SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
IPP80N06S207AKSA1 Infineon Technologies IPP80N06S207AKSA1 -
RFQ
ECAD 5177 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 80A (TC) 10V 6.6MOHM @ 68A, 10V 4V @ 180µA 110 NC @ 10 v ± 20V 3400 pf @ 25 v - 250W (TC)
IRFR7540PBF Infineon Technologies IRFR7540PBF -
RFQ
ECAD 1384 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 90A (TC) 6V, 10V 4.8mohm @ 66a, 10V 3.7v @ 100µa 130 NC @ 10 v ± 20V 4360 pf @ 25 v - 140W (TC)
IRL3714LPBF Infineon Technologies IRL3714LPBF -
RFQ
ECAD 7430 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 36A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 9.7 NC @ 4.5 v ± 20V 670 pf @ 10 v - 47W (TC)
SPP11N65C3 Infineon Technologies spp11n65c3 -
RFQ
ECAD 6767 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
IPP65R190C7 Infineon Technologies IPP65R190C7 1.0000
RFQ
ECAD 1826 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 650 v 13A (TC) 10V 190mohm @ 5.7a, 10V 4V @ 290µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1150 pf @ 400 v - 72W (TC)
IIPC20S4N04X2SA1 Infineon Technologies IIPC20S4N04X2SA1 -
RFQ
ECAD 3394 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 IIPC20S4 - 쓸모없는 1
SPA20N65C3XK Infineon Technologies SPA20N65C3XK 3.5900
RFQ
ECAD 165 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-111 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 650 v 20.7A (TC) 10V 190mohm @ 13.1a, 10V 3.9V @ 1mA 114 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 34.5W (TC)
DDB6U84N16RRBPSA1 Infineon Technologies DDB6U84N16RRBPSA1 110.7100
RFQ
ECAD 15 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 ddb6u8 350 w 기준 Ag-Econo2a 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 단일 단일 - 1200 v 50 a 3.2V @ 20V, 50A 1 MA 아니요 3.3 NF @ 25 v
IQE004NE1LM7SCATMA1 Infineon Technologies IQE004NE1LM7SCATMA1 1.1739
RFQ
ECAD 1174 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 6,000
IPI147N12N3GAKSA1 Infineon Technologies IPI147N12N3GAKSA1 -
RFQ
ECAD 9789 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI147 MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 120 v 56A (TA) 10V 14.7mohm @ 56a, 10V 4V @ 61µA 49 NC @ 10 v ± 20V 3220 pf @ 60 v - 107W (TC)
IRFI4110GPBF Infineon Technologies IRFI4110GPBF 4.0000
RFQ
ECAD 32 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IRFI4110 MOSFET (금속 (() TO-220AB Full-Pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 72A (TC) 10V 4.5mohm @ 43a, 10V 4V @ 250µA 290 NC @ 10 v ± 20V 9540 pf @ 50 v - 61W (TC)
FF17MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies FF17MR12W1M1HB11BPSA1 141.7000
RFQ
ECAD 24 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 쟁반 활동적인 - 섀시 섀시 기준 기준 FF17MR12 MOSFET (금속 (() - Ag-Easy1b - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 24 - 1200V (1.2kv) - - - - - -
BSP320SL6433 Infineon Technologies BSP320SL6433 0.2000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4-21 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 2.9A (TJ) 10V 120mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 20µA 12 nc @ 10 v ± 20V 340 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
SMBTA14E6327 Infineon Technologies SMBTA14E6327 0.1000
RFQ
ECAD 210 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,112 30 v 300 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
IPB80N04S3-04 Infineon Technologies IPB80N04S3-04 1.4200
RFQ
ECAD 225 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-4, d²pak (3 리드 + 탭), TO-263AA MOSFET (금속 (() PG-to263-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 225 n 채널 40 v 80A (TC) 4.1mohm @ 80a, 10V 4V @ 90µA 80 nc @ 10 v ± 20V 5200 pf @ 25 v - 136W (TC)
IRF7331TRPBF-1 Infineon Technologies IRF7331TRPBF-1 -
