전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STH180N10F3-2 | 5.5400 | ![]() | 7922 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ iii | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STH180 | MOSFET (금속 (() | H2PAK-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 180A (TC) | 10V | 4.5mohm @ 60a, 10V | 4V @ 250µA | 114.6 NC @ 10 v | ± 20V | 6665 pf @ 25 v | - | 315W (TC) | |||||||||||||
![]() | IXTX60N50L2 | 38.4700 | ![]() | 947 | 0.00000000 | ixys | l2 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 7 | IXTX60 | MOSFET (금속 (() | Plus247 ™ -3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 500 v | 60A (TC) | 10V | 100mohm @ 30a, 10V | 4.5V @ 250µA | 610 nc @ 10 v | ± 30V | 24000 pf @ 25 v | - | 960W (TC) | ||||||||||||
![]() | IRF2907ZLPBF | - | ![]() | 1633 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001576784 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 75 v | 160A (TC) | 10V | 4.5mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 270 nc @ 10 v | ± 20V | 7500 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||
![]() | RJK03B9DPA-0T#J53 | 0.5500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTZD3158pt1g | - | ![]() | 9250 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | NTZD3158 | MOSFET (금속 (() | 250MW | SOT-563 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 430ma | 900mohm @ 430ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 2.5NC @ 4.5V | 175pf @ 16v | - | ||||||||||||||
![]() | PJA3438_R1_00001 | 0.4700 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PJA3438 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJA3438_R1_00001TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 50 v | 500MA (TA) | 1.8V, 10V | 1.45ohm @ 500ma, 10V | 1V @ 250µA | 0.95 nc @ 4.5 v | ± 20V | 36 pf @ 25 v | - | 500MW (TA) | |||||||||||
![]() | AOI450A70 | 0.7509 | ![]() | 7087 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS5 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | AOI450 | MOSFET (금속 (() | TO-251A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 785-AOI450A70 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,500 | n 채널 | 700 v | 11A (TC) | 10V | 450mohm @ 2.3a, 10V | 3.6V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 1115 pf @ 100 v | - | 125W (TC) | ||||||||||||
![]() | PMCM4401VNE/S500Z | - | ![]() | 1093 | 0.00000000 | nxp 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-PMCM4401VNE/S500Z-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMV20XN, 215 | - | ![]() | 2557 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMV2 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 (TO-236AB) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 4.8A (TA) | 2.5V, 4.5V | 25mohm @ 4.8a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 10 nc @ 4.5 v | ± 12V | 585 pf @ 15 v | - | 510MW (TA) | ||||||||||||
![]() | DMP3048LSD-13 | 0.2097 | ![]() | 5062 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DMP3048 | MOSFET (금속 (() | 1.7W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 4.8A (TA) | 48mohm @ 5a, 10V | 1.3V @ 250µA | 13.5NC @ 4.5V | 1438pf @ 15V | - | ||||||||||||||
![]() | ATF-521P8-BLK | - | ![]() | 1124 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | 대부분 | 쓸모없는 | 7 v | 8-Wfdfn d 패드 패드 | 2GHz | Phemt Fet | 8-LPCC (2x2) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 100 | 500ma | 200 MA | 26.5dBM | 17dB | 1.5dB | 4.5 v | |||||||||||||||||||
![]() | irfr3103trl | - | ![]() | 4564 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 400 v | 1.7A (TA) | 10V | 3.6ohm @ 1a, 10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 170 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||||||||||
![]() | IAUTN06S5N008GATMA1 | 7.0000 | ![]() | 7867 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1,800 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD12N10T4G | - | ![]() | 6646 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NTD12 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 12A (TA) | 10V | 165mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 550 pf @ 25 v | - | 1.28W (TA), 56.6W (TC) | |||||||||||||
![]() | MCAC90N04-TP | 0.9300 | ![]() | 246 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MCAC90N04 | MOSFET (금속 (() | DFN5060 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 90A (TC) | 4.5mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250µA | 95 NC @ 10 v | ± 20V | 2420 pf @ 20 v | - | 55W | |||||||||||||
