SIC
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IGBTS (8343)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 테스트 테스트 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
NGB8207ANT4G onsemi NGB8207ANT4G -
RFQ
 ECAD 6670 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NGB820 논리 165 w d²pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 - - 365 v 20 a 50 a 2.2v @ 3.7v, 10a - -
STGFW30NC60V STMicroelectronics STGFW30NC60V 6.4500
RFQ
 ECAD 279 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 STGFW30 기준 80 W. to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 390V, 20A, 3.3OHM, 15V - 600 v 36 a 100 a 2.5V @ 15V, 20A 220µJ (on), 330µJ (OFF) 100 NC 31ns/100ns
RGW80TS65GC11 Rohm Semiconductor RGW80TS65GC11 5.4600
RFQ
 ECAD 152 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGW80 기준 214 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 78 a 160 a 1.9V @ 15V, 40A 760µJ (on), 720µJ (OFF) 110 NC 44ns/143ns
NXH80T120L2Q0S2G onsemi NXH80T120L2Q0S2G -
RFQ
 ECAD 9746 0.00000000 온세미 - 쟁반 쓸모없는 NXH80T 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 24
IKFW50N60DH3XKSA1 Infineon Technologies IKFW50N60DH3XKSA1 8.3000
RFQ
 ECAD 1089 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IKFW50 기준 145 w PG-to247-3-AI 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 8ohm, 15V 64 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 53 a 160 a 2.3V @ 15V, 40A 1.22mj (on), 610µj (OFF) 210 NC 25ns/212ns
IXYN100N120C3 IXYS IXYN100N120C3 46.6700
RFQ
 ECAD 2874 0.00000000 ixys XPT ™, GenX3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 ixyn100 830 w 기준 SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 - 1200 v 152 a 3.5V @ 15V, 100A 25 µA 아니요 6 nf @ 25 v
IRGP4063D1-EPBF International Rectifier IRGP4063D1-EPBF 1.0000
RFQ
 ECAD 6820 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRGP4063D 기준 330 w TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 400V, 48A, 10ohm, 15V 80 ns - 600 v 100 a 192 a 2.14V @ 15V, 48A 1.4mj (on), 1.1mj (OFF) 150 NC 60ns/160ns
FD800R17KE3B2NOSA1-IR International Rectifier FD800R17KE3B2NOSA1-IR -
RFQ
 ECAD 3190 0.00000000 국제 국제 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1
NXH160T120L2Q2F2S1G onsemi NXH160T120L2Q2F2S1G 114.2122
RFQ
 ECAD 6764 0.00000000 온세미 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 500 W. 기준 56-PIM/Q2pack (93x47) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NXH160T120L2Q2F2S1G 귀 99 8541.29.0095 12 3 레벨 인버터 - 1200 v 181 a 2.7V @ 15V, 160A 500 µA 예 38.8 NF @ 25 v
FGH20N60SFDTU onsemi fgh20n60sfdtu 3.8000
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 fgh20 기준 165 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2266-FGH20N60SFDTU 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 10ohm, 15V 34 ns 현장 현장 600 v 40 a 60 a 2.8V @ 15V, 20A 370µJ (ON), 160µJ (OFF) 65 NC 13ns/90ns
STGW45HF60WDI STMicroelectronics STGW45HF60WDI -
RFQ
 ECAD 1412 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGW45 기준 250 W. TO-247 긴 7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-10402-5 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 4.7OHM, 15V 90 ns - 600 v 70 a 150 a 2.5V @ 15V, 30A 330µJ (OFF) 160 NC -/145ns
IKD10N60RAATMA2 Infineon Technologies IKD10N60RAATMA2 -
RFQ
 ECAD 3514 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IKD10N 기준 150 W. PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400V, 10A, 23ohm, 15V 62 ns 도랑 600 v 20 a 30 a 2.1V @ 15V, 10A - 64 NC 14ns/192ns
STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics STGB10NC60KDT4 1.6300
RFQ
 ECAD 6371 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STGB10 기준 65 w D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 390V, 5A, 10ohm, 15V 22 ns - 600 v 20 a 30 a 2.5V @ 15V, 5A 55µJ (on), 85µJ (OFF) 19 NC 17ns/72ns
FS400R07A1E3S7BOMA1 Infineon Technologies FS400R07A1E3S7BOMA1 360.8100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 인피온 인피온 Hybridpack ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS400R07 1250 w 3 정류기 정류기 브리지 ag-hybrid1-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 16 전체 전체 인버터 트렌치 트렌치 정지 705 v 500 a 1.7V @ 15V, 400A 100 µa 예 28 nf @ 25 v
FGA30N65SMD Fairchild Semiconductor fga30n65smd 2.1100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 fga30n65 기준 300 w 3pn 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 400V, 30A, 6ohm, 15V 35 ns 현장 현장 650 v 60 a 90 a 2.5V @ 15V, 30A 716µJ (ON), 208µJ (OFF) 87 NC 14ns/102ns
