SIC
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트랜지스터 (39)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
P1H06300D8 PN Junction Semiconductor P1H06300D8 4.9800
RFQ
 ECAD 7689 0.00000000 PN 접합 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 Ganfet ((갈륨) DFN8*8 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-p1h06300d8tr 1 n 채널 650 v 10A 6V - +10V, -20V - 55.5W
P3M12080G7 PN Junction Semiconductor P3M12080G7 11.9000
RFQ
 ECAD 1610 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA sicfet ((카바이드) D2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M12080G7TR 1 n 채널 1200 v 32A 15V 96MOHM @ 20A, 15V 2.2v @ 30ma (유형) +19V, -8V - 136W
P3M12080K4 PN Junction Semiconductor P3M12080K4 11.9000
RFQ
 ECAD 9034 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M12080K4 1 n 채널 1200 v 47a 15V 96MOHM @ 20A, 15V 2.4V @ 5MA (유형) +21V, -8V - 221W
P3M06120K3 PN Junction Semiconductor P3M06120K3 9.0500
RFQ
 ECAD 6996 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247-3L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M06120K3 1 n 채널 650 v 27a 15V 158mohm @ 10a, 15v 2.2V @ 5mA +20V, -8V - 131W
P3M06120K4 PN Junction Semiconductor P3M06120K4 9.0500
RFQ
 ECAD 2705 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M06120K4 1 n 채널 650 v 27a 15V 158mohm @ 10a, 15v 2.2V @ 5mA +20V, -8V - 131W
PAA12400BM3 PN Junction Semiconductor PAA12400BM3 882.3600
RFQ
 ECAD 3564 0.00000000 PN 접합 반도체 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 PAA12400 실리콘 실리콘 (sic) - 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-PAA12400BM3 1 2 n 채널 (채널 교량) 1200V (1.2kv) 350a 7.3MOHM @ 300A, 20V 5V @ 100MA - 29.5pf @ 1000V -
P3M12040K3 PN Junction Semiconductor P3M12040K3 20.9800
RFQ
 ECAD 8887 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247-3L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M12040K3 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1200 v 63A 15V 48mohm @ 40a, 15V 2.2v @ 40ma (유형) +21V, -8V - 349W
P3M12017K4 PN Junction Semiconductor P3M12017K4 39.7500
RFQ
 ECAD 7138 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M12017K4 1 n 채널 1200 v 151a 15V 24mohm @ 75a, 15V 2.5V @ 75MA (유형) +25V, -10V - 789W
P3M07013K4 PN Junction Semiconductor P3M07013K4 33.9000
RFQ
 ECAD 4850 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M07013K4 1 n 채널 750 v 140a 15V 16mohm @ 75a, 15V 2.2v @ 75ma (유형) +19V, -8V - 428W
P3M171K2K3 PN Junction Semiconductor P3M171K2K3 5.5900
RFQ
 ECAD 2230 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247-3L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M171K2K3 1 n 채널 1700 v 6A 15V 1.4ohm @ 2a, 15V 2.2V @ 2MA (유형) +19V, -8V - 68W
P3M12040K4 PN Junction Semiconductor P3M12040K4 20.9800
RFQ
 ECAD 2699 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M12040K4 1 n 채널 1200 v 63A 15V 48mohm @ 40a, 15V 2.2v @ 40ma (유형) +21V, -8V - 349W
P3M171K0G7 PN Junction Semiconductor P3M171K0G7 6.1000
RFQ
 ECAD 7429 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA sicfet ((카바이드) D2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M171K0G7 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1700 v 7a 15V 1.4ohm @ 2a, 15V 2.2V @ 2MA (유형) +19V, -8V - 100W
P3M12160K3 PN Junction Semiconductor P3M12160K3 8.8300
RFQ
 ECAD 8824 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247-3L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M12160K3 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1200 v 19a 15V 192mohm @ 10a, 15v 2.4V @ 2.5MA (유형) +21V, -8V - 110W
P3M06300D8 PN Junction Semiconductor P3M06300D8 4.9800
RFQ
 ECAD 7160 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DFN8*8 sicfet ((카바이드) DFN8*8 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-p3m06300d8tr 1 n 채널 650 v 9a 15V 500mohm @ 4.5a, 15V 2.2V @ 5mA +20V, -8V - 32W
P3M173K0K3 PN Junction Semiconductor P3M173K0K3 5.0800
RFQ
 ECAD 6554 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247-3L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M173K0K3 1 n 채널 1700 v 4a 15V 3.6ohm @ 600ma, 15V 2.2V @ 600µA (타이핑) +19V, -8V - 63W
