SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
FF23MR12W1M1C11BPSA1 Infineon Technologies FF23MR12W1M1C11BPSA1 -
RFQ
ECAD 9767 0.00000000 인피온 인피온 * 쟁반 쓸모없는 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 24
F3L200R12N2H3B47BPSA2 Infineon Technologies F3L200R12N2H3B47BPSA2 344.5900
RFQ
ECAD 4029 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 F3L200 20 MW 기준 Ag-Econo2b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 3 레벨 인버터 - 1200 v 150 a 2.15V @ 15V, 150A 1 MA 11.5 nf @ 25 v
IAUC50N08S5L096ATMA1 Infineon Technologies IAUC50N08S5L096ATMA1 0.6636
RFQ
ECAD 9366 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-33 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 80 v 50a 4.5V, 10V 9.6MOHM @ 25A, 10V 2V @ 24µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1684 pf @ 40 v - 60W (TC)
F4100R17N3P4B58BPSA1 Infineon Technologies F4100R17N3P4B58BPSA1 247.2800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 F4100R 20 MW 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Econo3b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 전체 전체 인버터 트렌치 트렌치 정지 1700 v 100 a 2.25V @ 15V, 100A 1 MA 9 nf @ 25 v
FF225R12ME4B11BPSA2 Infineon Technologies FF225R12ME4B11BPSA2 172.9350
RFQ
ECAD 1720 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF225R12 1050 w 기준 Ag-Econod 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1200 v 320 a 2.15V @ 15V, 225A 3 MA 13 nf @ 25 v
BSC0906NSE8189ATMA1 Infineon Technologies BSC0906NSE8189ATMA1 -
RFQ
ECAD 7728 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-34 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 18A (TA), 63A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 30a, 10V 2V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 30W (TC)
IPI032N06N3GE8214AKSA1 Infineon Technologies IPI032N06N3GE8214AKSA1 -
RFQ
ECAD 6516 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI032N MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 3.2mohm @ 100a, 10V 4V @ 118µA 165 NC @ 10 v ± 20V 13000 pf @ 30 v - 188W (TC)
IPD11DP10NMATMA1 Infineon Technologies ipd11dp10nmatma1 1.8500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD11D MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 3.4A (TA), 22A (TC) 10V 111mohm @ 18a, 10V 4V @ 1.7ma 74 NC @ 10 v ± 20V 3200 pf @ 50 v - 3W (TA), 125W (TC)
IST011N06NM5AUMA1 Infineon Technologies IST011N06NM5AUMA1 6.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 5-powersfn IST011N MOSFET (금속 (() PG-HSOF-5-1 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 38A (TA), 399A (TC) 6V, 10V 1.1MOHM @ 100A, 10V 3.3V @ 148µA 154 NC @ 10 v ± 20V 8100 pf @ 30 v - 3.8W (TA), 313W (TC)
ISC022N10NM6ATMA1 Infineon Technologies ISC022N10NM6ATMA1 5.0900
RFQ
ECAD 9 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn ISC022N MOSFET (금속 (() PG-TSON-8-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 25A (TA), 230A (TC) 8V, 10V 2.24mohm @ 50a, 10V 3.3V @ 147µA 91 NC @ 10 v ± 20V 6880 pf @ 50 v - 3W (TA), 254W (TC)
IST019N08NM5AUMA1 Infineon Technologies IST019N08NM5AUMA1 4.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 5-powersfn IST019N MOSFET (금속 (() PG-HSOF-5-1 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 32A (TA), 290A (TC) 6V, 10V 1.9mohm @ 100a, 10V 3.8V @ 148µA 132 NC @ 10 v ± 20V 6600 pf @ 40 v - 3.8W (TA), 313W (TC)
ISC027N10NM6ATMA1 Infineon Technologies ISC027N10NM6ATMA1 4.0800
RFQ
ECAD 6757 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn ISC027N MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-ISC027N10NM6ATMA1CT 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 23A (TA), 192a (TC) 8V, 10V 2.7mohm @ 50a, 10V 3.3V @ 116µA 72.5 nc @ 10 v ± 20V 5500 pf @ 50 v - 3W (TA), 217W (TC)
ISC030N10NM6ATMA1 Infineon Technologies ISC030N10NM6ATMA1 3.4200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn ISC030N MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 21A (TA), 179a (TC) 8V, 10V 3MOHM @ 50A, 10V 3.3V @ 109µA 69 NC @ 10 v ± 20V 5200 pf @ 50 v - 3W (TA), 208W (TC)
IGC08T65U12QX7SA1 Infineon Technologies IGC08T65U12QX7SA1 -
RFQ
