SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1)
BC847AE6327HTSA1 Infineon Technologies BC847AE6327HTSA1 0.3200
RFQ
ECAD 131 0.00000000 인피온 인피온 SOT-23 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 200 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
IPB049NE7N3GATMA1 Infineon Technologies IPB049NE7N3GATMA1 2.8000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB049 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 75 v 80A (TC) 10V 4.9mohm @ 80a, 10V 3.8V @ 91µA 68 NC @ 10 v ± 20V 4750 pf @ 37.5 v - 150W (TC)
IRF7501TR Infineon Technologies irf7501tr -
RFQ
ECAD 7557 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) IRF7501 MOSFET (금속 (() 1.25W Micro8 ™ 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 2.4a 135mohm @ 1.7a, 4.5v 700MV @ 250µA 8NC @ 4.5V 260pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRFU9024NPBF Infineon Technologies IRFU9024NPBF 1.0900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU9024 MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 55 v 11A (TC) 10V 175mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 38W (TC)
BSB053N03LP G Infineon Technologies BSB053N03LP g -
RFQ
ECAD 1041 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-Wdson MOSFET (금속 (() Mg-Wdson-2, Canpak M ™ 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 17A (TA), 71A (TC) 4.5V, 10V 5.3MOHM @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 15 v - 2.3W (TA), 42W (TC)
IRFR5305TRRPBF Infineon Technologies irfr5305trrpbf -
RFQ
ECAD 4473 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001573302 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 55 v 31A (TC) 10V 65mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 110W (TC)
IRFR3711TR Infineon Technologies irfr3711tr -
RFQ
ECAD 3650 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 20 v 100A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 20V 2980 pf @ 10 v - 2.5W (TA), 120W (TC)
IRFR7446TRPBF Infineon Technologies irfr7446trpbf 1.3300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR7446 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 56A (TC) 6V, 10V 3.9mohm @ 56a, 10V 3.9V @ 100µA 130 NC @ 10 v ± 20V 3150 pf @ 25 v - 98W (TC)
IRF7321D2TR Infineon Technologies IRF7321D2TR -
RFQ
ECAD 7221 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 30 v 4.7A (TA) 4.5V, 10V 62mohm @ 4.9a, 10V 1V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 710 pf @ 25 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA)
IRFHM830TRPBF Infineon Technologies irfhm830trpbf 0.9300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn IRFHM830 MOSFET (금속 (() 8-pqfn-dual (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 21A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 20a, 10V 2.35V @ 50µA 31 NC @ 10 v ± 20V 2155 pf @ 25 v - 2.7W (TA), 37W (TC)
IRGS4715DTRRPBF Infineon Technologies IRGS4715DTRRPBF -
RFQ
ECAD 5704 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 100 W. D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001542306 귀 99 8541.29.0095 800 400V, 8A, 50ohm, 15V 86 ns - 650 v 21 a 24 a 2V @ 15V, 8A 200µJ (on), 90µJ (OFF) 30 NC 30ns/100ns
BSD816SNL6327HTSA1 Infineon Technologies BSD816SNL6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 2703 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() PG-SOT363-PO 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1.4A (TA) 1.8V, 2.5V 160mohm @ 1.4a, 2.5v 950MV @ 3.7µA 0.6 nc @ 2.5 v ± 8V 180 pf @ 10 v - 500MW (TA)
IPT60T040S7XTMA1 Infineon Technologies IPT60T040S7XTMA1 4.8790
RFQ
ECAD 4897 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2,000
IRF7303TRPBF Infineon Technologies IRF7303TRPBF 1.0200
RFQ
ECAD 6101 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF73 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 30V 4.9A 50mohm @ 2.4a, 10V 1V @ 250µA 25NC @ 10V 520pf @ 25V -
BSP320S E6327 Infineon Technologies BSP320S E6327 -
RFQ
ECAD 6029 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 2.9A (TA) 10V 120mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 20µA 12 nc @ 10 v ± 20V 340 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
