SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
IRGC15B60KB Infineon Technologies IRGC15B60KB -
RFQ
ECAD 9544 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 - 표면 표면 주사위 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 - NPT 600 v 15 a 1.35V @ 15V, 3A - -
SIGC08T60EX1SA1 Infineon Technologies SIGC08T60EX1SA1 -
RFQ
ECAD 1822 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC08 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 - 트렌치 트렌치 정지 600 v 15 a 45 a 1.9V @ 15V, 15a - -
IRGC100B60KB Infineon Technologies IRGC100B60KB -
RFQ
ECAD 6394 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 - 표면 표면 주사위 IRGC100 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 - NPT 600 v 100 a 2.1V @ 15V, 100A - -
IRGC4067EFX7SA1 Infineon Technologies IRGC4067EFX7SA1 -
RFQ
ECAD 3834 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 - 표면 표면 주사위 IRGC4067 기준 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 - - 600 v 240 a - - -
IRG4CC50WC Infineon Technologies IRG4CC50WC -
RFQ
ECAD 4254 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 주사위 IRG4CC 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 - 33 ns - 600 v 27 a - - -
IRG4CC80SB Infineon Technologies IRG4CC80SB -
RFQ
ECAD 6542 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 주사위 IRG4CC 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 - - 600 v - - -
IGC10T65U8QX1SA1 Infineon Technologies IGC10T65U8QX1SA1 -
RFQ
ECAD 8806 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 - - - IGC10 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 - - - - -
IRGC20B60KB Infineon Technologies IRGC20B60KB -
RFQ
ECAD 8528 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 - 표면 표면 주사위 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 - NPT 600 v 20 a 1.3V @ 15V, 4A - -
ISP13DP06NMSATMA1 Infineon Technologies ISP13DP06NMSATMA1 0.9000
RFQ
ECAD 7726 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ISP13DP06 MOSFET (금속 (() PG-SOT223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 2.8A (TA) - - - ± 20V - -
ISP25DP06NMXTSA1 Infineon Technologies ISP25DP06NMXTSA1 0.8600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ISP25DP06 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 1.9A (TA) 10V 250mohm @ 1.9a, 10V 4V @ 270µA 10.8 nc @ 10 v ± 20V 420 pf @ 30 v - 1.8W (TA), 4.2W (TC)
ISP26DP06NMSATMA1 Infineon Technologies ISP26DP06NMSATMA1 0.6700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ISP26DP06 MOSFET (금속 (() PG-SOT223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 1.9A (TA) - - - ± 20V - -
IPD06P003NSAUMA1 Infineon Technologies IPD06P003NSAUMA1 -
RFQ
ECAD 4206 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD06P MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001863526 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 22A (TC) 10V 65mohm @ 22a, 10V 4V @ 1.04ma 39 NC @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 30 v - 83W (TC)
BSM150GB170DLCE3256HDLA1 Infineon Technologies BSM150GB170DLCE3256HDLA1 -
RFQ
ECAD 9812 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 BSM150 1250 w 기준 - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 반 반 - 1700 v 300 a 3.2V @ 15V, 150A 300 µA 아니요 10 nf @ 25 v
FF1500R12IE5PBPSA1 Infineon Technologies FF1500R12IE5PBPSA1 1.0000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Primepack ™ 3+ b 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF1500R 20 MW 기준 Ag-Prime3+-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v 1500 a 2.15V @ 15V, 1.5KA 5 MA
FF450R33T3E3P2BPSA1 Infineon Technologies FF450R33T3E3P2BPSA1 1.0000
RFQ
ECAD 6115 0.00000000 인피온 인피온 XHP ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF450R33 1000000 W. 기준 AG-XHP100-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 8541.29.0095 2 반 반 트렌치 트렌치 정지 3300 v 450 a 2.75V @ 15V, 450A 5 MA 아니요
FS100R12N2T4B11BOSA1 Infineon Technologies FS100R12N2T4B11BOSA1 -
RFQ
ECAD 4721 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 2 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FS100R12 20 MW 기준 Ag-Econo2-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001723592 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 100 a 2.1V @ 15V, 100A 1 MA
IAUA200N04S5N010AUMA1 Infineon Technologies IAUA200N04S5N010AUMA1 2.9800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC -Q101, Optimos ™ -5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 5-powersfn IAUA200 MOSFET (금속 (() PG-HSOF-5-1 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 200a (TC) 7V, 10V 1MOHM @ 100A, 10V 3.4V @ 100µa 132 NC @ 10 v ± 20V 7650 pf @ 25 v - 167W (TC)