ECAD 9953 0.00000000 인피온 인피온 * 튜브 쓸모없는 - Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 45
IPA60R650CEE8210XKSA1 Infineon Technologies IPA60R650CEE8210XKSA1 -
RFQ
ECAD 8037 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220 20 팩 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 9.9A (TC) 10V 650mohm @ 2.4a, 10V 3.5V @ 200µA 20.5 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 100 v - 28W (TC)
6MS30017E43W33015NOSA1 Infineon Technologies 6MS30017E43W33015NOSA1 -
RFQ
ECAD 9955 0.00000000 인피온 인피온 Modstack ™ HD 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 기준 - 다운로드 영향을받지 영향을받지 448-6MS30017E43W33015NOSA1 귀 99 8541.29.0095 1 전체 전체 인버터 - 1700 v 1800 a - 아니요
PSDC212F0835632NOSA1 Infineon Technologies PSDC212F0835632NOSA1 -
RFQ
ECAD 2089 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 - 영향을받지 영향을받지 448-PSDC212F0835632NOSA1 귀 99 8541.29.0095 1
IGC193T120T12RMAX7SA1 Infineon Technologies IGC193T120T12RMAX7SA1 -
RFQ
ECAD 3114 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
FS150R12N2T7BPSA2 Infineon Technologies FS150R12N2T7BPSA2 248.6053
RFQ
ECAD 4976 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS150R12 20 MW 기준 Ag-Econo2 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 150 a 1.8V @ 15V, 150A 1.2 µA 30.1 NF @ 25 v
F3L8MR12W2M1HB11BPSA1 Infineon Technologies F3L8MR12W2M1HB11BPSA1 216.9100
RFQ
ECAD 15 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 F3L8MR12 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15
DDB6U50N16W1RBPSA1 Infineon Technologies DDB6U50N16W1RBPSA1 62.9600
RFQ
ECAD 24 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 DDB6U50 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Easy1b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 24 단일 단일 트렌치 트렌치 정지 1200 v 50 a 1.5V @ 15V, 50A 6.2 µA 아니요 11.1 NF @ 25 v
FP75R12N2T7B11BPSA2 Infineon Technologies FP75R12N2T7B11BPSA2 183.5400
RFQ
ECAD 7010 0.00000000 인피온 인피온 Econopim ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FP75R12 20 MW 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Econo2b 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 75 a 1.55V @ 15V, 75A 14 µA 15.1 NF @ 25 v
FS3L25R12W2H3PB11BPSA1 Infineon Technologies FS3L25R12W2H3PB11BPSA1 92.7500
RFQ
ECAD 4575 0.00000000 인피온 인피온 * 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 18
FS200R10W3S7B11BPSA1 Infineon Technologies FS200R10W3S7B11BPSA1 140.5200
RFQ
ECAD 5328 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™, TrenchStop ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS200 20 MW 기준 Ag-Easy3b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 8 전체 전체 인버터 트렌치 트렌치 정지 950 v 130 a 1.98V @ 15V, 150A 53 µA 13 nf @ 25 v
IMZA120R007M1HXKSA1 Infineon Technologies IMZA120R007M1HXKSA1 90.3000
RFQ
ECAD 2668 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sicfet ((카바이드) PG-to247-4-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 225A (TC) 15V, 18V 9.9mohm @ 108a, 18V 5.2v @ 47ma 220 NC @ 18 v +20V, -5V 9170 NF @ 25 v - 750W (TC)
IPB042N10NF2SATMA1 Infineon Technologies IPB042N10NF2SATMA1 -
RFQ
ECAD 5444 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 800
IPT65R125CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPT65R125CFD7XTMA1 2.1333
RFQ
ECAD 4097 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 8-Powersfn - PG-HSOF-8-3 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 - 650 v - - - - - - -
IPF041N10NF2SATMA1 Infineon Technologies IPF041N10NF2SATMA1 -
RFQ
ECAD 2528 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 800
IMW120R040M1HXKSA1 Infineon Technologies IMW120R040M1HXKSA1 21.3000
RFQ
ECAD 1471 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 55A (TC) 15V, 18V 54.4mohm @ 19.3a, 18V 5.2v @ 10ma 39 NC @ 18 v +20V, -5V 1620 NF @ 25 v - 227W (TC)
FP35R12N2T7BPSA2 Infineon Technologies FP35R12N2T7BPSA2 119.8200
RFQ
ECAD 7341 0.00000000 인피온 인피온 Econopim ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FP35R12 20 MW 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Econo2b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 35 a 1.6V @ 15V, 35A 7 µA 6.62 NF @ 25 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고