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IGBTS (8343)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 테스트 테스트 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
APT100GN120B2G Microchip Technology APT100GN120B2G 29.4600
RFQ
 ECAD 7446 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 APT100 기준 960 w 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 800V, 100A, 1ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 1200 v 245 a 300 a 2.1V @ 15V, 100A 11mj (on), 9.5mj (OFF) 540 NC 50ns/615ns
IXGH38N60 IXYS IXGH38N60 -
RFQ
 ECAD 5428 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGH38 기준 200 w TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 480V, 38A, 10ohm, 15V - 600 v 76 a 152 a 1.8V @ 15V, 38A 9MJ (OFF) 125 NC 30ns/600ns
FF650R17IE4BOSA1 Infineon Technologies FF650R17IE4BOSA1 479.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Primepack ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF650R17 4150 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3 2 독립 - 1700 v 2.45V @ 15V, 650A 5 MA 예 54 NF @ 25 v
IXA4IF1200UC-TRL IXYS IXA4IF1200UC-TRL 1.5525
RFQ
 ECAD 7009 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IXA4IF1200 기준 45 W. TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 600V, 3A, 330ohm, 15V 350 ns Pt 1200 v 9 a 2.1V @ 15V, 3A 400µJ (on), 300µJ (OFF) 12 NC -
FF300R12KE4HOSA1 Infineon Technologies FF300R12KE4HOSA1 163.1100
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 인피온 인피온 기음 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF300R12 1600 W. 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1200 v 460 a 2.15V @ 15V, 300A 5 MA 예 19 nf @ 25 v
AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies AIKB20N60CTATMA1 4.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, TrenchStop ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB AIKB20 기준 156 w PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 600V, 20A, 12ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 600 v 40 a 60 a 2.05V @ 15V, 20A 310µJ (on), 460µJ (OFF) 120 NC 18ns/199ns
IKZ50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies IKZ50N65EH5XKSA1 7.3100
RFQ
 ECAD 1144 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 5 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IKZ50N65 기준 273 w PG-to247-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 25A, 12ohm, 15V 53 ns 도랑 650 v 85 a 200a 2.1V @ 15V, 50A 410µJ (on), 190µJ (OFF) 109 NC 20ns/250ns
GSID150A120T2C1 SemiQ GSID150A120T2C1 -
RFQ
 ECAD 8663 0.00000000 세미크 AMP+™ 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 GSID150 1087 w 3 정류기 정류기 브리지 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 3 3 단계 인버터 - 1200 v 285 a 2.1V @ 15V, 150A 1 MA 예 21.2 NF @ 25 v
DGTD120T25S1PT Diodes Incorporated DGTD120T25S1PT 5.0301
RFQ
 ECAD 1098 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 DGTD120 기준 348 w TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 450 600V, 25A, 23OHM, 15V 100 ns 현장 현장 1200 v 50 a 100 a 2.4V @ 15V, 25A 1.44mj (on), 550µJ (OFF) 204 NC 73ns/269ns
IRG4PSH71U Infineon Technologies irg4psh71u -
RFQ
 ECAD 7599 0.00000000 인피온 인피온 - 가방 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-274AA 기준 350 w Super-247 ™ (TO-274AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRG4PSH71U 귀 99 8541.29.0095 25 960V, 70A, 5ohm, 15V - 1200 v 99 a 200a 2.7V @ 15V, 70A 4.77mj (on), 9.54mj (OFF) 370 NC 51ns/280ns
IXLF19N250A IXYS IXLF19N250A 53.4800
RFQ
 ECAD 2076 0.00000000 ixys - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 i4 -pac ™ -5 (3 리드) IXLF19 기준 250 W. Isoplus i4-Pac ™ 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 1500v, 19a, 47ohm, 15v NPT 2500 v 32 a 3.9V @ 15V, 19a 15mj (on), 30mj (Off) 142 NC -
IKD04N60RBTMA1 Infineon Technologies IKD04N60RBTMA1 -
RFQ
 ECAD 2596 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 기준 75 w PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400V, 4A, 43OHM, 15V 43 ns 도랑 600 v 8 a 12 a 2.1V @ 15V, 4A 240µJ 27 NC 14ns/146ns
HGT1S14N36G3VLT onsemi HGT1S14N36G3VLT -
RFQ
 ECAD 7218 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA HGT1S14 논리 100 W. I2PAK (TO-262) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 300V, 7A, 25ohm, 5V - 390 v 18 a 2.2V @ 5V, 14a - 24 NC -/7µs
MG06100S-BN4MM Littelfuse Inc. MG06100S-BN4mm -
RFQ
 ECAD 7510 0.00000000 Littelfuse Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 S-3 모듈 330 w 기준 S3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 반 반 - 600 v 125 a 1.9V @ 15V, 100A 1 MA 아니요 6.2 NF @ 25 v
