)
BF998E6327 Infineon Technologies BF998E6327 -
RFQ
ECAD 4284 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 12 v 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA 1GHz MOSFET SOT143 (SC-61) 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 15MA 10 MA - 28db 2.8dB 8 v
SPU04N60C3BKMA1 Infineon Technologies spu04n60c3bkma1 -
RFQ
ECAD 6382 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA spu04n MOSFET (금속 (() PG-to251-3-21 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 650 v 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 3.9V @ 200µA 25 nc @ 10 v ± 20V 490 pf @ 25 v - 50W (TC)
IRF6795MTRPBF Infineon Technologies IRF6795MTRPBF 1.0637
RFQ
ECAD 5462 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX IRF6795 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 25 v 32A (TA), 160A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 32a, 10V 2.35V @ 100µa 53 NC @ 4.5 v ± 20V 4280 pf @ 13 v - 2.8W (TA), 75W (TC)
IRLH7134TRPBF Infineon Technologies irlh7134trpbf -
RFQ
ECAD 9117 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 40 v 26A (TA), 85A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 100µa 58 NC @ 4.5 v ± 16V 3720 pf @ 25 v - 3.6W (TA), 104W (TC)
BCP5216E6327HTSA1 Infineon Technologies BCP5216E6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 9002 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP52 2 w PG-SOT223-4-10 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 7,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 125MHz
IRFS3806TRLPBF Infineon Technologies IRFS3806TRLPBF 1.4100
RFQ
ECAD 21 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS3806 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 43A (TC) 10V 15.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 50µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1150 pf @ 50 v - 71W (TC)
SPP42N03S2L-13 Infineon Technologies SPP42N03S2L-13 -
RFQ
ECAD 9757 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp42n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SPP42N03S2L-13IN 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 30 v 42A (TC) 4.5V, 10V 12.9mohm @ 21a, 10V 2V @ 37µA 30.5 nc @ 10 v ± 20V 1130 pf @ 25 v - 83W (TC)
SPA11N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPA11N60C3XKSA1 3.7000
RFQ
ECAD 7149 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 spa11n60 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-31 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10V 3.9V @ 500µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 33W (TC)
IRF6631TR1PBF Infineon Technologies IRF6631TR1PBF -
RFQ
ECAD 6794 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Sq 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 13A (TA), 57A (TC) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 13a, 10V 2.35V @ 25µA 18 nc @ 4.5 v ± 20V 1450 pf @ 15 v - 2.2W (TA), 42W (TC)
IPD034N06N3GATMA1 Infineon Technologies IPD034N06N3GATMA1 1.8300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD034 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 100A (TC) 10V 3.4mohm @ 100a, 10V 4V @ 93µA 130 NC @ 10 v ± 20V 11000 pf @ 30 v - 167W (TC)
BSM35GP120BOSA1 Infineon Technologies BSM35GP120BOSA1 -
RFQ
ECAD 9347 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 기준 기준 BSM35GP120 230 w - 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 NPT 1200 v 45 a 500 µA 1.5 nf @ 25 v
IRFZ34NLPBF Infineon Technologies IRFZ34NLPBF -
RFQ
ECAD 2952 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 29A (TC) 10V 40mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 68W (TC)
BSC025N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSC025N03MSGATMA1 1.4100
RFQ
ECAD 7472 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC025 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 23A (TA). 100A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 30a, 10V 2V @ 250µA 98 NC @ 10 v ± 20V 7600 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 83W (TC)
IPA50R280E6 Infineon Technologies IPA50R280E6 0.9400
RFQ
ECAD 349 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 - 2156-IPA50R280E6 349
IPP65R074C6XKSA1 Infineon Technologies IPP65R074C6XKSA1 -
RFQ
ECAD 1947 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP65R MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000898650 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 57.7A (TC) 10V 74mohm @ 13.9a, 10V 3.5v @ 1.4ma 17 nc @ 10 v ± 20V 3020 pf @ 100 v - 480.8W (TC)
IPA65R190C6XKSA1 Infineon Technologies IPA65R190C6XKSA1 -
RFQ
ECAD 3325 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA65R MOSFET (금속 (() PG-to220-3-111 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 20.2A (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10V 3.5V @ 730µA 73 NC @ 10 v ± 20V 1620 pf @ 100 v - 34W (TC)
BC846SH6327XTSA1 Infineon Technologies BC846SH6327XTSA1 0.4000
RFQ
ECAD 8910 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC846S 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IPP80N06S2LH5AKSA2 Infineon Technologies IPP80N06S2LH5AKSA2 -
RFQ
ECAD 5452 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 80A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 80A, 10V 2V @ 250µA 190 NC @ 10 v ± 20V 5000 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRL5602S Infineon Technologies IRL5602S -
RFQ
ECAD 7966 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 20 v 24A (TC) 2.5V, 4.5V 42mohm @ 12a, 4.5v 1V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 8V 1460 pf @ 15 v - 75W (TC)
IRF7811AVPBF Infineon Technologies IRF7811AVPBF -
RFQ
ECAD 6152 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 10.8A (TA) 4.5V 14mohm @ 15a, 4.5v 3V @ 250µA 26 NC @ 5 v ± 20V 1801 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
IPD64CN10N G Infineon Technologies IPD64CN10N g -
RFQ
ECAD 7195 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD64C MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 17A (TC) 10V 64mohm @ 17a, 10V 4V @ 20µA 9 NC @ 10 v ± 20V 569 pf @ 50 v - 44W (TC)
IRF5803D2TR Infineon Technologies IRF5803D2TR -
RFQ
ECAD 4964 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 40 v 3.4A (TA) 4.5V, 10V 112mohm @ 3.4a, 10V 3V @ 250µA 37 NC @ 10 v ± 20V 1110 pf @ 25 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고