SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
FQD13N10LTF onsemi fqd13n10ltf -
RFQ
ECAD 1539 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD1 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 10A (TC) 5V, 10V 180mohm @ 5a, 10V 2V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 20V 520 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 40W (TC)
TN2640LG-G Microchip Technology TN2640LG-G 1.8400
RFQ
ECAD 1019 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TN2640 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,300 n 채널 400 v 260MA (TJ) 4.5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 2V @ 2MA ± 20V 225 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
CSD17313Q2T Texas Instruments CSD17313Q2T 1.1900
RFQ
ECAD 26 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 CSD17313 MOSFET (금속 (() 6- 웨슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 250 n 채널 30 v 5A (TA) 3V, 8V 30mohm @ 4a, 8v 1.8V @ 250µA 2.7 NC @ 4.5 v +10V, -8V 340 pf @ 15 v - 2.4W (TA), 17W (TC)
IXTA10P15T-TRL IXYS IXTA10P15T-TRL 3.2181
RFQ
ECAD 2717 0.00000000 ixys Trenchp ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA10 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTA10P15T-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 150 v 10A (TC) 10V 350mohm @ 5a, 10V 4.5V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 15V 2210 pf @ 25 v - 83W (TA)
DMTH61M5SPSW-13 Diodes Incorporated DMTH61M5SWSW-13 0.8999
RFQ
ECAD 8138 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 (SWP) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH61M5SWSW-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 225A (TC) 10V 1.5mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 130.6 NC @ 10 v ± 20V 8306 pf @ 30 v - 3.2W (TA), 167W (TC)
BUK9504-40A,127 NXP USA Inc. BUK9504-40A, 127 0.8200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. * 튜브 활동적인 buk95 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000
NP88N03KDG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP88N03KDG-E1-ay -
RFQ
ECAD 5379 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 88A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 44a, 10V 2.5V @ 250µA 250 nc @ 10 v ± 20V 13500 pf @ 25 v - 1.8W (TA), 200W (TC)
PHP34NQ11T,127 NXP USA Inc. PHP34NQ11T, 127 -
RFQ
ECAD 5111 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PHP34 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 110 v 35A (TC) 10V 40mohm @ 17a, 10V 4V @ 1MA 40 nc @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 25 v - 136W (TC)
BSP171PL6327HTSA1 Infineon Technologies BSP171PL6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 9102 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4-21 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 1.9A (TA) 4.5V, 10V 300mohm @ 1.9a, 10V 2V @ 460µA 20 nc @ 10 v ± 20V 460 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
SIR876ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir876adp-t1-ge3 1.6700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir876 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 40A (TC) 4.5V, 10V 10.8mohm @ 20a, 10V 2.8V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 20V 1630 pf @ 50 v - 5W (TA), 62.5W (TC)
MRF6S21190HSR5 NXP USA Inc. MRF6S21190HSR5 -
RFQ
ECAD 8414 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 68 v 표면 표면 NI-880S MRF6 2.11GHz ~ 2.17GHz LDMOS NI-880S 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 - 1.6 a 54W 16db - 28 v
NTMFS4833NST1G onsemi NTMFS4833NST1G -
RFQ
ECAD 2606 0.00000000 온세미 Sensefet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NTMFS4 MOSFET (금속 (() SO-8FL 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 16A (TA), 156A (TC) 4.5V, 10V 2.2MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 86 NC @ 11.5 v ± 20V 5250 pf @ 12 v - 900MW (TA), 86.2W (TC)
NTD3813N-1G onsemi NTD3813N-1G -
RFQ
ECAD 5049 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NTD38 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 16 v 9.6A (TA), 51A (TC) 4.5V, 10V 8.75mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 12.8 nc @ 4.5 v ± 16V 963 pf @ 12 v - 1.2W (TA), 34.9W (TC)
SIR440DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir440dp-t1-ge3 2.0100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir440 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.55mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 6000 pf @ 10 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