APTGT100DU120TG Microchip Technology APTGT100DU120TG 127.2500
RFQ
 ECAD 5587 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP4 APTGT100 480 W. 기준 SP4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 이중, 소스 일반적인 트렌치 트렌치 정지 1200 v 140 a 2.1V @ 15V, 100A 250 µA 예 7.2 NF @ 25 v
RJH60D1DPP-E0#T2 Renesas RJH60D1DPP-E0#T2 1.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 기준 30 w TO-220FP - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RJH60D1DPP-E0#T2 귀 99 8541.29.0095 1 300V, 10A, 5ohm, 15V 70 ns 도랑 600 v 20 a 2.5V @ 15V, 10A 100µJ (on), 130µJ (OFF) 13 NC 30ns/42ns
FZ1800R12HP4B9HOSA2 Infineon Technologies FZ1800R12HP4B9HOSA2 1.0000
RFQ
 ECAD 4603 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FZ1800 10500 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 단일 단일 도랑 1200 v 2700 a 2.05V @ 15V, 1800A 5 MA 아니요 110 NF @ 25 v
IRG4P254SPBF Infineon Technologies IRG4P254SPBF -
RFQ
 ECAD 1827 0.00000000 인피온 인피온 - 가방 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRG4P254 기준 200 w TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRG4P254SPBF 귀 99 8541.29.0095 25 200V, 55A, 5ohm, 15V - 250 v 98 a 196 a 1.5V @ 15V, 55A 380µJ (on), 3.5mj (OFF) 200 NC 40ns/270ns
RGT8NS65DGC9 Rohm Semiconductor RGT8NS65DGC9 2.2100
RFQ
 ECAD 965 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA RGT8NS65 기준 65 w TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 4A, 50ohm, 15V 40 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 8 a 12 a 2.1V @ 15V, 4A - 13.5 NC 17ns/69ns
IRGP4263D-EPBF Infineon Technologies IRGP4263D-EPBF -
RFQ
 ECAD 2574 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 325 w TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 400V, 48A, 10ohm, 15V 170 ns - 650 v 90 a 192 a 2.1V @ 15V, 48A 2.9mj (on), 1.4mj (OFF) 145 NC 70ns/140ns
IRGP4740D-EPBF International Rectifier IRGP4740D-EPBF 2.5700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 250 W. TO-247AD 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 400V, 24A, 10ohm, 15V 170 ns - 650 v 60 a 72 a 2V @ 15V, 24A 520µJ (on), 240µJ (OFF) 70 NC 24ns/73ns
APTGT450DA60G Microchip Technology APTGT450DA60G 197.0100
RFQ
 ECAD 4013 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTGT450 1750 w 기준 SP6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 트렌치 트렌치 정지 600 v 550 a 1.8V @ 15V, 450A 500 µA 아니요 37 NF @ 25 v
NGTD13T65F2WP onsemi NGTD13T65F2WP 1.8841
RFQ
 ECAD 7678 0.00000000 온세미 - 대부분 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 NGTD13 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2832-NGTD13T65F2WP 귀 99 8541.29.0095 1 - 트렌치 트렌치 정지 650 v 120 a 2.2V @ 15V, 30A - -
RJH60D2DPP-E0#T2 Renesas Electronics America Inc RJH60D2DPP-E0#T2 2.4400
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1
IRG7PK42UD1-EPBF Infineon Technologies irg7pk42ud1-epbf -
RFQ
 ECAD 5086 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 irg7pk 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 SP001540690 쓸모없는 0000.00.0000 1
F3L400R07W3S5B59BPSA1 Infineon Technologies F3L400R07W3S5B59BPSA1 176.3000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 F3L400 20 MW 기준 Ag-Easy3b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 8 3 레벨 인버터 트렌치 트렌치 정지 650 v 255 a 1.13V @ 15V, 100A 19 µA 예 14.3 NF @ 25 v
FZ400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies Fz400R12KE3HOSA1 146.4500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FZ400R12 2250 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 - 1200 v 650 a 2.15V @ 15V, 400A 5 MA 아니요 28 nf @ 25 v
IKD04N60R Infineon Technologies IKD04N60R -
RFQ
 ECAD 2732 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IKD04N 기준 75 w PG-to252-3-11 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400V, 4A, 43OHM, 15V 43 ns 도랑 600 v 8 a 12 a 2.1V @ 15V, 4A 240µJ 27 NC 14ns/146ns
NGTB30N60IHLWG onsemi ngtb30n60ihlwg -
RFQ
 ECAD 5790 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NGTB30 기준 250 W. TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10ohm, 15V 400 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 60 a 150 a 2.3V @ 15V, 30A 280µJ (OFF) 130 NC 70ns/140ns
IRG4BC20FD-S Infineon Technologies IRG4BC20FD-S -
RFQ
 ECAD 8657 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 60 W. D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRG4BC20FD-S 귀 99 8541.29.0095 50 480V, 9A, 50ohm, 15V 37 ns - 600 v 16 a 64 a 2V @ 15V, 9A 250µJ (on), 640µJ (OFF) 27 NC 43ns/240ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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