전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
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![]() | ixfn64n50pd2 | - | ![]() | 5929 | 0.00000000 | ixys | Polarhv ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXFN64 | MOSFET (금속 (() | SOT-227B | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 500 v | 52A (TC) | 10V | 85mohm @ 32a, 10V | 5V @ 8MA | 186 NC @ 10 v | ± 30V | 11000 pf @ 25 v | - | 625W (TC) | ||||||||||||
![]() | 2N7002_L99Z | - | ![]() | 3803 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 115MA (TA) | 5V, 10V | 7.5ohm @ 500ma, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 50 pf @ 25 v | - | 200MW (TA) | ||||||||||||||
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![]() | sqja70ep-t1_be3 | 0.7500 | ![]() | 1477 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sqja70ep-t1_be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 14.7A (TC) | 10V | 95mohm @ 4a, 10V | 3.5V @ 250µA | 7 nc @ 10 v | ± 20V | 220 pf @ 25 v | - | 27W (TC) | ||||||||||||||
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![]() | FQPF32N12V2 | 1.4400 | ![]() | 83 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 120 v | 32A (TC) | 10V | 50mohm @ 16a, 10V | 4V @ 250µA | 53 NC @ 10 v | ± 30V | 1860 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||||||||||||||
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![]() | IXFC80N08 | - | ![]() | 1556 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | ISOPLUS220 ™ | IXFC80N08 | MOSFET (금속 (() | ISOPLUS220 ™ | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 80 v | 80A (TC) | 10V | 11mohm @ 40a, 10V | 4V @ 4MA | 180 NC @ 10 v | ± 20V | 4800 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | |||||||||||||
![]() | rjk1001dpp-e0#t2 | - | ![]() | 5749 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 100 v | 80A (TA) | 10V | 5.5mohm @ 40a, 10V | - | 147 NC @ 10 v | ± 20V | 10000 pf @ 10 v | - | 30W (TC) | |||||||||||||
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![]() | BF1211R, 215 | - | ![]() | 3848 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 6 v | 표면 표면 | SOT-143R | BF121 | 400MHz | MOSFET | SOT-143R | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 게이트 게이트 듀얼 | 30ma | 15 MA | - | 29db | 0.9dB | 5 v | |||||||||||||||
![]() | NDS8936 | - | ![]() | 3558 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | NDS893 | MOSFET (금속 (() | 900MW | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 5.3A | 35mohm @ 5.3a, 10V | 2.8V @ 250µA | 30NC @ 10V | 720pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||
![]() | IRFB4310ZPBF | 3.6300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFB4310 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001570588 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | n 채널 | 100 v | 120A (TC) | 10V | 6MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 6860 pf @ 50 v | - | 250W (TC) | |||||||||||
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![]() | ixfr16n120p | 21.0490 | ![]() | 8927 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXFR16 | MOSFET (금속 (() | ISOPLUS247 ™ | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1200 v | 9A (TC) | 10V | 1.04ohm @ 8a, 10V | 6.5V @ 1mA | 120 nc @ 10 v | ± 30V | 6900 pf @ 25 v | - | 230W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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