전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
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![]() | fqpf9n50cf | - | ![]() | 8248 | 0.00000000 | 온세미 | FRFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF9 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 9A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.5a, 10V | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 30V | 1030 pf @ 25 v | - | 44W (TC) | ||||||||||||
![]() | BUK6212-40C, 118 | - | ![]() | 6590 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 50A (TC) | 10V | 11.2mohm @ 12a, 10V | 2.8V @ 1MA | 33.9 nc @ 10 v | ± 16V | 1900 pf @ 25 v | - | 80W (TC) | |||||||||||||
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![]() | FDD8N50NZTM | 1.4100 | ![]() | 2338 | 0.00000000 | 온세미 | Unifet-II ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FDD8N50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 500 v | 6.5A (TC) | 10V | 850mohm @ 3.25a, 10V | 5V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 25V | 735 pf @ 25 v | - | 90W (TC) | ||||||||||||
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![]() | IXFH50N60X | 10.2963 | ![]() | 2235 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Ultra x | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXFH50 | MOSFET (금속 (() | TO-247 (ixth) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 50A (TC) | 10V | 73mohm @ 25a, 10V | 4.5V @ 4mA | 116 NC @ 10 v | ± 30V | 4660 pf @ 25 v | - | 660W (TC) | ||||||||||||
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![]() | pH6325L, 115 | - | ![]() | 7306 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | pH63 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMJD016N06CTWG | 0.6108 | ![]() | 9076 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | NVMJD016 | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-nvmjd016n06ctwgtr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75639S3S | 1.3700 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 100 v | 56A (TC) | 10V | 25mohm @ 56a, 10V | 4V @ 250µA | 130 nc @ 20 v | ± 20V | 2000 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||||
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![]() | UPA2821T1L-E1-AT | - | ![]() | 3882 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | MOSFET (금속 (() | 8-HWSON (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 26A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 26a, 10V | - | 51 NC @ 10 v | ± 20V | 2490 pf @ 10 v | - | 1.5W (TA) | |||||||||||||
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![]() | DMP2900UFBQ-7B | 0.0476 | ![]() | 8416 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-ufdfn | DMP2900 | MOSFET (금속 (() | X1-DFN1006-3 | - | 31-DMP2900UFBQ-7B | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | p 채널 | 20 v | 990MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 750mohm @ 430ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 0.7 nc @ 4.5 v | ± 6V | 49 pf @ 16 v | - | 550MW (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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