- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ixty44n10t | 2.5800 |  | 3964 | 0.00000000 | ixys | 도랑 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IXTY44 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 70 | n 채널 | 100 v | 44A (TC) | 10V | 30mohm @ 22a, 10V | 4.5V @ 25µA | 33 NC @ 10 v | ± 30V | 1262 pf @ 25 v | - | 130W (TC) | ||||||||||||
 | NTNS3C68NZT5G | 0.0900 | | 269 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-NTNS3C68NZT5G-488 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDMS3624S | - | | 6729 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS3624 | MOSFET (금속 (() | 2.2W (TA), 2.5W (TA) | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 n 채널 (채널) 비대칭 | 25V | 17.5A (TA), 30A (TC), 30A (TA), 60A (TC) | 1.8mohm @ 30a, 10v, 5mohm @ 17.5a, 10v | 2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA | 26NC @ 10V, 59NC @ 10V | 1570pf @ 13v, 4045pf @ 13v | - | |||||||||||||||||
 | NTBG060N065SC1 | 11.7600 | | 773 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | NTBG060 | sicfet ((카바이드) | D2PAK-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 650 v | 46A (TC) | 15V, 18V | 70mohm @ 20a, 10V | 4.3v @ 6.5ma | 74 NC @ 18 v | +22V, -8V | 1473 pf @ 325 v | - | 170W (TC) | ||||||||||||
 | IXTQ36N30P | 5.6000 | | 398 | 0.00000000 | ixys | Polarht ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | IXTQ36 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 300 v | 36A (TC) | 10V | 110mohm @ 18a, 10V | 5.5V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | ± 30V | 2250 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||
 | IPP45N06S3-16 | - | | 4031 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP45N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 55 v | 45A (TC) | 10V | 15.7mohm @ 23a, 10V | 4V @ 30µA | 57 NC @ 10 v | ± 20V | 2980 pf @ 25 v | - | 65W (TC) | |||||||||||||
 | phd96nq03lt, 118 | - | | 8075 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | PhD96 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 25 v | 75A (TC) | 5V, 10V | 4.95mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 26.7 NC @ 5 v | ± 20V | 2200 pf @ 25 v | - | 115W (TC) | ||||||||||||
 | IRFS7762PBF | - | | 5475 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | d²pak (to-263ab) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 75 v | 85A (TC) | 6V, 10V | 6.7mohm @ 51a, 10V | 3.7v @ 100µa | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 4440 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||
 | IRLS3036PBF | - | | 4499 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 48 | n 채널 | 60 v | 195a (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 165a, 10V | 2.5V @ 250µA | 140 nc @ 4.5 v | ± 16V | 11210 pf @ 50 v | - | 380W (TC) | ||||||||||||||||
 | AFT05MS031GNR1 | 14.5100 | | 3996 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 40 v | 표면 표면 | TO-270BA | AFT05 | 520MHz | LDMOS | TO-270-2 -2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | - | 10 MA | 31W | 17.7dB | - | 13.6 v | ||||||||||||||||
 | TP5322K1-G | 0.7500 | | 8 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TP5322 | MOSFET (금속 (() | TO-236AB (SOT23) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 220 v | 120ma (TJ) | 4.5V, 10V | 12ohm @ 200ma, 10V | 2.4V @ 1mA | ± 20V | 110 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) | |||||||||||||
 | IRFR13N15DPBF | 1.0000 | | 6627 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 150 v | 14A (TC) | 10V | 180mohm @ 8.3a, 10V | 5.5V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 30V | 620 pf @ 25 v | - | 86W (TC) | |||||||||||||||||
 | MGSF3442XT1 | 0.2000 | | 24 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| auirfz44z | - | | 1858 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 51A (TC) | 10V | 13.9mohm @ 31a, 10V | 4V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | ± 20V | 1420 pf @ 25 v | - | 80W (TC) | |||||||||||||
| 2SK1590-T1B-A | - | | 4271 | 0.00000000 | Renesas | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 2156-2SK1590-T1B-A | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPD220N06L3GATMA1 | 0.8400 | | 2035 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD220N | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-311 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 11µA | 10 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1600 pf @ 30 v | - | 36W (TC) | ||||||||||||
