SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 테스트 테스트 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
STGWA60V60DF STMicroelectronics STGWA60V60DF 5.6200
RFQ
ECAD 2949 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGWA60 기준 375 w TO-247 긴 7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 60A, 4.7OHM, 15V 74 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 80 a 240 a 2.3V @ 15V, 60A 750µJ (on), 550µJ (OFF) 334 NC 60ns/208ns
HGT1S15N120C3 Harris Corporation HGT1S15N120C3 3.7100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 기준 164 w I2PAK (TO-262) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 - - 1200 v 35 a 120 a 3.5V @ 15V, 15a - 100 NC -
P2000DL45X168APTHPSA1 Infineon Technologies P2000DL45X168APTHPSA1 10.0000
RFQ
ECAD 4066 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 do-200ae P2000D 기준 BG-P16826K-1 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 도랑 4500 v 2000 a 2.5V @ 15V, 2000a 200 µA 아니요 420 NF @ 25 v
CM600DU-5F Powerex Inc. CM600DU-5F -
RFQ
ECAD 5171 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 1100 w 기준 기준 기준 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 반 반 - 250 v 600 a 1.7V @ 10V, 600A 1 MA 아니요 170 NF @ 10 v
FD800R17HP4-K_B2 Infineon Technologies FD800R17HP4-K_B2 1.0000
RFQ
ECAD 135 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FD800R 5200 w 기준 AG-IHVB130-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 단일 단일 - 1700 v 800 a - 5 MA 아니요
HGTP10N40C1D Harris Corporation HGTP10N40C1D 2.6100
RFQ
ECAD 206 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 75 w TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 - - 400 v 17.5 a 3.2V @ 20V, 17.5A - 19 NC -
HGTG201N100E2 Harris Corporation HGTG201N100E2 -
RFQ
ECAD 6534 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1
IRG4RC10KPBF Infineon Technologies irg4rc10kpbf -
RFQ
ECAD 8737 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 기준 38 w D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 480V, 5A, 100ohm, 15V - 600 v 9 a 18 a 2.62V @ 15V, 5A 160µJ (on), 100µJ (OFF) 19 NC 11ns/51ns
NXH75M65L4Q1PTG onsemi NXH75M65L4Q1PTG 78.3462
RFQ
ECAD 2011 0.00000000 온세미 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 86 w 기준 53-PIM/Q2pack (93x47) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-NXH75M65L4Q1PTG 귀 99 8541.29.0095 21 반 반 트렌치 트렌치 정지 650 v 59 a 2.22V @ 15V, 75A 300 µA 5.665 NF @ 30 v
SIGC15T60EX1SA4 Infineon Technologies SIGC15T60EX1SA4 -
RFQ
ECAD 1494 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC15 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 - 트렌치 트렌치 정지 600 v 30 a 90 a 1.9V @ 15V, 30A - -
HGTG24N60D1 Harris Corporation HGTG24N60D1 8.9300
RFQ
ECAD 25 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 125 w TO-247 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 - - 600 v 40 a 96 a 2.3V @ 15V, 24A - 155 NC -
APTGT75DSK60T3G Microsemi Corporation APTGT75DSK60T3G -
RFQ
ECAD 3703 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP3 250 W. 기준 SP3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 이중 이중 헬기 트렌치 트렌치 정지 600 v 100 a 1.9V @ 15V, 75A 250 µA 4.62 NF @ 25 v
FZ1800R17HP4B29BOSA2 Infineon Technologies FZ1800R17HP4B29BOSA2 1.0000
RFQ
ECAD 6478 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FZ1800 11500 w 기준 Ag-IHMB190 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 단일 단일 트렌치 트렌치 정지 1700 v 1800 a 2.25V @ 15V, 1.8KA 5 MA 아니요 145 NF @ 25 v
IQFH99N06NM5ATMA1 Infineon Technologies IQFH99N06NM5ATMA1 2.4512
RFQ
ECAD 1165 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 3,000
HGTG30N60C3D onsemi hgtg30n60c3d -
RFQ
ECAD 6554 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 hgtg30 기준 208 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2832-HGTG30N60C3D 귀 99 8541.29.0095 450 - 60 ns - 600 v 63 a 252 a 1.8V @ 15V, 30A 1.05mj (on), 2.5mj (OFF) 162 NC -
RGW60TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGW60TS65DGC11 5.9200
RFQ
