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Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AON4705L | - |  | 6387 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | AON470 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (3x2) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | p 채널 | 20 v | 4A (TA) | 1.8V, 4.5V | 65mohm @ 4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 8V | 745 pf @ 10 v | Schottky 분리 (다이오드) | 1.7W (TA) | |||||||||||||
 | IRF350 | 23.1900 | | 65 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - | 가방 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (금속 (() | TO-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 2368-IRF350 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | n 채널 | 400 v | 14A (TC) | 10V | 400mohm @ 14a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 2600 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||||||||||
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 | SI7138DP-T1-E3 | - | | 6191 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7138 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 30A (TC) | 6V, 10V | 7.8mohm @ 19.7a, 10V | 4V @ 250µA | 135 NC @ 10 v | ± 20V | 6900 pf @ 30 v | - | 5.4W (TA), 96W (TC) | ||||||||||||
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 | FDS6982 | - | | 3920 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS69 | MOSFET (금속 (() | 900MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 6.3a, 8.6a | 28mohm @ 6.3a, 10V | 3V @ 250µA | 12NC @ 5V | 760pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||
 | MCQ4822-TP | 0.6200 | | 25 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MCQ4822 | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 8.5A (TA) | 10V | 26mohm @ 6a, 4.5v | 3V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1250 pf @ 15 v | - | 1.4W (TA) | ||||||||||||
| FQPF5N60 | - | | 5715 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF5 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 2.8A (TC) | 10V | 2ohm @ 1.4a, 10V | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 30V | 730 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | |||||||||||||
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 | STD5NK50Z-1 | - | | 3812 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | std5n | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 500 v | 4.4A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.2a, 10V | 4.5V @ 50µA | 28 nc @ 10 v | ± 30V | 535 pf @ 25 v | - | 70W (TC) | ||||||||||||
 | NVMFS5C456NLT1G | - | | 8851 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 87A (TC) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 1600 pf @ 25 v | - | 3.6W (TA), 55W (TC) | ||||||||||||
 | SI1033X-T1-GE3 | - | | 9858 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | SI1033 | MOSFET (금속 (() | 250MW | SC-89 (SOT-563F) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 145ma | 8ohm @ 150ma, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 1.5NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||
 | DMC4029SSDQ-13 | 0.3502 | | 7696 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DMC4029 | MOSFET (금속 (() | 1.8W (TA) | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 보완 p 채널 및 | 40V | 9A (TA), 6.5A (TA) | 24mohm @ 6a, 10v, 45mohm @ 5a, 10V | 3V @ 250µA | 8.8nc @ 4.5v, 10.6nc @ 4.5v | 1060pf @ 20V, 1154pf @ 20V | - | ||||||||||||||
 | AON3814L | - | | 2369 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | AON381 | MOSFET (금속 (() | 2.5W | 8-DFN (3x3) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 20V | 6A (TC) | 17mohm @ 6a, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 13NC @ 4.5V | 1100pf @ 10V | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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