- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | APT1201R6BVFRG | 18.9800 |  | 3717 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT1201 | MOSFET (금속 (() | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1200 v | 8A (TC) | 1.6ohm @ 4a, 10V | 4V @ 1MA | 230 nc @ 10 v | 3660 pf @ 25 v | - | ||||||||||||||||
 | BUK7Y25-80E/CX | - | | 9726 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | buk7 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 80 v | 39A (TC) | 10V | 25mohm @ 10a, 10V | 4V @ 1MA | 25.9 NC @ 10 v | ± 20V | 1800 pf @ 25 v | - | 95W (TC) | ||||||||||||
 | AUIRFB8405-071 | 3.2300 | | 2 | 0.00000000 | 국제 국제 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-AUIRFB8405-071-600047 | 101 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRLZ44 | - | | 8627 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRLZ44 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRLZ44 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 4V, 5V | 28mohm @ 31a, 5V | 2V @ 250µA | 66 NC @ 5 v | ± 10V | 3300 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||||||||
 | IMYH200R024M1HXKSA1 | 93.0800 | | 226 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolsic ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | IMYH200 | sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) | PG-to247-4-U04 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | n 채널 | 2000 v | 89A (TC) | 15V, 18V | 33mohm @ 40a, 18V | 5.5V @ 24MA | 137 NC @ 18 v | +20V, -7V | - | 576W (TC) | |||||||||||||
 | PMZ390Unyl | 0.4800 | | 27 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | PMZ390 | MOSFET (금속 (() | SOT-883 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 30 v | 900MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 470mohm @ 900ma, 4.5v | 950MV @ 250µA | 1.3 NC @ 4.5 v | ± 8V | 41 pf @ 15 v | - | 350MW (TA), 5.43W (TC) | ||||||||||||
 | FDS6990 9 | 0.9400 | | 6 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS6990 | MOSFET (금속 (() | 900MW (TA) | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 7.5A (TA) | 22mohm @ 7.5a, 10V | 3V @ 1mA | 16nc @ 5v | 1233pf @ 15V | - | ||||||||||||||
| TSM250NB06LDCR | 1.1455 | | 5937 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | TSM250 | MOSFET (금속 (() | 2W (TA), 48W (TC) | 8-PDFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-TSM250NB06LDCRTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 6A (TA), 29A (TC) | 25mohm @ 6a, 10V | 2.5V @ 250µA | 23NC @ 10V | 1314pf @ 30v | - | ||||||||||||||
| CG2H40010p | 63.2291 | | 6000 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | 간 | 쟁반 | 활동적인 | 120 v | 표면 표면 | 440196 | CG2H40010 | 8GHz | 헴 | 440196 | 다운로드 | 1697-CG2H40010p | 귀 99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 200 MA | 10W | 16.7dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||
 | AUIRFS8408 | 1.4000 | | 268 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS8408 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 10V | 1.6MOHM @ 100A, 10V | 3.9V @ 250µA | 324 NC @ 10 v | ± 20V | 10820 pf @ 25 v | - | 294W (TC) | ||||||||||||
 | APTM20UM03FAG | 354.3825 | | 8516 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTM20 | MOSFET (금속 (() | SP6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 580A (TC) | 10V | 3.6mohm @ 290a, 10V | 5V @ 15mA | 840 nc @ 10 v | ± 30V | 43300 pf @ 25 v | - | 2270W (TC) | ||||||||||||
 | IRF7807D1TRPBF | - | | 6177 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Fetky ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 8.3A (TA) | 4.5V | 25mohm @ 7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 17 nc @ 5 v | ± 12V | Schottky 분리 (다이오드) | 2.5W (TA) | |||||||||||||||
 | STP200N3LL | 1.5900 | | 535 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP200 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-16935 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 120A (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 60a, 10V | 2.5V @ 250µA | 53 NC @ 4.5 v | ± 20V | 5200 pf @ 25 v | - | 176.5W (TC) | |||||||||||
| 2SK2552-T1-A | 0.1500 | | 105 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | FQP19N20 | 1.6500 | | 835 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FQP19 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 19.4A (TC) | 10V | 150mohm @ 9.7a, 10V | 5V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 1600 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||
 | IAUA180N04S5N012AUMA1 | 3.0100 | | 5 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ -5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 5-powersfn | IAUA180 | MOSFET (금속 (() | PG-HSOF-5-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 180A (TC) | 7V, 10V | 1.2MOHM @ 90A, 10V | 3.4V @ 70µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 6158 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||||||||||
