SIC
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트랜지스터 (39)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
P3M06025K4 PN Junction Semiconductor P3M06025K4 15.9000
RFQ
 ECAD 5048 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M06025K4 1 n 채널 650 v 97a 15V 34mohm @ 50a, 15V 2.2V @ 50MA (유형) +20V, -8V - 326W
P3M06060G7 PN Junction Semiconductor P3M06060G7 10.3800
RFQ
 ECAD 7390 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA sicfet ((카바이드) D2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-p3m06060g7tr 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 650 v 44A 15V 79mohm @ 20a, 15V 2.2V @ 20MA (유형) +20V, -8V - 159W
P3M17040K3 PN Junction Semiconductor P3M17040K3 35.8600
RFQ
 ECAD 3652 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247-3L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M17040K3 1 n 채널 1700 v 73A 15V 60mohm @ 50a, 15V 2.2V @ 50MA (유형) +19V, -8V - 536W
P3M06300K3 PN Junction Semiconductor P3M06300K3 4.9800
RFQ
 ECAD 3261 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247-3L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M06300K3 1 n 채널 650 v 9a 15V 500mohm @ 4.5a, 15V 2.2V @ 5MA (유형) 904 NC @ 15 v +20V, -8V 338 pf @ 400 v - 38W
P3M12080K3 PN Junction Semiconductor P3M12080K3 11.9000
RFQ
 ECAD 1973 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247-3L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M12080K3 1 n 채널 1200 v 47a 15V 96MOHM @ 20A, 15V 2.4V @ 5MA (유형) +21V, -8V - 221W
P3M06120T3 PN Junction Semiconductor P3M06120T3 9.0500
RFQ
 ECAD 8880 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-2 sicfet ((카바이드) TO-220-2L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M06120T3 1 n 채널 650 v 29a 15V 158mohm @ 10a, 15v 2.2V @ 5MA (유형) +20V, -8V - 153W
P3M06040K4 PN Junction Semiconductor P3M06040K4 12.1700
RFQ
 ECAD 2233 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M06040K4 1 n 채널 650 v 68a 15V 50mohm @ 40a, 15V 2.4V @ 7.5MA (유형) +20V, -8V - 254W
P3M06060T3 PN Junction Semiconductor P3M06060T3 10.3800
RFQ
 ECAD 8146 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-2 sicfet ((카바이드) TO-220-2L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M06060T3 1 n 채널 650 v 46A 15V 79mohm @ 20a, 15V 2.2V @ 20MA (유형) +20V, -8V - 170W
P3M06300D5 PN Junction Semiconductor P3M06300D5 4.9800
RFQ
 ECAD 4032 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DFN5*6 sicfet ((카바이드) DFN5*6 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M06300D5TR 1 n 채널 650 v 9a 15V 500mohm @ 4.5a, 15V 2.2V @ 5mA +20V, -8V - 26W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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