전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
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![]() | APT39F60J | 31.2000 | ![]() | 6802 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS 8 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT39F60 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 42A (TC) | 10V | 110mohm @ 28a, 10V | 5V @ 2.5MA | 280 nc @ 10 v | ± 30V | 11300 pf @ 25 v | - | 480W (TC) | |||||||||||
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![]() | IPB70P04P409ATMA1 | - | ![]() | 9184 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB70P04 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 72A (TC) | 10V | 9.1MOHM @ 70A, 10V | 4V @ 120µA | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 4810 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | |||||||||||
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![]() | FQA6N80_F109 | - | ![]() | 3466 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | FQA6 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 800 v | 6.3A (TC) | 10V | 1.95ohm @ 3.15a, 10V | 5V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 30V | 1500 pf @ 25 v | - | 185W (TC) | ||||||||||||
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![]() | PTFA261301F v1 | - | ![]() | 6289 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Goldmos® | 쟁반 | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 | 2.68GHz | LDMOS | H-31260-2 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 10µA | 1.4 a | 130W | 13.5dB | - | 28 v | |||||||||||||||||
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![]() | IPS65R1K5CEAKMA1 | - | ![]() | 3880 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | IPS65R | MOSFET (금속 (() | TO-251 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 650 v | 3.1A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1a, 10V | 3.5V @ 100µA | 10.5 nc @ 10 v | ± 20V | 225 pf @ 100 v | - | 28W (TC) | ||||||||||||
![]() | FQAF44N10 | - | ![]() | 8833 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | FQAF4 | MOSFET (금속 (() | to-3pf | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 360 | n 채널 | 100 v | 33A (TC) | 10V | 39mohm @ 16.5a, 10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 v | ± 25V | 1800 pf @ 25 v | - | 85W (TC) | ||||||||||||
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![]() | MRF1K50HR5178 | 212.7600 | ![]() | 181 | 0.00000000 | 프리 프리 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 135 v | 섀시 섀시 | SOT-979A | 1.8MHz ~ 500MHz | LDMOS | NI-1230-4H | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 이중 | 20µA | 100 MA | 1500W | 23.7dB | - | 50 v | |||||||||||||||
![]() | EFC6617R-TF | - | ![]() | 7178 | 0.00000000 | 온세미 | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | EFC6617 | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 5,000 | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5E040RPTL | 0.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-96 | RQ5E040 | MOSFET (금속 (() | TSMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 4A (TA) | 4V, 10V | 45mohm @ 4a, 10V | 2.5V @ 1mA | 10.5 nc @ 5 v | ± 20V | 1000 pf @ 10 v | - | 700MW (TA) | |||||||||||
![]() | irllr110trl | - | ![]() | 5776 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR110 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 4.3A (TC) | 4V, 5V | 540mohm @ 2.6a, 5v | 2V @ 250µA | 6.1 NC @ 5 v | ± 10V | 250 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||||||||||
![]() | FDBL86561-F085 | 5.5900 | ![]() | 2434 | 0.00000000 | 온세미 | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-Powersfn | FDBL86561 | MOSFET (금속 (() | 8-HPSOF | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 300A (TC) | 10V | 1.1mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 220 NC @ 10 v | ± 20V | 13650 pf @ 30 v | - | 429W (TJ) | |||||||||||
AON6270 | - | ![]() | 6871 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | Aon62 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 75 v | 31.5A (TA), 85A (TC) | 6V, 10V | 3.9mohm @ 20a, 10V | 3.2V @ 250µA | 85 NC @ 10 v | ± 20V | 4100 pf @ 37.5 v | - | 7.3W (TA), 83W (TC) | |||||||||||||
![]() | MCH6448-TL-H | - | ![]() | 9143 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 | MCH6448 | MOSFET (금속 (() | 6mcph | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 8A (TA) | 1.2V, 4.5V | 22mohm @ 4a, 4.5v | - | 11.2 NC @ 4.5 v | ± 9V | 705 pf @ 10 v | - | 1.5W (TA) | |||||||||||
![]() | IRL3714SPBF | - | ![]() | 9418 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL3714SPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 20 v | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 18a, 10V | 3V @ 250µA | 9.7 NC @ 4.5 v | ± 20V | 670 pf @ 10 v | - | 47W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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