 | SIHB085N60EF-GE3 | 6.0200 | | 3547 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | ef | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB085 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIHB085N60EF-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 34A (TC) | 10V | 84mohm @ 17a, 10V | 5V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 30V | 2733 PF @ 100 v | - | 184W (TC) | ||||||||||||
 | NVTFS5124PLWFTWG | - | | 9591 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NVTFS5124 | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | p 채널 | 60 v | 2.4A (TA) | 4.5V, 10V | 260mohm @ 3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 6 nc @ 10 v | ± 20V | 250 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 18W (TC) | ||||||||||||
| NVTFS5820NLWFTWG | - | | 7972 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NVTFS5820 | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 11A (TA) | 4.5V, 10V | 11.5mohm @ 8.7a, 10V | 2.3V @ 250µA | 28 nc @ 10 v | ± 20V | 1462 pf @ 25 v | - | 3.2W (TA), 21W (TC) | ||||||||||||
 | ISZ106N12LM6ATMA1 | 1.9900 | | 3992 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | ISZ106 | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-8 FL | - | 1 (무제한) | 5,000 | n 채널 | 120 v | 10A (TA), 62A (TC) | 3.3V, 10V | 10.6mohm @ 28a, 10V | 2.2V @ 35µA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 1800 pf @ 60 v | - | 2.5W (TA), 94W (TC) | ||||||||||||||||
 | MCAC95N06Y-TP | 1.8300 | | 4 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MCAC95N06 | MOSFET (금속 (() | DFN5060 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-MCAC95N06Y-TPTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 95A (TC) | 4.5V, 10V | 2.5mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 250µA | 93 NC @ 10 v | ± 20V | 5950 pf @ 25 v | - | 120W (TJ) | |||||||||||
 | FQP12N60C | 1.8100 | | 4 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 166 | n 채널 | 600 v | 12A (TC) | 10V | 650mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 30V | 2290 pf @ 25 v | - | 225W (TC) | ||||||||||||||||
| R6014ynx3c16 | 3.7100 | | 9832 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | R6014 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 846-R6014YNX3C16 | 50 | n 채널 | 600 v | 14A (TC) | 10V, 12V | 260mohm @ 5a, 12v | 6V @ 1.4ma | 20 nc @ 10 v | ± 30V | 890 pf @ 100 v | - | 132W (TC) | |||||||||||||||
 | SSM6J511NU, LF | 0.5000 | | 24 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-MOSVII | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | SSM6J511 | MOSFET (금속 (() | 6-udfnb (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 14A (TA) | 9.1MOHM @ 4A, 8V | 1V @ 1mA | 47 NC @ 4.5 v | 3350 pf @ 6 v | - | |||||||||||||||
 | NVMFS5C423NLWFAFT3G | 0.8706 | | 3671 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 31A (TA), 150A (TC) | 4.5V, 10V | 2MOHM @ 50A, 10V | 2V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | 3100 pf @ 20 v | - | 3.7W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||
| SUD90330E-BE3 | 1.5800 | | 8916 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD90330 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | - | 1 (무제한) | 742-sud90330e-be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 200 v | 35.8A (TC) | 7.5V, 10V | 37.5mohm @ 12.2a, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 1172 pf @ 100 v | - | 125W (TC) | |||||||||||||
 | FDS7064N | - | | 5845 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | FDS70 | MOSFET (금속 (() | 8- flmp | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 16A (TA) | 4.5V | 7.5mohm @ 16a, 4.5v | 2V @ 250µA | 48 NC @ 4.5 v | ± 12V | 3355 pf @ 15 v | - | 3W (TA) | |||||||||||||
 | NTD4804N-1G | - | | 9955 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | NTD48 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 14.5A (TA), 124A (TC) | 4.5V, 11.5V | 4mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 40 nc @ 4.5 v | ± 20V | 4490 pf @ 12 v | - | 1.43W (TA), 107W (TC) | |||||||||||||
 | C3M0030090K | 39.7700 | | 4 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | C3M ™ | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | C3M0030090 | sicfet ((카바이드) | TO-247-4L | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 900 v | 73A (TC) | 15V | 39mohm @ 35a, 15V | 3.5v @ 11ma | 74 NC @ 15 v | +15V, -4V | 1503 pf @ 600 v | - | 240W (TC) | ||||||||||||||
 | PhD16N03T, 118 | - | | 8498 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | PhD16 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 13.1A (TC) | 10V | 100mohm @ 13a, 10V | 4V @ 1MA | 5.2 NC @ 10 v | ± 20V | 180 pf @ 30 v | - | 32.6W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)