IEWS20R5135IPBXKLA1 Infineon Technologies IEWS20R5135IPBXKLA1 -
RFQ
ECAD 6258 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-6 논리 288 w PG-to247-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001778868 귀 99 8541.29.0095 1,000 - 트렌치 트렌치 정지 1350 v 40 a 60 a 1.85V @ 0V, 20A -, 1.2mj (OFF) 668ns/2.034µs
IKFW90N60EH3XKSA1 Infineon Technologies IKFW90N60EH3XKSA1 12.7500
RFQ
ECAD 248 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IKFW90 기준 178 w PG-to247-3-AI 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 75A, 5ohm, 15V 107 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 77 a 300 a 2.3V @ 15V, 75A 2.65mj (on), 1.3mj (OFF) 440 NC 32ns/210ns
IPL65R165CFDAUMA2 Infineon Technologies IPL65R165CFDAUMA2 2.4916
RFQ
ECAD 3744 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-powertsfn IPL65R MOSFET (금속 (() PG-VSON-4 다운로드 Rohs3 준수 2A (4 주) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 21.3A (TC) 10V 165mohm @ 9.3a, 10V 4.5V @ 900µA 86 NC @ 10 v ± 20V 2340 pf @ 100 v - 195W (TC)
IPP65R110CFDXKSA2 Infineon Technologies IPP65R110CFDXKSA2 6.8400
RFQ
ECAD 7298 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP65R110 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 31.2A (TC) 10V 110mohm @ 12.7a, 10V 4.5V @ 1.3ma 118 NC @ 10 v ± 20V 3240 pf @ 100 v - 277.8W (TC)
IMW65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies IMW65R083M1HXKSA1 11.0700
RFQ
ECAD 119 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IMW65R sicfet ((카바이드) PG-to247-3-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 24A (TC) 18V 111mohm @ 11.2a, 18V 5.7v @ 3.3ma 19 NC @ 18 v +20V, -2V 624 pf @ 400 v - 104W (TC)
IMW65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies IMW65R030M1HXKSA1 21.6000
RFQ
ECAD 5674 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IMW65R sicfet ((카바이드) PG-to247-3-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 58A (TC) 18V 42mohm @ 29.5a, 18V 5.7v @ 8.8ma 48 NC @ 18 v +20V, -2V 1643 pf @ 400 v - 197W (TC)
IMZA65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies IMZA65R083M1HXKSA1 11.9000
RFQ
ECAD 54 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sicfet ((카바이드) PG-to247-4-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 26A (TC) 18V 111mohm @ 11.2a, 18V 5.7v @ 3.3ma 19 NC @ 18 v +20V, -2V 624 pf @ 400 v - 104W (TC)
AUXTMGPS4070D2 Infineon Technologies auxtmgps4070d2 -
RFQ
ECAD 4965 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 - autxmgps - - 영향을받지 영향을받지 448-auxtmgps4070d2 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - -
FF600R12ME7B11BPSA1 Infineon Technologies FF600R12ME7B11BPSA1 -
RFQ
ECAD 8241 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF600R12 20 MW 기준 Ag-Econod 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1200 v 600 a 1.75V @ 15V, 600A 35 µA 92 NF @ 25 v
IPW65R018CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPW65R018CFD7XKSA1 24.9500
RFQ
ECAD 9651 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW65R MOSFET (금속 (() PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 106A (TC) 10V 18mohm @ 58.2a, 10V 4.5V @ 2.91ma 234 NC @ 10 v ± 20V 11659 pf @ 400 v - 446W (TC)
IKW50N120CS7XKSA1 Infineon Technologies IKW50N120CS7XKSA1 11.4200
RFQ
ECAD 890 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IKW50N 기준 428 w PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 50A, 2.3OHM, 15V 165 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 82 a 150 a 2V @ 15V, 50A 2.8mj (on), 2.2mj (OFF) 290 NC 29ns/170ns
ISZ0804NLSATMA1 Infineon Technologies ISZ0804NLSATMA1 1.5000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn ISZ0804N MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 11A (TA), 58A (TC) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 28µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 50 v - 2.1W (TA), 60W (TC)
ISC0804NLSATMA1 Infineon Technologies ISC0804NLSATMA1 1.5700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn ISC0804N MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 12A (TA), 59A (TC) 4.5V, 10V 10.9mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 28µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 50 v - 2.5W (TA), 60W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고