SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
PD84008-E STMicroelectronics PD84008-E -
RFQ
ECAD 9171 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 25 v PowerSO-10RF 노출 된 바닥 패드 패드 (2 개의 형성 된 리드 리드) PD84008 870MHz LDMOS PowerSO-10RF (형성) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 7a 250 MA 2W 16.2db - 7.5 v
DMP2225L-7 Diodes Incorporated DMP2225L-7 -
RFQ
ECAD 7820 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2225 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.6A (TA) 2.5V, 4.5V 110mohm @ 2.6a, 4.5v 1.25V @ 250µA 5.3 NC @ 4.5 v ± 12V 250 pf @ 10 v - 1.08W (TA)
IRF530NS Infineon Technologies IRF530NS -
RFQ
ECAD 3116 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF530NS 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 17A (TC) 10V 90mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 37 NC @ 10 v ± 20V 920 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 70W (TC)
BLF8G27LS-100GVQ Ampleon USA Inc. BLF8G27LS-100GVQ -
RFQ
ECAD 8299 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 튜브 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 SOT-1244C blf8 2.5GHz ~ 2.7GHz LDMOS CDFM6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 24 - 900 MA 25W 17dB - 28 v
IRF40R207 Infineon Technologies IRF40R207 0.9800
RFQ
ECAD 18 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRF40R207 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 56A (TC) 6V, 10V 5.1MOHM @ 55A, 10V 3.9V @ 50µA 68 NC @ 10 v ± 20V 2110 pf @ 25 v - 83W (TC)
BSC882N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSC882N03LSGATMA1 -
RFQ
ECAD 7502 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC882 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 34 v - 10V 4.2MOHM @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 3700 pf @ 15 v - -
HUF76633P3-F085 onsemi HUF76633P3-F085 -
RFQ
ECAD 1091 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101, Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 huf76 MOSFET (금속 (() TO-220-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 100 v 39A (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 39a, 10V 3V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 16V 1820 pf @ 25 v - 145W (TC)
NTB90N02T4G onsemi NTB90N02T4G -
RFQ
ECAD 9636 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NTB90 MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 24 v 90A (TA) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 90a, 10V 3V @ 250µA 29 NC @ 4.5 v ± 20V 2120 pf @ 20 v - 85W (TC)
NTND31225CZTAG onsemi NTND31225CZTAG 0.3700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-XFLGA NTND31225 MOSFET (금속 (() 125MW (TA) 6-Xllga (0.9x0.65) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 n 보완 p 채널 및 20V 220MA (TA), 127MA (TA) 1.5ohm @ 100ma, 4.5v, 5ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA - 12.3pf @ 15V, 12.8pf @ 15V -
SKI07171 Sanken Ski07171 -
RFQ
ECAD 2889 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 46A (TC) 4.5V, 10V 13.6MOHM @ 22.8A, 10V 2.5V @ 650µA 36.2 NC @ 10 v ± 20V 2520 pf @ 25 v - 90W (TC)
APTM50DUM17G Microsemi Corporation APTM50DUM17G -
RFQ
ECAD 1595 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTM50 MOSFET (금속 (() 1250W SP6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 500V 180a 20mohm @ 90a, 10V 5V @ 10MA 560NC @ 10V 28000pf @ 25V -
IPS05N03LB G Infineon Technologies IPS05N03LB g -
RFQ
ECAD 5823 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK IPS05N MOSFET (금속 (() PG-to251-3-11 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 90A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 60A, 10V 2V @ 40µA 25 nc @ 5 v ± 20V 3200 pf @ 15 v - 94W (TC)
GE17045EEA3 GE Aerospace GE17045EEA3 3.0000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 ge 항공 우주 sic 파워 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TC) 섀시 섀시 기준 기준 GE17045 실리콘 실리콘 (sic) 1250W (TC) - 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 4014-GE17045EEA3 귀 99 8541.29.0095 1 6 n 채널 (3 채널 교량) 1700V (1.7kv) 425A (TC) 4.45mohm @ 425a, 20V 4.5V @ 160ma 1207NC @ 18V 29100pf @ 900V -
MRF5S9101MR1 NXP USA Inc. MRF5S9101MR1 -
RFQ
ECAD 9286 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 68 v 표면 표면 TO-270AB MRF5 960MHz LDMOS TO-270 WB-4 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 - 700 MA 100W 17.5dB - 26 v
RM20N650TI Rectron USA RM20N650TI 1.0400
RFQ
ECAD 3696 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM20N650TI 8541.10.0080 5,000 n 채널 650 v 20A (TC) 10V 210mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA ± 30V 2600 pf @ 50 v - 33W (TC)