SIGC25T60SNCX1SA2 Infineon Technologies SIGC25T60SNCX1SA2 -
RFQ
 ECAD 6401 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC25 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 400V, 30A, 11ohm, 15V NPT 600 v 30 a 90 a 2.5V @ 15V, 30A - 44ns/324ns
IRG7PH35UD1MPBF International Rectifier irg7ph35ud1mpbf 2.9700
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 irg7ph35 기준 179 w TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 600V, 20A, 10ohm, 15V 도랑 1200 v 50 a 150 a 2.2V @ 15V, 20A 620µJ (OFF) 130 NC -/160ns
VIO125-12P1 IXYS VIO125-12P1 -
RFQ
 ECAD 2914 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Eco-PAC2 vio 568 w 기준 Eco-PAC2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 하나의 NPT 1200 v 138 a 3.4V @ 15V, 125A 5 MA 아니요 5.5 NF @ 25 v
NGTB20N120LWG onsemi NGTB20N120LWG -
RFQ
 ECAD 2411 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NGTB20 기준 192 w TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 20A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 1200 v 40 a 200a 2.2V @ 15V, 20A 3.1mj (on), 700µJ (OFF) 200 NC 86ns/235ns
NTE3300 NTE Electronics, Inc NTE3300 7.1600
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 기준 30 w TO-220 팩 풀 다운로드 rohs 비준수 2368-NTE3300 귀 99 8541.29.0095 1 - - 400 v 10 a 130 a 8V @ 20V, 130A - 150ns/450ns
IRG4BC30KDPBF International Rectifier irg4bc30kdpbf -
RFQ
 ECAD 4960 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 100 W. TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 480V, 16A, 23OHM, 15V 42 ns - 600 v 28 a 56 a 2.7V @ 15V, 16A 600µJ (on), 580µJ (OFF) 67 NC 60ns/160ns
IRG8CH10K10F Infineon Technologies irg8ch10k10f -
RFQ
 ECAD 1362 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 irg8ch 기준 주사위 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 SP001537442 쓸모없는 0000.00.0000 1 600V, 5A, 47ohm, 15V - 1200 v 2V @ 15V, 5A - 30 NC 20ns/160ns
SIGC15T60SEX7SA1 Infineon Technologies SIGC15T60SEX7SA1 -
RFQ
 ECAD 2648 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC15 기준 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 - 트렌치 트렌치 정지 600 v 30 a 90 a 2.05V @ 15V, 30A - -
IXBF50N360 IXYS IXBF50N360 110.4140
RFQ
 ECAD 8557 0.00000000 ixys Bimosfet ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 i4 -pac ™ -5 (3 리드) IXBF50 기준 290 W. Isoplus i4-Pac ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 960v, 50a, 5ohm, 15v 1.7 µs - 3600 v 70 a 420 a 2.9V @ 15V, 50A - 210 NC 46NS/205NS
STGP3HF60HD STMicroelectronics STGP3HF60HD 1.1700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STGP3 기준 38 w TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 1.5A, 100ohm, 15V 85 ns - 600 v 7.5 a 18 a 2.95V @ 15V, 1.5A 19µJ (on), 12µJ (OFF) 12 NC 11ns/60ns
APTGT200A120G Microchip Technology APTGT200A120G 235.4600
RFQ
 ECAD 7485 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTGT200 890 W. 기준 SP6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v 280 a 2.1V @ 15V, 200a 350 µA 아니요 14 nf @ 25 v
APT20GT60BRG Microchip Technology APT20GT60BRG -
RFQ
 ECAD 7819 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Thunderbolt IGBT® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT20GT60 기준 174 w TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 20A, 5ohm, 15V NPT 600 v 43 a 80 a 2.5V @ 15V, 20A 215µJ (on), 245µJ (OFF) 100 NC 8ns/80ns
IXYH16N170CV1 IXYS IXYH16N170CV1 14.2600
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 ixys XPT ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXYH16 기준 310 w TO-247 (IXYH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 850V, 16A, 10ohm, 15V 150 ns - 1700 v 40 a 100 a 3.8V @ 15V, 16A 2.1mj (on), 1.5mj (OFF) 56 NC 11ns/140ns
APTGT50SK120TG Microchip Technology APTGT50SK120TG 83.4000
RFQ
 ECAD 6175 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP4 APTGT50 277 w 기준 SP4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 트렌치 트렌치 정지 1200 v 75 a 2.1V @ 15V, 50A 250 µA 예 3.6 NF @ 25 v
IXGT30N60B2 IXYS IXGT30N60B2 -
RFQ
 ECAD 8254 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXGT30 기준 190 w TO-268AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 24A, 5ohm, 15V Pt 600 v 70 a 150 a 1.8V @ 15V, 24A 320µJ (OFF) 66 NC 13ns/110ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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