SIC
close

IGBTS (8343)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 테스트 테스트 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
VS-GT75LP120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT75LP120N -
RFQ
 ECAD 6088 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 int-a-pak GT75 543 w 기준 int-a-pak - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 24 반 반 - 1200 v 150 a 2.35V @ 15V, 75A 5 MA 아니요 5.52 NF @ 25 v
IXGR45N120 IXYS IXGR45N120 -
RFQ
 ECAD 4670 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGR45 기준 ISOPLUS247 ™ - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 - - 1200 v 90 a - - -
IRG8P40N120KDPBF International Rectifier IRG8P40N120KDPBF 5.1400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 국제 국제 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 305 w TO-247AC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 600V, 25A, 10ohm, 15V 80 ns - 1200 v 60 a 75 a 2V @ 15V, 25A 1.6mj (on), 1.8mj (Off) 240 NC 40ns/245ns
STGB20NB32LZ STMicroelectronics STGB20NB32LZ -
RFQ
 ECAD 3659 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STGB20 기준 150 W. D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 250V, 20A, 1KOHM, 4.5V - 375 v 40 a 80 a 2V @ 4.5V, 20A 11.8mj (OFF) 51 NC 2.3µs/11.5µs
CM50TU-24H Powerex Inc. CM50TU-24H -
RFQ
 ECAD 6545 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 400 W. 기준 기준 기준 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 - 1200 v 50 a 3.7V @ 15V, 50A 1 MA 아니요 7.5 NF @ 10 v
APTGT30TL601G Microchip Technology aptgt30tl601g 56.5400
RFQ
 ECAD 5616 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP1 APTGT30 90 W. 기준 SP1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 3 레벨 인버터 트렌치 트렌치 정지 600 v 50 a 1.9V @ 15V, 30A 250 µA 아니요 1.6 NF @ 25 v
MIXA81WB1200TEH IXYS Mixa81WB1200TEH -
RFQ
 ECAD 7604 0.00000000 ixys - 상자 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 E3 Mixa81 390 W. 3 정류기 정류기 브리지 E3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5 브레이크가있는 3 인버터 단계 Pt 1200 v 120 a 2.1V @ 15V, 75A 200 µA 예
SIGC15T60EX1SA1 Infineon Technologies SIGC15T60EX1SA1 -
RFQ
 ECAD 7806 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC15 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 - 트렌치 트렌치 정지 600 v 30 a 90 a 1.9V @ 15V, 30A - -
HGT1S20N36G3VLS Fairchild Semiconductor HGT1S20N36G3VLS 1.8700
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 논리 150 W. TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 800 300V, 10A, 25ohm, 5V - 415 v 37.7 a 1.9V @ 5V, 20A - 28.7 NC -/15µs
RGW00TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGW00TS65DGC11 6.5400
RFQ
 ECAD 4307 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGW00 기준 254 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 400V, 50A, 10ohm, 15V 95 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 96 a 200a 1.9V @ 15V, 50A 1.18mj (on), 960µj (OFF) 141 NC 52ns/180ns
FMG2G400LS60 onsemi FMG2G400LS60 -
RFQ
 ECAD 9522 0.00000000 온세미 - 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 오후 7 ia -IA FMG2 1136 w 기준 오후 7 ia -IA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 반 반 - 600 v 400 a 1.8V @ 15V, 400A 250 µA 아니요
VDI25-06P1 IXYS VDI25-06P1 -
RFQ
 ECAD 5858 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Eco-PAC2 VDI 82 W. 기준 Eco-PAC2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 하나의 NPT 600 v 24.5 a 2.9V @ 15V, 25A 600 µA 예 8 nf @ 25 v
VS-20MT120UFP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20MT120UFP -
RFQ
 ECAD 4450 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 16MTP 모듈 20mt120 240 W. 기준 MTP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs20mt120ufp 귀 99 8541.29.0095 105 전체 전체 인버터 NPT 1200 v 40 a 4.66V @ 15V, 40A 250 µA 아니요 3.79 NF @ 30 v
IRGS4630DPBF Infineon Technologies IRGS4630DPBF -
RFQ
 ECAD 2681 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 206 w D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 18A, 22OHM, 15V 100 ns - 600 v 47 a 54 a 1.95V @ 15V, 18A 95µJ (on), 350µJ (OFF) 35 NC 40ns/105ns
APTGT35DA120D1G Microsemi Corporation APTGT35DA120D1G -
RFQ
 ECAD 6218 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 D1 205 w 기준 D1 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 트렌치 트렌치 정지 1200 v 55 a 2.1V @ 15V, 35A 5 MA 아니요 2.5 NF @ 25 v
IRGR4610DTRPBF Infineon Technologies irgr4610dtrpbf -
RFQ