BLF6G10LS-200RN,11 Ampleon USA Inc. BLF6G10LS-200rn, 11 -
RFQ
ECAD 1943 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 SOT-502B BLF6 871.5MHz ~ 891.5MHz LDMOS SOT502B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934063255118 귀 99 8541.29.0075 100 49a 1.4 a 40W 20dB - 28 v
SI1405BDH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1405BDH-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4668 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1405 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 1.6A (TC) 1.8V, 4.5V 112mohm @ 2.8a, 4.5v 950MV @ 250µA 5.5 NC @ 4.5 v ± 8V 305 pf @ 4 v - 1.47W (TA), 2.27W (TC)
ON5452,518 NXP USA Inc. on5452,518 -
RFQ
ECAD 2217 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - on5452 - - - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 934063298518 귀 99 8541.29.0095 2,000 - - - - -
ZVN4424ASTOA Diodes Incorporated ZVN4424ASTOA -
RFQ
ECAD 5815 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 240 v 260MA (TA) 2.5V, 10V 5.5ohm @ 500ma, 10V 1.8V @ 1mA ± 40V 200 pf @ 25 v - 750MW (TA)
IXFX32N100P IXYS ixfx32n100p 23.4700
RFQ
ECAD 428 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXFX32 MOSFET (금속 (() Plus247 ™ -3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1000 v 32A (TC) 10V 320mohm @ 16a, 10V 6.5V @ 1mA 225 NC @ 10 v ± 30V 14200 pf @ 25 v - 960W (TC)
APT1002RBNG Microsemi Corporation APT1002RBNG -
RFQ
ECAD 6456 0.00000000 Microsemi Corporation Power Mos IV® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247AD - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1000 v 8A (TC) 10V 1.6ohm @ 4a, 10V 4V @ 1MA 105 NC @ 10 v ± 30V 1800 pf @ 25 v - 240W (TC)
SPP07N60S5 Infineon Technologies SPP07N60S5 -
RFQ
ECAD 6771 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp07n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 5.5V @ 350µA 35 NC @ 10 v ± 20V 970 pf @ 25 v - 83W (TC)
ON5214,118 NXP USA Inc. on5214,118 -
RFQ
ECAD 8910 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB on52 - - D2PAK - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934056356118 귀 99 8541.29.0095 800 - - - - -
SUP90N08-6M8P-E3 Vishay Siliconix sup90n08-6m8p-e3 -
RFQ
ECAD 2120 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup90 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 75 v 90A (TC) 10V 6.8mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 115 NC @ 10 v ± 20V 4620 pf @ 30 v - 3.75W (TA), 272W (TC)
IXTP24N15T IXYS IXTP24N15T -
RFQ
ECAD 6310 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP24 MOSFET (금속 (() TO-220-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 24A (TC) - - - -
STD140N6F7 STMicroelectronics STD140N6F7 1.7900
RFQ
ECAD 15 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD140 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 80A (TC) 10V 3.8mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 30 v - 134W (TC)
PHP101NQ03LT,127 NXP USA Inc. php101nq03lt, 127 -
RFQ
ECAD 8517 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PHP10 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 75A (TC) 5V, 10V 5.5mohm @ 25a, 10V 2.5V @ 1mA 23 nc @ 5 v ± 20V 2180 pf @ 25 v - 166W (TC)
UPA1857GR-9JG-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA1857GR-9JG-E1-A 0.3808
RFQ
ECAD 5828 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) UPA1857 MOSFET (금속 (() 1.7W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 3.8a 67mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 1mA 12NC @ 10V 580pf @ 10V 논리 논리 게이트
MIC94053YC6-TR Microchip Technology MIC94053YC6-TR 0.7800
RFQ
ECAD 72 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MIC94053 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 6 v 2A (TA) 1.8V, 4.5V 84mohm @ 100ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 6V - 270MW (TA)
BUK964R2-55B/C NXP USA Inc. BUK964R2-55B/C 0.7200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
DMN6040SVTQ-7-52 Diodes Incorporated DMN6040SVTQ-7-52 0.1795
RFQ
ECAD 7014 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMN6040 MOSFET (금속 (() TSOT-26 다운로드 31-DMN6040SVTQ-7-52 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 5A (TA) 4.5V, 10V 44mohm @ 4.3a, 10V 3V @ 250µA 22.4 NC @ 10 v ± 20V 1287 pf @ 25 v - 1.2W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고