SI9926BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI9926BDY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6712 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9926 MOSFET (금속 (() 1.14W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 6.2A 20mohm @ 8.2a, 4.5v 1.5V @ 250µA 20NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRF6725MTRPBF International Rectifier IRF6725MTRPBF -
RFQ
ECAD 2651 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 30 v 28A (TA), 170A (TC) 4.5V, 10V 2.2MOHM @ 28A, 10V 2.35V @ 100µa 54 NC @ 4.5 v ± 20V 4700 pf @ 15 v - 2.8W (TA), 100W (TC)
IMT65R107M1HXUMA1 Infineon Technologies IMT65R107M1HXUMA1 9.7200
RFQ
ECAD 6030 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 8-Powersfn sicfet ((카바이드) PG-HSOF-8-1 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 - 650 v - 18V - - - - -
2SK1285-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK1285-AZ 8.9600
RFQ
ECAD 700 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
AUIRF6215 Infineon Technologies AUIRF6215 3.5800
RFQ
ECAD 740 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 AUIRF6215 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001521586 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 150 v 13A (TC) 10V 290mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 110W (TC)
SI7703EDN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7703EDN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8628 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7703 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.3A (TA) 1.8V, 4.5V 48mohm @ 6.3a, 4.5v 1V @ 800µA 18 nc @ 4.5 v ± 12V Schottky 분리 (다이오드) 1.3W (TA)
SI3434DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3434DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8745 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3434 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.6A (TA) 2.5V, 4.5V 34mohm @ 6.1a, 4.5v 600mv @ 1ma (min) 12 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.14W (TA)
IRFI520N Infineon Technologies irfi520n -
RFQ
ECAD 7202 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfi520n 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 7.6A (TC) 10V 200mohm @ 4.3a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 330 pf @ 25 v - 30W (TC)
SI7110DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7110DN-T1-E3 1.8500
RFQ
ECAD 8508 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7110 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 13.5A (TA) 4.5V, 10V 5.3mohm @ 21.1a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.5W (TA)
IPI126N10N3 G Infineon Technologies IPI126n10n3 g -
RFQ
ECAD 4944 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI126N MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 58A (TC) 6V, 10V 12.6MOHM @ 46A, 10V 3.5V @ 46µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 50 v - 94W (TC)
FQPF33N10L onsemi fqpf33n10l 1.4900
RFQ
ECAD 956 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF3 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 18A (TC) 5V, 10V 52mohm @ 9a, 10V 2V @ 250µA 40 nc @ 5 v ± 20V 1630 pf @ 25 v - 41W (TC)
IRF3711ZCL Infineon Technologies IRF3711ZCL -
RFQ
ECAD 9668 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF3711ZCL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 92A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 15A, 10V 2.45V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 20V 2150 pf @ 10 v - 79W (TC)
DMP2039UFDE4-7 Diodes Incorporated DMP2039UFDE4-7 0.5700
RFQ
ECAD 5893 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerxdfn DMP2039 MOSFET (금속 (() X2-DFN2020-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 25 v 7.3A (TA) 1.8V, 4.5V 26mohm @ 6.4a, 4.5v 1V @ 250µA 28.2 NC @ 4.5 v ± 8V 2530 pf @ 15 v - 690MW (TA)
IRF1503STRRPBF Infineon Technologies IRF1503STRRPBF -
RFQ
ECAD 8550 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF1503 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 75A (TC) 10V 3.3mohm @ 140a, 10V 4V @ 250µA 200 nc @ 10 v ± 20V 5730 pf @ 25 v - 200W (TC)
IRL520LPBF Vishay Siliconix IRL520LPBF 0.6856
RFQ
ECAD 6297 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRL520 MOSFET (금속 (() TO-262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRL520LPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 9.2A (TC) 4V, 5V 270mohm @ 5.5a, 5V 2V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 10V 490 pf @ 25 v - 60W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고