RFQ
ECAD 8473 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF733 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001555168 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 7A (TA) 30mohm @ 7a, 4.5v 1.2V @ 250µA 20NC @ 4.5V 1340pf @ 16v -
BSB012N03LX3GXUMA1 Infineon Technologies BSB012N03LX3GXUMA1 1.0800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000
IRF7809PBF Infineon Technologies IRF7809PBF -
RFQ
ECAD 4373 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 28 v 14.5A (TA) 4.5V - 1V @ 250µA ± 12V - -
IRFS3307ZTRRPBF Infineon Technologies IRFS3307ZTRRPBF 2.9100
RFQ
ECAD 800 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS3307 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 120A (TC) 10V 5.8mohm @ 75a, 10V 4V @ 150µA 110 NC @ 10 v ± 20V 4750 pf @ 50 v - 230W (TC)
IRF7739L1TRPBF Infineon Technologies IRF7739L1TRPBF 5.3200
RFQ
ECAD 5370 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 IRF7739 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 40 v 46A (TA), 270A (TC) 10V 1MOHM @ 160A, 10V 4V @ 250µA 330 nc @ 10 v ± 20V 11880 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 125W (TC)
IRL2910STRRPBF Infineon Technologies irl2910strrpbf 2.6968
RFQ
ECAD 2390 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL2910 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 55A (TC) 26mohm @ 29a, 10V 2V @ 250µA 140 nc @ 5 v 3700 pf @ 25 v -
BSO4804HUMA2 Infineon Technologies BSO4804HUMA2 -
RFQ
ECAD 2575 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) BSO4804 MOSFET (금속 (() 2W PG-DSO-8 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 8A (TA) 20mohm @ 8a, 10V 2V @ 30µA 17nc @ 5v 870pf @ 25v 논리 논리 게이트
IPP034N03LGHKSA1 Infineon Technologies IPP034N03LGHKSA1 -
RFQ
ECAD 8514 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP034N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000237660 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 20V 5300 pf @ 15 v - 94W (TC)
SPP15N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPP15N60C3XKSA1 4.7300
RFQ
ECAD 500 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SPP15N60 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 15A (TC) 10V 280mohm @ 9.4a, 10V 3.9V @ 675µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1660 pf @ 25 v - 156W (TC)
SIPC36AN10X1SA2 Infineon Technologies SIPC36AN10X1SA2 -
RFQ
ECAD 3128 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 -
IPC022N03L3X1SA1 Infineon Technologies IPC022N03L3X1SA1 -
RFQ
ECAD 7557 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 대부분 sic에서 중단되었습니다 - 표면 표면 주사위 IPC022N MOSFET (금속 (() 호일에 호일에 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 1A (TJ) 10V 50mohm @ 2a, 10V 2.2V @ 250µA - - -
IPN60R1K5PFD7SATMA1 Infineon Technologies IPN60R1K5PFD7SATMA1 0.7900
RFQ
ECAD 7569 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ PFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IPN60R1 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 700ma, 10V 4.5V @ 40µA 4.6 NC @ 10 v ± 20V 169 pf @ 400 v - 6W (TC)
BSC084P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies BSC084P03NS3EGATMA1 -
RFQ
ECAD 2695 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC084 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 30 v 14.9A (TA), 78.6A (TC) 6V, 10V 8.4mohm @ 50a, 10V 3V @ 110µA 57.7 NC @ 10 v ± 25V 4240 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 69W (TC)
IRFB7434GPBF Infineon Technologies IRFB7434GPBF -
RFQ
ECAD 8217 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 195a (TC) 6V, 10V 1.6MOHM @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 324 NC @ 10 v ± 20V 10820 pf @ 25 v - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고