SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
FDPF8N50NZF onsemi fdpf8n50nzf -
RFQ
ECAD 2140 0.00000000 온세미 Unifet-II ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FDPF8 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 7A (TC) 10V 1ohm @ 3.5a, 10V 5V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 25V 735 pf @ 25 v - 40W (TC)
AUIRFR5505TRL Infineon Technologies auirfr5505trl -
RFQ
ECAD 1243 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001519572 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 55 v 18A (TC) 10V 110mohm @ 9.6a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 650 pf @ 25 v - 57W (TC)
STF10NK50Z STMicroelectronics STF10NK50Z -
RFQ
ECAD 2239 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF10N MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 9A (TC) 10V 700mohm @ 4.5a, 10V 4.5V @ 100µa 39.2 NC @ 10 v ± 30V 1219 pf @ 25 v - 30W (TC)
STP80N600K6 STMicroelectronics STP80N600K6 2.5400
RFQ
ECAD 2046 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP80 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 497-STP80N600K6 50 n 채널 800 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10V 4V @ 100µa 10.7 NC @ 10 v ± 30V 540 pf @ 400 v - 86W (TC)
FDBL9401L-F085 onsemi FDBL9401L-F085 -
RFQ
ECAD 6981 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn FDBL9401 MOSFET (금속 (() 8-HPSOF 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 300A (TC) 4.5V, 10V 0.55mohm @ 80a, 10V 3V @ 250µA 376 NC @ 10 v ± 20V 19550 pf @ 20 v - 429W (TC)
IRFR3707Z Infineon Technologies IRFR3707Z -
RFQ
ECAD 4183 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFR3707Z 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 56A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 15a, 10V 2.25V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V 1150 pf @ 15 v - 50W (TC)
FQP3N25 Fairchild Semiconductor FQP3N25 0.2900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 250 v 2.8A (TC) 10V 2.2ohm @ 1.4a, 10V 5V @ 250µA 5.2 NC @ 10 v ± 30V 170 pf @ 25 v - 45W (TC)
ISC027N10NM6ATMA1 Infineon Technologies ISC027N10NM6ATMA1 4.0800
RFQ
ECAD 6757 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn ISC027N MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-ISC027N10NM6ATMA1CT 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 23A (TA), 192a (TC) 8V, 10V 2.7mohm @ 50a, 10V 3.3V @ 116µA 72.5 nc @ 10 v ± 20V 5500 pf @ 50 v - 3W (TA), 217W (TC)
IPP80N06S209AKSA2 Infineon Technologies IPP80N06S209AKSA2 -
RFQ
ECAD 1346 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80N06 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 80A (TC) 10V 9.1mohm @ 50a, 10V 4V @ 125µA 80 nc @ 10 v ± 20V 2360 pf @ 25 v - 190W (TC)
IRFH4213DTRPBF Infineon Technologies IRFH4213DTRPBF -
RFQ
ECAD 5282 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PQFN (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 25 v 40A (TA) 4.5V, 10V 1.35mohm @ 50a, 10V 2.1v @ 100µa 55 NC @ 10 v ± 20V 3520 pf @ 13 v - 3.6W (TA), 96W (TC)
APT30M30JLL Microchip Technology apt30m30jll 40.1200
RFQ
ECAD 2490 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT30M30 MOSFET (금속 (() ISOTOP® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 300 v 88A (TC) 30mohm @ 44a, 10V 5V @ 2.5MA 140 NC @ 10 v 7030 pf @ 25 v -
FDW252P Fairchild Semiconductor FDW252P -
RFQ
ECAD 6011 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,500 p 채널 20 v 8.8A (TA) 2.5V, 4.5V 12.5mohm @ 8.8a, 4.5v 1.5V @ 250µA 66 NC @ 4.5 v ± 12V 5045 pf @ 10 v - 1.3W (TA)
TPCC8002-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8002-H (TE12LQM -
RFQ
ECAD 2576 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSV-H 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 TPCC8002 MOSFET (금속 (() 8 3 3. (3.3x3.3) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 22A (TA) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 11a, 10V 2.5V @ 1mA 27 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 10 v - 700MW (TA), 30W (TC)
PJQ4411P_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4411P_R2_00001 0.6700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4411 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 20 v 13A (TA), 60A (TC) 1.8V, 4.5V 8mohm @ 8a, 4.5v 1V @ 250µA 46.8 NC @ 4.5 v ± 12V 4659 pf @ 15 v - 2W (TA), 60W (TC)
DMT3003LFG-7 Diodes Incorporated DMT3003LFG-7 0.7900
RFQ
ECAD 7337 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT3003 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 22A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 3.2MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 2370 pf @ 15 v - 2.4W (TA), 62W (TC)