P3M12025K4 PN Junction Semiconductor P3M12025K4 28.7400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M12025K4 1 n 채널 1200 v 112A 15V 35mohm @ 50a, 15V 2.2V @ 50MA (유형) +19V, -8V - 577W
P3M17040K4 PN Junction Semiconductor P3M17040K4 35.8600
RFQ
 ECAD 4762 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M17040K4 1 n 채널 1700 v 73A 15V 60mohm @ 50a, 15V 2.2V @ 50MA (유형) +19V, -8V - 536W
P3M06040K3 PN Junction Semiconductor P3M06040K3 12.1700
RFQ
 ECAD 2030 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247-3L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M06040K3 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 650 v 68a 15V 50mohm @ 40a, 15V 2.4V @ 7.5MA (유형) +20V, -8V - 254W
P3M06300T3 PN Junction Semiconductor P3M06300T3 4.9800
RFQ
 ECAD 7695 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-2 sicfet ((카바이드) TO-220-2L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M06300T3 1 n 채널 650 v 9a 15V 500mohm @ 4.5a, 15V 2.2V @ 5mA +20V, -8V - 35W
P3M171K0F3 PN Junction Semiconductor P3M171K0F3 6.1000
RFQ
 ECAD 2987 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220F-2 sicfet ((카바이드) TO-220F-2L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M171K0F3 1 n 채널 1700 v 5.5A 15V 1.4ohm @ 2a, 15V 2.2V @ 2MA (유형) +19V, -8V - 51W
P3M12160K4 PN Junction Semiconductor P3M12160K4 8.8300
RFQ
 ECAD 9289 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M12160K4 1 n 채널 1200 v 19a 15V 192mohm @ 10a, 15v 2.4V @ 2.5MA (유형) +21V, -8V - 110W
P3M12025K3 PN Junction Semiconductor P3M12025K3 28.7400
RFQ
 ECAD 2069 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247-3L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M12025K3 1 n 채널 1200 v 113A 15V 35mohm @ 50a, 15V 2.4V @ 17.7ma (유형) +21V, -10V - 524W
P3M06060K3 PN Junction Semiconductor P3M06060K3 10.3800
RFQ
 ECAD 9755 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247-3L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M06060K3 1 n 채널 650 v 48a 15V 79mohm @ 20a, 15V 2.2V @ 20MA (유형) +20V, -8V - 188W
P3M06060K4 PN Junction Semiconductor P3M06060K4 10.3800
RFQ
 ECAD 7995 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M06060K4 1 n 채널 650 v 48a 15V 79mohm @ 20a, 15V 2.4V @ 5MA (유형) +20V, -8V - 188W
P3M173K0T3 PN Junction Semiconductor P3M173K0T3 5.0800
RFQ
 ECAD 8943 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-2 sicfet ((카바이드) TO-220-2L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M173K0T3 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1700 v 4a 15V 2.6ohm @ 600ma, 15V 2.2V @ 600µA (타이핑) +19V, -8V - 75W
P3M171K0T3 PN Junction Semiconductor P3M171K0T3 6.1000
RFQ
 ECAD 9441 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-2 sicfet ((카바이드) TO-220-2L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M171K0T3 1 n 채널 1700 v 6A 15V 1.4ohm @ 2a, 15V 2.2V @ 2MA (유형) +19V, -8V - 100W
P3M06300D5 PN Junction Semiconductor P3M06300D5 4.9800
RFQ
 ECAD 4032 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DFN5*6 sicfet ((카바이드) DFN5*6 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M06300D5TR 1 n 채널 650 v 9a 15V 500mohm @ 4.5a, 15V 2.2V @ 5mA +20V, -8V - 26W
P3M173K0F3 PN Junction Semiconductor P3M173K0F3 5.0800
RFQ
 ECAD 8624 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220F-2 sicfet ((카바이드) TO-220F-2L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M173K0F3 1 n 채널 1700 v 1.97a 15V 3.6ohm @ 0.25a, ​​15V 2.2v @ 1.5ma (유형) +19V, -8V - 19W
P3M12040G7 PN Junction Semiconductor P3M12040G7 20.9800
RFQ
 ECAD 8324 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA sicfet ((카바이드) D2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M12040G7TR 1 n 채널 1200 v 69a 15V 53mohm @ 40a, 15V 2.2v @ 40ma (유형) +19V, -8V - 357W
P3M171K0K3 PN Junction Semiconductor P3M171K0K3 6.1000
RFQ
 ECAD 5311 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247-3L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M171K0K3 1 n 채널 1700 v 6A 15V 1.4ohm @ 2a, 15V 2.2V @ 2MA (유형) +19V, -8V - 68W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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