SPP07N60S5XKSA1 Infineon Technologies SPP07N60S5XKSA1 -
RFQ
ECAD 1722 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp07n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000681034 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 5.5V @ 350µA 35 NC @ 10 v ± 20V 970 pf @ 25 v - 83W (TC)
IRFB4110PBF Infineon Technologies IRFB4110PBF 4.7700
RFQ
ECAD 847 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB4110 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 120A (TC) 10V 4.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 210 nc @ 10 v ± 20V 9620 pf @ 50 v - 370W (TC)
IPW60R041P6FKSA1 Infineon Technologies IPW60R041P6FKSA1 13.4900
RFQ
ECAD 4596 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P6 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW60R041 MOSFET (금속 (() PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 77.5A (TC) 10V 41mohm @ 35.5a, 10V 4.5V @ 2.96ma 170 nc @ 10 v ± 20V 8180 pf @ 100 v - 481W (TC)
IRF3711ZSPBF Infineon Technologies IRF3711ZSPBF -
RFQ
ECAD 2427 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 92A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 15A, 10V 2.45V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 20V 2150 pf @ 10 v - 79W (TC)
IPP60R065S7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R065S7XKSA1 6.7700
RFQ
ECAD 4855 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ S7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 8A (TC) 12V 65mohm @ 8a, 12v 4.5V @ 490µA 51 NC @ 12 v ± 20V 1932 pf @ 300 v - 167W (TC)
IKWH50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies IKWH50N65EH7XKSA1 6.2400
RFQ
ECAD 230 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240
F3L600R10W3S7B11BPSA1 Infineon Technologies F3L600R10W3S7B11BPSA1 146.6700
RFQ
ECAD 7719 0.00000000 인피온 인피온 * 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-F3L600R10W3S7B11BPSA1 8
IPI50R350CPXKSA1 Infineon Technologies ipi50r350cpxksa1 -
RFQ
ECAD 7407 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI50R350 MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000680736 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 10A (TC) 10V 350mohm @ 5.6a, 10V 3.5V @ 370µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1020 pf @ 100 v - 89W (TC)
IPI16CNE8N G Infineon Technologies ipi16cne8n g -
RFQ
ECAD 1583 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI16C MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 85 v 53A (TC) 10V 16.5mohm @ 53a, 10V 4V @ 61µA 48 NC @ 10 v ± 20V 3230 pf @ 40 v - 100W (TC)
BCR 129T E6327 Infineon Technologies BCR 129T E6327 -
RFQ
ECAD 8963 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-75, SOT-416 BCR 129 250 MW PG-SC-75 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 120 @ 5MA, 5V 150MHz 10 KOHMS
IRG7PK42UD1MPBF Infineon Technologies irg7pk42ud1mpbf -
RFQ
ECAD 8358 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 irg7pk 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 SP001542046 쓸모없는 0000.00.0000 1
IRF8910TRPBF-1 Infineon Technologies IRF8910TRPBF-1 -
RFQ
ECAD 1715 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF89 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 도 8- - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 20V 10A (TA) 13.4mohm @ 10a, 10V 2.55V @ 250µA 11nc @ 4.5v 960pf @ 10V -
AUXMOS20956STR Infineon Technologies auxmos20956st -
RFQ
ECAD 8154 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 -
IRFR2905ZTRRPBF Infineon Technologies irfr2905ztrrpbf -
RFQ
ECAD 3401 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 42A (TC) 10V 14.5mohm @ 36a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1380 pf @ 25 v - 110W (TC)
BTS121ANKSA1 Infineon Technologies BTS121ANKSA1 -
RFQ
ECAD 9095 0.00000000 인피온 인피온 Tempfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 22A (TC) 4.5V 100mohm @ 9.5a, 4.5v 2.5V @ 1mA ± 10V 1500 pf @ 25 v - 95W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고