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IGBTS (8343)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 테스트 테스트 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
BSM100GD60DLCBDLA1 Infineon Technologies BSM100GD60DLCBDLA1 -
RFQ
 ECAD 2405 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 BSM100 430 w 기준 기준 기준 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 전체 전체 - 600 v 130 a 2.45V @ 15V, 100A 500 µA 아니요 4.3 NF @ 25 v
FS820R08A6P2BPSA1 Infineon Technologies FS820R08A6P2BPSA1 682.5000
RFQ
 ECAD 5956 0.00000000 인피온 인피온 Hybridpack ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS820R08 714 w 기준 Ag-Hybridd-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 750 v 820 a 1.35V @ 15V, 450A 1 MA 예 80 nf @ 50 v
APT30GF60JU2 Microchip Technology APT30GF60JU2 -
RFQ
 ECAD 6554 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 동위 동위 192 w 기준 SOT-227 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 NPT 600 v 58 a 2.5V @ 15V, 30A 40 µA 아니요 1.85 NF @ 25 v
AOD6B65MQ1E Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD6B65MQ1E 0.4499
RFQ
 ECAD 3254 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphaigbt ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD6 기준 96 W. TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-aod6b65mq1etr 귀 99 8541.29.0095 2,500 400V, 6A, 50ohm, 15V 81 ns - 650 v 12 a 18 a 2.4V @ 15V, 6A 110µJ (on), 80µJ (OFF) 13.5 NC 9ns/91ns
FP35R12KT4B11BPSA1 Infineon Technologies FP35R12KT4B11BPSA1 121.5700
RFQ
 ECAD 4470 0.00000000 인피온 인피온 Econopim ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FP35R12 210 W. 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Econo2b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 35 a 2.15V @ 15V, 35A 1 MA 예 2 NF @ 25 v
APTGT100H120G Microchip Technology APTGT100H120G 247.6700
RFQ
 ECAD 2258 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTGT100 480 W. 기준 SP6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 전체 전체 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 140 a 2.1V @ 15V, 100A 250 µA 아니요 7.2 NF @ 25 v
APT40GR120S Microchip Technology APT40GR120 8.4800
RFQ
 ECAD 1513 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB APT40GR120 기준 500 W. d3pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 600V, 40A, 4.3OHM, 15V NPT 1200 v 88 a 160 a 3.2V @ 15V, 40A 1.38mj (on), 906µJ (OFF) 210 NC 22ns/163ns
STGB20NB41LZT4 STMicroelectronics STGB20NB41LZT4 3.8700
RFQ
 ECAD 2349 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STGB20 기준 200 w D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 320V, 20A, 1KOHM, 5V - 442 v 40 a 80 a 2V @ 4.5V, 20A 5mj (on), 12.9mj (Off) 46 NC 1µs/12.1µs
IXYQ30N65B3D1 IXYS IXYQ30N65B3D1 -
RFQ
 ECAD 6676 0.00000000 ixys genx3 ™, xpt ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXYQ30 기준 270 W. to-3p - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-ixyq30n65b3d1 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10ohm, 15V 38 ns Pt 650 v 70 a 160 a 2.1V @ 15V, 30A 830µJ (on), 640µJ (OFF) 45 NC 17ns/87ns
IRG7PH30K10PBF Infineon Technologies irg7ph30k10pbf -
RFQ
 ECAD 1297 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 irg7ph 기준 210 W. TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001537520 귀 99 8541.29.0095 25 600V, 9A, 22OHM, 15V 도랑 1200 v 33 a 27 a 2.35V @ 15V, 9A 530µJ (on), 380µJ (OFF) 45 NC 14ns/110ns
STGW40H65FB STMicroelectronics STGW40H65FB 4.1100
RFQ
 ECAD 596 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGW40 기준 283 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 5ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 80 a 160 a 2.3V @ 15V, 40A 498mj (on), 363mj (Off) 210 NC 40ns/142ns
MMIX4B22N300 IXYS MMIX4B22N300 121.2200
RFQ
 ECAD 5092 0.00000000 ixys Bimosfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 24-smd 모듈, 9 개의 리드 MMIX4B22 150 W. 기준 24-SMPD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q12641727D1 귀 99 8541.29.0095 20 전체 전체 - 3000 v 38 a 2.7V @ 15V, 22A 35 µA 아니요 2.2 NF @ 25 v
RGT40NS65DGTL Rohm Semiconductor RGT40NS65DGTL 2.7100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RGT40 기준 161 w LPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 20A, 10ohm, 15V 58 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 40 a 60 a 2.1V @ 15V, 20A - 40 NC 22ns/75ns
IRG4PSH71UD Infineon Technologies irg4psh71ud -
RFQ
 ECAD 2795 0.00000000 인피온 인피온 - 가방 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-274AA 기준 350 w Super-247 ™ (TO-274AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irg4psh71ud 귀 99 8541.29.0095 25 960V, 70A, 5ohm, 15V 110 ns - 1200 v 99 a 200a 2.7V @ 15V, 70A 8.8mj (on), 9.4mj (OFF) 380 NC 46ns/250ns
