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IGBTS (8343)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 테스트 테스트 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
IRG7PH42UDPBF Infineon Technologies irg7ph42udpbf -
RFQ
 ECAD 2736 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 irg7ph 기준 320 w TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001537274 귀 99 8541.29.0095 400 600V, 30A, 10ohm, 15V 153 ns 도랑 1200 v 85 a 90 a 2V @ 15V, 30A 2.11mj (on), 1.18mj (OFF) 157 NC 25ns/229ns
AUXTMGPS4070D1 Infineon Technologies auxtmgps4070d1 -
RFQ
 ECAD 3650 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모 쓸모 - autxmgps - - 영향을받지 영향을받지 448-auxtmgps4070d1 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - -
FD800R17KE3B2NOSA1 Infineon Technologies FD800R17KE3B2NOSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 1173 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FD800R17 5200 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 단일 단일 - 1700 v 1200 a 2.45V @ 15V, 800A 5 MA 아니요 72 NF @ 25 v
FF600R12KE4BOSA1 Infineon Technologies FF600R12KE4BOSA1 313.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 기음 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF600R12 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v 600 a 2.2V @ 15V, 600A 5 MA 아니요 38 NF @ 25 v
VS-GT100TS065S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT100TS065S 85.9800
RFQ
 ECAD 5207 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 상자 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 517 w 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 112-VS-GT100TS065S 15 하프 하프 인버터 도랑 650 v 247 a 100 µa 아니요
FS770R08A6P2LBBPSA1 Infineon Technologies FS770R08A6P2LBBPSA1 511.1183
RFQ
 ECAD 2751 0.00000000 인피온 인피온 Hybridpack ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS770R08 654 w 기준 Ag-Hybridd-1 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 750 v 450 a 1.35V @ 15V, 450A 1 MA 예 80 nf @ 50 v
FGPF50N33BTTU onsemi FGPF50N33BTTU -
RFQ
 ECAD 6867 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모 쓸모 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FGPF5 기준 43 W. TO-220F-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 - 도랑 330 v 50 a 160 a 1.5V @ 15V, 20A - 35 NC -
STGW100H65FB2-4 STMicroelectronics STGW100H65FB2-4 8.8500
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 stmicroelectronics HB2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 STGW100 기준 441 w TO-247-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-STGW100H65FB2-4 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 100A, 3.3OHM, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 145 a 300 a 1.8V @ 15V, 100A 1.06mj (on), 1.14mj (OFF) 288 NC 23ns/141ns
IKW40N65ET7XKSA1 Infineon Technologies IKW40N65ET7XKSA1 5.8500
RFQ
 ECAD 2051 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, TrenchStop ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IKW40N65 기준 230.8 w PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 10ohm, 15V 85 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 76 a 120 a 1.65V @ 15V, 40A 1.05mj (on), 590µJ (OFF) 235 NC 20ns/310ns
SIGC156T60NR2CX1SA2 Infineon Technologies SIGC156T60NR2CX1SA2 -
RFQ
 ECAD 7925 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC156 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 300V, 200a, 1.5ohm, 15V NPT 600 v 200a 600 a 2.5V @ 15V, 200a - 180ns/285ns
SIGC07T60SNCX1SA4 Infineon Technologies SIGC07T60SNCX1SA4 -
RFQ
 ECAD 7207 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC07 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 400V, 6A, 50ohm, 15V NPT 600 v 6 a 18 a 2.5V @ 15V, 6A - 24ns/248ns
SIGC05T60SNCX7SA2 Infineon Technologies SIGC05T60SNCX7SA2 -
RFQ
 ECAD 7719 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC05 기준 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 400V, 4A, 67OHM, 15V NPT 600 v 4 a 12 a 2.5V @ 15V, 4A - 22ns/264ns
SIGC06T60EX7SA1 Infineon Technologies SIGC06T60EX7SA1 -
RFQ
 ECAD 2696 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC06 기준 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 - 트렌치 트렌치 정지 600 v 10 a 30 a 1.9V @ 15V, 10A - -
SIGC25T60UNX7SA1 Infineon Technologies SIGC25T60UNX7SA1 -
RFQ
 ECAD 5193 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC25 기준 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 400V, 30A, 1.8ohm, 15V NPT 600 v 30 a 90 a 3.15V @ 15V, 30A - 16ns/122ns