IRFS7434TRL7PP International Rectifier IRFS7434TRL7PP -
RFQ
ECAD 3629 0.00000000 국제 국제 Hexfet®, StrongIrfet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() D2PAK-7 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 40 v 240A (TC) 6V, 10V 1MOHM @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 315 NC @ 10 v ± 20V 10250 pf @ 25 v - 245W (TC)
BSP135L6327HTSA1 Infineon Technologies BSP135L6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 7659 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4-21 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 120MA (TA) 0V, 10V 45ohm @ 120ma, 10V 1V @ 94µA 4.9 NC @ 5 v ± 20V 146 pf @ 25 v 고갈 고갈 1.8W (TA)
FDC2612_F095 onsemi FDC2612_F095 -
RFQ
ECAD 6627 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 FDC2612 MOSFET (금속 (() SUPERSOT ™ -6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 1.1A (TA) 10V 725mohm @ 1.1a, 10V 4.5V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 234 pf @ 100 v - 1.6W (TA)
FQP4N80 onsemi FQP4N80 1.9300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP4 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 3.9A (TC) 10V 3.6ohm @ 1.95a, 10V 5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 30V 880 pf @ 25 v - 130W (TC)
IRLMS1503TRPBF Infineon Technologies IRLMS1503TRPBF 0.6500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 IRLMS1503 MOSFET (금속 (() Micro6 ™ (TSOP-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.2A (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 2.2a, 10V 1V @ 250µA 9.6 NC @ 10 v ± 20V 210 pf @ 25 v - 1.7W (TA)
IRFR420TRL Vishay Siliconix irfr420trl -
RFQ
ECAD 9143 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR420 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 2.4A (TC) 10V 3ohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
NTHL082N65S3HF onsemi NTHL082N65S3HF 9.4800
RFQ
ECAD 8755 0.00000000 온세미 FRFET®, SUPERFET® III 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NTHL082 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-NTHL082N65S3HF 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 40A (TC) 82mohm @ 20a, 10V 5V @ 1MA 79 NC @ 10 v ± 30V 3330 pf @ 400 v - 313W (TC)
TK60P03M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage Tk60p03m1, RQ (s -
RFQ
ECAD 6408 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u-mosvi-h 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Tk60p03 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 60A (TA) 4.5V, 10V 6.4mohm @ 30a, 10V 2.3V @ 500µA 40 nc @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 10 v - 63W (TC)
SIHB24N65ET5-GE3 Vishay Siliconix SIHB24N65ET5-GE3 3.7126
RFQ
ECAD 2444 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB24 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 30V 2740 pf @ 100 v - 250W (TC)
SI4058DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4058DY-T1-GE3 0.6200
RFQ
ECAD 3764 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4058 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 10.3A (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 10a, 10V 2.8V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 690 pf @ 50 v - 5.6W (TC)
IXTA180N10T IXYS IXTA180N10T 6.1300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA180 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 615943 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 180A (TC) 10V 6.4mohm @ 25a, 10V 4.5V @ 250µA 151 NC @ 10 v ± 30V 6900 pf @ 25 v - 480W (TC)
FDU6296 Fairchild Semiconductor FDU6296 0.5300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 15A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 31.5 nc @ 10 v ± 20V 1440 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
2SK2848 Sanken 2SK2848 -
RFQ
ECAD 3739 0.00000000 산켄 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SK2848 DK 귀 99 8541.29.0095 3,750 n 채널 600 v 2A (TA) 10V 3.8ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 290 pf @ 10 v - 30W (TC)
STFI5N95K3 STMicroelectronics STFI5N95K3 2.3900
RFQ
ECAD 695 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh3 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-262-3 2 팩 팩, i²pak stfi5n MOSFET (금속 (() I2PAKFP (TO-281) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 950 v 4A (TC) 10V 3.5ohm @ 2a, 10V 5V @ 100µa 19 NC @ 10 v ± 30V 460 pf @ 25 v - 25W (TC)
IRF7464TR Infineon Technologies irf7464tr -
RFQ
ECAD 2100 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 200 v 1.2A (TA) 10V 730mohm @ 720ma, 10V 5.5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 280 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고