전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
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![]() | DMT3003LFG-7 | 0.7900 | ![]() | 7337 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | DMT3003 | MOSFET (금속 (() | PowerDI3333-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 30 v | 22A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3.2MOHM @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | ± 20V | 2370 pf @ 15 v | - | 2.4W (TA), 62W (TC) | ||||||||||||
![]() | IRFS7434TRL7PP | - | ![]() | 3629 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | MOSFET (금속 (() | D2PAK-7 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 40 v | 240A (TC) | 6V, 10V | 1MOHM @ 100A, 10V | 3.9V @ 250µA | 315 NC @ 10 v | ± 20V | 10250 pf @ 25 v | - | 245W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | BSP135L6327HTSA1 | - | ![]() | 7659 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4-21 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 120MA (TA) | 0V, 10V | 45ohm @ 120ma, 10V | 1V @ 94µA | 4.9 NC @ 5 v | ± 20V | 146 pf @ 25 v | 고갈 고갈 | 1.8W (TA) | ||||||||||||||
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![]() | NTHL082N65S3HF | 9.4800 | ![]() | 8755 | 0.00000000 | 온세미 | FRFET®, SUPERFET® III | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | NTHL082 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 488-NTHL082N65S3HF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 40A (TC) | 82mohm @ 20a, 10V | 5V @ 1MA | 79 NC @ 10 v | ± 30V | 3330 pf @ 400 v | - | 313W (TC) | ||||||||||||
![]() | Tk60p03m1, RQ (s | - | ![]() | 6408 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | u-mosvi-h | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | Tk60p03 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 30 v | 60A (TA) | 4.5V, 10V | 6.4mohm @ 30a, 10V | 2.3V @ 500µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 2700 pf @ 10 v | - | 63W (TC) | |||||||||||||
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![]() | SIHB24N65ET5-GE3 | 3.7126 | ![]() | 2444 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB24 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 650 v | 24A (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10V | 4V @ 250µA | 122 NC @ 10 v | ± 30V | 2740 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | ||||||||||||||
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![]() | SI3867DV-T1-GE3 | - | ![]() | 6583 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3867 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3.9A (TA) | 2.5V, 4.5V | 51mohm @ 5.1a, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 12V | - | 1.1W (TA) | |||||||||||||
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![]() | IRF4905LPBF | 2.9300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF4905 | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 55 v | 42A (TC) | 10V | 20mohm @ 42a, 10V | 4V @ 250µA | 180 NC @ 10 v | ± 20V | 3500 pf @ 25 v | - | 170W (TC) | ||||||||||||
![]() | 2N3819 | 1.7800 | ![]() | 583 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - | 가방 | 활동적인 | 25 v | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | JFET | To-92-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 2368-2N3819 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | n 채널 | - | - | - | - | |||||||||||||||||||
STP20N20 | - | ![]() | 6261 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | stp20n | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-4373-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 18A (TC) | 10V | 125mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 940 pf @ 25 v | - | 90W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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