SIGC76T60R3EX7SA1 Infineon Technologies SIGC76T60R3EX7SA1 -
RFQ
 ECAD 7492 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC76 기준 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 - 트렌치 트렌치 정지 600 v 150 a 450 a 1.9V @ 15V, 150A - -
SIGC14T60NCX7SA2 Infineon Technologies SIGC14T60NCX7SA2 -
RFQ
 ECAD 7782 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC14 기준 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 300V, 15a, 18ohm, 15V NPT 600 v 15 a 45 a 2.5V @ 15V, 15a - 21ns/110ns
SIGC18T60NCX1SA5 Infineon Technologies SIGC18T60NCX1SA5 -
RFQ
 ECAD 9698 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC18 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 300V, 20A, 13ohm, 15V NPT 600 v 20 a 60 a 2.5V @ 15V, 20A - 21ns/110ns
SIGC14T60NCX7SA1 Infineon Technologies SIGC14T60NCX7SA1 -
RFQ
 ECAD 7154 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC14 기준 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 300V, 15a, 18ohm, 15V NPT 600 v 15 a 45 a 2.5V @ 15V, 15a - 21ns/110ns
SIGC12T60SNCX1SA2 Infineon Technologies SIGC12T60SNCX1SA2 -
RFQ
 ECAD 1844 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC12 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 400V, 10A, 25ohm, 15V NPT 600 v 10 a 30 a 2.5V @ 15V, 10A - 29ns/266ns
SIGC54T60R3EX1SA2 Infineon Technologies SIGC54T60R3EX1SA2 -
RFQ
 ECAD 9263 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC54 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 - 트렌치 트렌치 정지 600 v 100 a 300 a 1.85V @ 15V, 100A - -
SIGC12T60SNCX1SA4 Infineon Technologies SIGC12T60SNCX1SA4 -
RFQ
 ECAD 8135 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC12 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 400V, 10A, 25ohm, 15V NPT 600 v 10 a 30 a 2.5V @ 15V, 10A - 29ns/266ns
SIGC18T60SNCX1SA3 Infineon Technologies SIGC18T60SNCX1SA3 -
RFQ
 ECAD 7979 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC18 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 400V, 20A, 16ohm, 15V NPT 600 v 20 a 60 a 2.5V @ 15V, 20A - 36ns/250ns
SIGC25T60SNCX7SA1 Infineon Technologies SIGC25T60SNCX7SA1 -
RFQ
 ECAD 2513 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC25 기준 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 400V, 30A, 11ohm, 15V NPT 600 v 30 a 90 a 2.5V @ 15V, 30A - 44ns/324ns
SIGC18T60SNCX7SA1 Infineon Technologies SIGC18T60SNCX7SA1 -
RFQ
 ECAD 2544 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC18 기준 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 400V, 20A, 16ohm, 15V NPT 600 v 20 a 60 a 2.5V @ 15V, 20A - 36ns/250ns
SIGC15T60EX7SA1 Infineon Technologies SIGC15T60EX7SA1 -
RFQ
 ECAD 1753 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 - - - SIGC15 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 - - - - -
SIGC25T60NCX1SA7 Infineon Technologies SIGC25T60NCX1SA7 -
RFQ
 ECAD 9389 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC25 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 300V, 30A, 8.2OHM, 15V NPT 600 v 30 a 90 a 2.5V @ 15V, 30A - 21ns/110ns
SIGC42T60NCX7SA1 Infineon Technologies SIGC42T60NCX7SA1 -
RFQ
 ECAD 5540 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 주사위 SIGC42T60 기준 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 300V, 50A, 3.3OHM, 15V NPT 600 v 50 a 150 a 2.5V @ 15V, 50A - 43ns/130ns
SIGC14T60SNCX1SA2 Infineon Technologies SIGC14T60SNCX1SA2 -
RFQ
 ECAD 5645 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC14 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 400V, 15a, 21ohm, 15V NPT 600 v 15 a 45 a 2.5V @ 15V, 15a - 31ns/261ns
SIGC25T60UNX1SA2 Infineon Technologies SIGC25T60UNX1SA2 -
RFQ
 ECAD 3512 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC25 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 400V, 30A, 1.8ohm, 15V NPT 600 v 30 a 90 a 3.15V @ 15V, 30A - 16ns/122ns
RGT50TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGT50TS65DGC11 2.5127
RFQ
 ECAD 8936 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGT50 기준 174 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGT50TS65DGC11 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 25A, 10ohm, 15V 58 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 48 a 75 a 2.1V @ 15V, 25A - 49 NC 27ns/88ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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