IXDH20N120 IXYS IXDH20N120 -
RFQ
 ECAD 1040 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXDH20 기준 200 w TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 20A, 82OHM, 15V NPT 1200 v 38 a 50 a 3V @ 15V, 20A 3.1mj (on), 2.4mj (OFF) 70 NC -
IKP03N120H2XKSA1 Infineon Technologies IKP03N120H2XKSA1 -
RFQ
 ECAD 1767 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IKP03N 기준 62.5 w PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 800V, 3A, 82OHM, 15V 42 ns - 1200 v 9.6 a 9.9 a 2.8V @ 15V, 3A 290µJ 22 NC 9.2ns/281ns
FF600R07ME4BPSA1 Infineon Technologies FF600R07ME4BPSA1 251.0700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF600R07 20 MW 기준 ag -에코 노드 -4 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 650 v 600 a 1.95V @ 15V, 600A 1 MA 예 37 NF @ 25 v
IRG4BC30S-S Infineon Technologies IRG4BC30S-S -
RFQ
 ECAD 1124 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 100 W. D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 480V, 18A, 23OHM, 15V - 600 v 34 a 68 a 1.6V @ 15V, 18A 260µJ (on), 3.45mj (OFF) 50 NC 22ns/540ns
IHW20N140R5LXKSA1 Infineon Technologies IHW20N140R5LXKSA1 3.2200
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30
ISL9V3040D3ST onsemi ISL9V3040D3ST 1.9600
RFQ
 ECAD 8826 0.00000000 온세미 Ecospark® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ISL9V3040 논리 150 W. TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 300V, 1KOHM, 5V - 430 v 21 a 1.6V @ 4V, 6A - 17 NC -/4.8µs
IXYH12N250C IXYS IXYH12N250C -
RFQ
 ECAD 6601 0.00000000 ixys XPT ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXYH12 기준 310 w TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 1250V, 12A, 10ohm, 15V 16 ns - 2500 v 28 a 80 a 4.5V @ 15V, 12a 3.56mj (on), 1.7mj (OFF) 56 NC 12ns/167ns
IXYF30N450 IXYS IXYF30N450 126.6800
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 ixys XPT ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 isoplusi5-pak ™ IXYF30 기준 230 w Isoplus i4-Pac ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 960V, 30A, 15ohm, 15V - 4500 v 23 a 190 a 3.9V @ 15V, 30A - 88 NC 38ns/168ns
NGTB40N60FL2WG onsemi NGTB40N60FL2WG -
RFQ
 ECAD 9645 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NGTB40 기준 366 w TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 NGTB40N60FL2WGOS 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 10ohm, 15V 72 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 80 a 160 a 2V @ 15V, 40A 970µJ (ON), 440µJ (OFF) 170 NC 84ns/177ns
APTGF250DA60D3G Microsemi Corporation APTGF250DA60D3G -
RFQ
 ECAD 4520 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 D-3 모듈 1250 w 기준 D3 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 NPT 600 v 400 a 2.45V @ 15V, 300A 500 µA 아니요 13 nf @ 25 v
FS35R12KT3BPSA1 Infineon Technologies FS35R12KT3BPSA1 101.2600
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS35R12 210 W. 기준 Ag-Econo2b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 전체 전체 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 55 a 2.15V @ 15V, 35A 5 MA 예 2.5 NF @ 25 v
SIGC10T60EX1SA5 Infineon Technologies SIGC10T60EX1SA5 -
RFQ
 ECAD 9848 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC10 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 - 트렌치 트렌치 정지 600 v 20 a 60 a 1.9V @ 15V, 20A - -
APT100GN60B2G Microchip Technology APT100GN60B2G 9.5500
RFQ
 ECAD 9368 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 APT100 기준 625 w 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 100A, 1ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 600 v 229 a 300 a 1.85V @ 15V, 100A 4.7mj (on), 2.675mj (OFF) 600 NC 31ns/310ns
FMG2G400US60 Fairchild Semiconductor FMG2G400US60 124.8000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 오후 7 ia -IA 1136 w 기준 오후 7 ia -IA 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 10 반 반 - 600 v 400 a 2.7V @ 15V, 400A 250 µA 아니요
IXST30N60B IXYS IXST30N60B -
RFQ
 ECAD 7457 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXST30 기준 200 w TO-268AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 480V, 30A, 4.7OHM, 15V Pt 600 v 55 a 110 a 2V @ 15V, 30A 1.5mj (OFF) 100 NC 30ns/150ns
IXGA16N60C2 IXYS IXGA16N60C2 -
RFQ
 ECAD 3346 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXGA16 기준 150 W. TO-263AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 12a, 22ohm, 15V Pt 600 v 40 a 100 a 3V @ 15V, 12a 160µJ (on), 90µJ (OFF) 25 NC 16ns/75ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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