![]() | AON5802B | - | ![]() | 6842 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-Wfdfn d 패드 패드 | AON5802 | MOSFET (금속 (() | 1.6W | 6-DFN-EP (2x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 30V | 7.2A | 19mohm @ 7a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 24NC @ 10V | 1150pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||
![]() | MMRF1015NR1 | 20.9500 | ![]() | 355 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 68 v | 표면 표면 | TO-270-2 | MMRF1015 | 960MHz | LDMOS | TO-270-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 125 MA | 10W | 18db | - | 28 v | ||||||||||||||||
![]() | 2SK1726-TD-E | 0.1500 | ![]() | 26 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIHB085N60EF-GE3 | 6.0200 | ![]() | 3547 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | ef | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB085 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIHB085N60EF-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 34A (TC) | 10V | 84mohm @ 17a, 10V | 5V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 30V | 2733 PF @ 100 v | - | 184W (TC) | ||||||||||||
![]() | fcpf7n60nt | 1.4900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Supremos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 202 | n 채널 | 600 v | 6.8A (TC) | 10V | 520mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250µA | 35.6 NC @ 10 v | ± 30V | 960 pf @ 100 v | - | 30.5W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | SCT50N120 | 39.7200 | ![]() | 474 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SCT50 | sicfet ((카바이드) | HIP247 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1200 v | 65A (TC) | 20V | 69mohm @ 40a, 20V | 3V @ 1mA | 122 NC @ 20 v | +25V, -10V | 1900 pf @ 400 v | - | 318W (TC) | ||||||||||||
![]() | AONS66612T | 3.0800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 48A (TA), 100A (TC) | 6V, 10V | 1.65mohm @ 20a, 10V | 3.5V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 5300 pf @ 30 v | - | 7.5W (TA), 250W (TC) | |||||||||||||
![]() | FDS9431A-F085CT | - | ![]() | 9293 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-FDS9431A-F085CT-488 | 0000.00.0000 | 1 | p 채널 | 20 v | 3.5A (TA) | 130mohm @ 3.5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 8.5 NC @ 4.5 v | ± 8V | 405 pf @ 10 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||||
![]() | IRFS11N50APBF | 2.9400 | ![]() | 445 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS11 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 500 v | 11A (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 52 NC @ 10 v | ± 30V | 1423 pf @ 25 v | - | 170W (TC) | |||||||||||||
![]() | 3LN01S-K-TL-E | - | ![]() | 4499 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3LN01 | - | SMCP | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | 150ma (TJ) | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | si4936dy | 0.9700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4936 | MOSFET (금속 (() | 900MW (TA) | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 5.8A (TA) | 37mohm @ 5.8a, 10V | 1V @ 250µA | 25NC @ 10V | 460pf @ 15V | - | ||||||||||||||
![]() | TSM170N06CH | 0.9530 | ![]() | 9155 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | TSM170 | MOSFET (금속 (() | TO-251 (IPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-TSM170N06CH | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15,000 | n 채널 | 60 v | 38A (TC) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 20V | 900 pf @ 25 v | - | 46W (TC) | ||||||||||||
![]() | ZVN3320ASTOB | - | ![]() | 8099 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | e-line-3 | MOSFET (금속 (() | e- 라인 (TO-92 호환) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 200 v | 100MA (TA) | 10V | 25ohm @ 100ma, 10V | 3V @ 1mA | ± 20V | 45 pf @ 25 v | - | 625MW (TA) | |||||||||||||||
![]() | IAUS300N08S5N012ATMA1 | 7.4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 갈매기 날개 | IAUS300 | MOSFET (금속 (() | PG-HSOG-8-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,800 | n 채널 | 80 v | 300A (TC) | 6V, 10V | 1.2MOHM @ 100A, 10V | 3.8V @ 275µA | 231 NC @ 10 v | ± 20V | 16250 pf @ 40 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||
![]() | DMTH10H1M7STLWQ-13 | 5.2600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-Powersfn | DMTH10 | MOSFET (금속 (() | PowerDI1012-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 100 v | 250A (TC) | 10V | 2MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 147 NC @ 10 v | ± 20V | 9871 pf @ 50 v | - | 6W (TA), 250W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고