 | AOTF20S60L | 3.2400 | | 6654 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF20 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 20A (TC) | 10V | 199MOHM @ 10A, 10V | 4.1V @ 250µA | 19.8 nc @ 10 v | ± 30V | 1038 pf @ 100 v | - | 37.8W (TC) | ||||||||||||
 | IPA60R650CEXKSA1 | 1.3500 | | 395 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA60R650 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 7A (TC) | 10V | 650mohm @ 2.4a, 10V | 3.5V @ 200µA | 20.5 nc @ 10 v | ± 20V | 440 pf @ 100 v | - | 28W (TC) | ||||||||||||
 | IXTA230N075T2-7 | 6.4098 | | 4523 | 0.00000000 | ixys | Trencht2 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | IXTA230 | MOSFET (금속 (() | TO-263-7 (IXTA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 75 v | 230A (TC) | 10V | 4.2mohm @ 50a, 10V | 4V @ 250µA | 178 NC @ 10 v | ± 20V | 10500 pf @ 25 v | - | 480W (TC) | ||||||||||||
 | IRFR014PBF | 1.4600 | | 8836 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR014 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 60 v | 7.7A (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 300 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||||||||||
 | BSD840N L6327 | - | | 3728 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BSD840 | MOSFET (금속 (() | 500MW | PG-SOT363-PO | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 880ma | 400mohm @ 880ma, 2.5v | 750MV @ 1.6µA | 0.26NC @ 2.5V | 78pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||
 | NTTFSC4821NTAG | - | | 5649 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NTTFSC | - | 8-wdfn (3.3x3.3) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | - | 13.5A (TA) | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
 | SPI35N10 | - | | 6256 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | SPI35N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 100 v | 35A (TC) | 10V | 44mohm @ 26.4a, 10V | 4V @ 83µA | 65 nc @ 10 v | ± 20V | 1570 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||||||||||
| B11G1822N60DYZ | 49.9600 | | 290 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 65 v | 표면 표면 | 36-Qfn n 패드 | 1.8GHz ~ 2.2GHz | LDMOS | 36-PQFN (12x7) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 300 | 이중 | 1.4µA | - | 32db | - | ||||||||||||||||||
 | EPC2020 | 7.8700 | | 2 | 0.00000000 | EPC | Egan® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | EPC20 | Ganfet ((갈륨) | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0040 | 500 | n 채널 | 60 v | 90A (TA) | 5V | 2.2mohm @ 31a, 5V | 2.5V @ 16MA | 16 nc @ 5 v | +6V, -4V | 1780 pf @ 30 v | - | - | ||||||||||||
 | IRFHS8342TRPBF | 0.5400 | | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powervdfn | IRFHS8342 | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 8.8A (TA), 19A (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 8.5a, 10V | 2.35V @ 25µA | 8.7 NC @ 10 v | ± 20V | 600 pf @ 25 v | - | 2.1W (TA) | ||||||||||||
 | PJD35P03_L2_00001 | 0.5900 | | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | PJD35 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJD35P03_L2_00001DKR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 8.4A (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 19mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1169 pf @ 15 v | - | 2W (TA), 35W (TC) | |||||||||||
 | IRLU014N | - | | 6850 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRLU014N | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 55 v | 10A (TC) | 4.5V, 10V | 140mohm @ 6a, 10V | 1V @ 250µA | 7.9 NC @ 5 v | ± 16V | 265 pf @ 25 v | - | 28W (TC) | ||||||||||||
 | FQB6N70TM | 2.2500 | | 3 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 700 v | 6.2A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 3.1a, 10V | 5V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 1400 pf @ 25 v | - | 3.13W (TA), 142W (TC) | |||||||||||||||
 | STP38N65M5 | 5.9000 | | 8340 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ v | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP38 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 30A (TC) | 10V | 95mohm @ 15a, 10V | 5V @ 250µA | 71 NC @ 10 v | ± 25V | 3000 pf @ 100 v | - | 190W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)