 ECAD 1054 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 기준 77 w PG-to252-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 400V, 6A, 47ohm, 15V 74 ns - 600 v 16 a 18 a 2V @ 15V, 6A 56µJ (on), 122µJ (OFF) 13 NC 27ns/75ns
IRG4IBC30KDPBF International Rectifier irg4ibc30kdpbf 2.1000
RFQ
 ECAD 2251 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 기준 45 W. to220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 125 480V, 16A, 23OHM, 15V 42 ns - 600 v 17 a 34 a 2.7V @ 15V, 16A 600µJ (on), 580µJ (OFF) 100 NC 60ns/160ns
SKW30N60FKSA1 Infineon Technologies skw30n60fksa1 7.4959
RFQ
 ECAD 5174 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 skw30n 기준 250 W. PG-to247-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 11ohm, 15V 400 ns NPT 600 v 41 a 112 a 2.4V @ 15V, 30A 1.29mj 140 NC 44ns/291ns
IXGT50N90B2 IXYS IXGT50N90B2 -
RFQ
 ECAD 1007 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXGT50 기준 400 W. TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 720v, 50a, 5ohm, 15v Pt 900 v 75 a 200a 2.7V @ 15V, 50A 4.7mj (OFF) 135 NC 20ns/350ns
STGP15H60DF STMicroelectronics STGP15H60DF 2.1700
RFQ
 ECAD 8067 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STGP15 기준 115 w TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 15a, 10ohm, 15V 103 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 30 a 60 a 2V @ 15V, 15a 136µJ (on), 207µJ (OFF) 81 NC 24.5ns/118ns
IXXX200N65B4 IXYS IXXX200N65B4 27.2000
RFQ
 ECAD 868 0.00000000 ixys Genx4 ™, XPT ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXXX200 기준 1150 w Plus247 ™ -3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 100A, 1ohm, 15V Pt 650 v 370 a 1000 a 1.7V @ 15V, 160A 4.4mj (on), 2.2mj (OFF) 553 NC 62ns/245ns
IXST45N120B IXYS IXST45N120B -
RFQ
 ECAD 9045 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXST45 기준 300 w TO-268AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 960V, 45A, 5ohm, 15V Pt 1200 v 75 a 180 a 3V @ 15V, 45A 13MJ (OFF) 120 NC 36ns/360ns
FF650R17IE4DB2BOSA1 Infineon Technologies FF650R17IE4DB2BOSA1 597.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Primepack ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF650R17 4150 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3 2 독립 - 1700 v 2.45V @ 15V, 650A 5 MA 예 54 NF @ 25 v
IKD10N60RF Infineon Technologies ikd10n60rf -
RFQ
 ECAD 4626 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 기준 150 W. PG-to252-3-313 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 400V, 10A, 26OHM, 15V 72 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 20 a 30 a 2.5V @ 15V, 10A 190µJ (on), 160µJ (OFF) 64 NC 12ns/168ns
IRG4BC20KDSTRLP-IR International Rectifier irg4bc20kdstrlp-ir -
RFQ
 ECAD 8822 0.00000000 국제 국제 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 60 W. D2PAK 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3 480V, 9A, 50ohm, 15V 37 ns - 600 v 16 a 32 a 2.8V @ 15V, 9A 340µJ (ON), 300µJ (OFF) 34 NC 54ns/180ns
IGZ50N65H5XKSA1 Infineon Technologies IGZ50N65H5XKSA1 4.5858
RFQ
 ECAD 3918 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 5 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IGZ50N65 기준 273 w PG-to247-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 400V, 25A, 12ohm, 15V 도랑 650 v 85 a 200a 2.1V @ 15V, 50A 410µJ (on), 190µJ (OFF) 109 NC 20ns/250ns
IRG7U100HF12B Infineon Technologies IRG7U100HF12B -
RFQ
 ECAD 5276 0.00000000 인피온 인피온 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Powir® 62 2 irg7U 580 W. 기준 Powir® 62 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 반 반 - 1200 v 200a 2V @ 15V, 100A 1 MA 아니요 12.5 nf @ 25 v
FGPF70N30TDTU onsemi fgpf70n30tdtu -
RFQ
 ECAD 7458 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FGPF7 기준 49.2 w TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 - 21 ns 도랑 300 v 160 a 1.5V @ 15V, 20A - 125 NC -
DDB6U50N16W1RPBPSA1 Infineon Technologies DDB6U50N16W1RPBPSA1 67.0000
RFQ
 ECAD 7042 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 DDB6U50 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Easy1b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 단일 단일 트렌치 트렌치 정지 1200 v 50 a 1.5V @ 15V, 50A 6.2 µA 아니요 11.1 NF @ 25 v
IXYH100N65A3 IXYS IXYH100N65A3 18.0973
RFQ
 ECAD 3941 0.00000000 ixys XPT ™, GenX3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXYH100 기준 470 W. TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 2ohm, 15V 64 ns - 650 v 240 a 480 a 1.8V @ 15V, 70A 3.15mj (on), 2.2mj (OFF) 178 NC 24ns/174ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다