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Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | SUP50N03-5M1P-GE3 | - | | 4450 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SUP50 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5.1mohm @ 22a, 10V | 2.5V @ 250µA | 66 NC @ 10 v | ± 20V | 2780 pf @ 15 v | - | 2.7W (TA), 59.5W (TC) | ||||
| BUK9660-100A | 1.0000 | | 4910 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 100 v | 26A (TC) | 4.5V, 10V | 58mohm @ 15a, 10V | 2V @ 1mA | ± 10V | 1924 pf @ 25 v | - | 106W (TC) | ||||||
 | STP75NF75FP | - | | 1895 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STP75N | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 75 v | 80A (TC) | 10V | 11mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | 3700 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | ||||
 | ixth10p50 | - | | 7896 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXTH10 | MOSFET (금속 (() | TO-247 (ixth) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | ixth10p50-ndr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | p 채널 | 500 v | 10A (TC) | 10V | 900mohm @ 5a, 10V | 5V @ 250µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | 4700 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||
 | TSM500N03CP ROG | - | | 9860 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 12.5A (TC) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 8a, 10V | 3V @ 250µA | 7 NC @ 4.5 v | ± 20V | 270 pf @ 25 v | - | 12.5W (TC) | |||||
 | DMP6050SSD-13 | 0.8300 | | 10 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DMP6050 | MOSFET (금속 (() | 1.2W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 60V | 4.8a | 55mohm @ 5a, 10V | 3V @ 250µA | 24NC @ 10V | 1293pf @ 30V | - | ||||||
 | FQD30N06TM | 1.0300 | | 1 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD30N06 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 22.7A (TC) | 10V | 45mohm @ 11.4a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 25V | 945 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 44W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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