ECAD 8274 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGW60 기준 178 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10ohm, 15V 92 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 60 a 120 a 1.9V @ 15V, 30A 480µJ (ON), 490µJ (OFF) 84 NC 37ns/114ns
IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies ikw75n65el5xksa1 9.2400
RFQ
ECAD 1735 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 5 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IKW75N65 기준 536 w PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 75A, 4ohm, 15V 114 ns - 650 v 80 a 300 a 1.35V @ 15V, 75A 1.61mj (on), 3.2mj (OFF) 436 NC 40ns/275ns
BSM100GD60DLCBOSA1 Infineon Technologies BSM100GD60DLCBOSA1 -
RFQ
ECAD 8395 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 BSM100 430 w 기준 기준 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 전체 전체 - 600 v 130 a 2.45V @ 15V, 100A 500 µA 아니요 4.3 NF @ 25 v
TIG062E8-TL-H onsemi TIG062E8-TL-H -
RFQ
ECAD 2422 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 TIG062 기준 8- 초 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 - - 400 v 150 a 8V @ 3V, 100A - -
FP15R12W2T4BOMA1 Infineon Technologies FP15R12W2T4BOMA1 52.8400
RFQ
ECAD 14 0.00000000 인피온 인피온 EasyPIM ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FP15R12 145 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 30 a 2.25V @ 15V, 15a 1 MA 890 pf @ 25 v
APT68GA60B Microchip Technology APT68GA60B 8.0900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS 8 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT68GA60 기준 520 w TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 40A, 4.7OHM, 15V Pt 600 v 121 a 202 a 2.5V @ 15V, 40A 715µJ (on), 607µJ (OFF) 298 NC 21ns/133ns
FZ1200R12HE4HOSA2 Infineon Technologies FZ1200R12HE4HOSA2 637.5500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FZ1200 7150 w 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 단일 단일 트렌치 트렌치 정지 1200 v 1825 a 2.1V @ 15V, 1.2ka 5 MA 아니요 74 NF @ 25 v
IRGC100B120UB Infineon Technologies IRGC100B120UB -
RFQ
ECAD 4883 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 - 표면 표면 주사위 IRGC100 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 - NPT 1200 v 100 a 3.5V @ 15V, 100A - -
SGR15N40LTM onsemi sgr15n40ltm -
RFQ
ECAD 2330 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SGR15 기준 45 W. TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 - 도랑 400 v 130 a 8V @ 4.5V, 130A - -
APT30GS60BRDLG Microsemi Corporation APT30GS60BRDLG -
RFQ
ECAD 7110 0.00000000 Microsemi Corporation - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT30GS60 기준 250 W. TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 30A, 9.1OHM, 15V NPT 600 v 54 a 113 a 3.15V @ 15V, 30A 570µJ (OFF) 145 NC 16ns/360ns
APTGLQ200H120G Microchip Technology APTGLQ200H120G 378.5700
RFQ
ECAD 3108 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTGLQ200 1000 w 기준 SP6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 전체 전체 트렌치 트렌치 정지 1200 v 350 a 2.4V @ 15V, 200a 100 µa 아니요 12.3 NF @ 25 v
IX526119 IXYS IX526119 18.2286
RFQ
ECAD 4649 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 활동적인 IX5261 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IX526119tr 귀 99 8541.29.0095 200
APT15GP60BDQ1G Microchip Technology APT15GP60BDQ1G 5.4000
RFQ
ECAD 100 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT15GP60 기준 250 W. TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 15a, 5ohm, 15V Pt 600 v 56 a 65 a 2.7V @ 15V, 15a 130µJ (on), 120µJ (OFF) 55 NC 8ns/29ns
FGD3040G2 onsemi FGD3040G2 -
RFQ
ECAD 1014 0.00000000 온세미 Ecospark® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FGD3040 논리 150 W. TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 300V, 6.5A, 1KOHM, 5V - 400 v 41 a 1.25V @ 4V, 6A - 21 NC -/4.8µs
CY25CAH-8F-T13#F10 Renesas Electronics America Inc Cy25CAH-8F-T13#F10 1.5900
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 cy25ca - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.30.0080 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고