SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFD110 Harris Corporation IRFD110 0.5700
RFQ
ECAD 44 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD110 MOSFET (금속 (() 4-DIP, HexDIP, HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 100 v 1A (TA) 10V 540mohm @ 600ma, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
XPH6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage xph6r30anb, l1xhq 1.8400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비) xph6r30 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 45A (TA) 6V, 10V 6.3mohm @ 22.5a, 10V 3.5V @ 500µA 52 NC @ 10 v ± 20V 3240 pf @ 10 v - 960MW (TA), 132W (TC)
SSM6K405TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K405TU, LF 0.3700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6K405 MOSFET (금속 (() UF6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2A (TA) 1.5V, 4V 126mohm @ 1a, 4v 1V @ 1mA 3.4 NC @ 4 v ± 10V 195 pf @ 10 v - 500MW (TA)
SL05N06-TP Micro Commercial Co SL05N06-TP 0.4800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SL05 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 5A (TA) 4.5V, 10V 44mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 26.4 NC @ 10 v ± 20V 1018 pf @ 30 v - 2.5W
2SK2054-T1-AZ Renesas 2SK2054-T1-AZ 0.8300
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 TO-243AA MOSFET (금속 (() MP-2 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SK2054-T1-AZ 귀 99 8541.29.0075 1 n 채널 60 v 3A (TA) 4V, 10V 200mohm @ 1.5a, 10V 2V @ 1mA ± 20V 530 pf @ 10 v - 2W (TA)
DMP1022UFDF-13 Diodes Incorporated DMP1022UFDF-13 0.1733
RFQ
ECAD 2401 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMP1022 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 12 v 9.5A (TA) 1.2V, 4.5V 14.8mohm @ 4a, 4.5v 800MV @ 250µA 48.3 NC @ 4.5 v ± 8V 2712 pf @ 10 v - 730MW (TA)
TK4P60DB(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60DB (T6RSS-Q) -
RFQ
ECAD 1320 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK4P60 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) TK4P60DBT6RSSQ 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 3.7A (TA) 10V 2ohm @ 1.9a, 10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 v ± 30V 540 pf @ 25 v - 80W (TC)
TPC8031-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8031-H (TE12LQM) -
RFQ
ECAD 5858 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TPC8031 MOSFET (금속 (() 8-SOP (5.5x6.0) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 11A (TA) 13.3MOHM @ 5.5A, 10V 2.5V @ 1mA 21 NC @ 10 v 2150 pf @ 10 v - -
IRFR3911TRLPBF Infineon Technologies irfr3911trlpbf -
RFQ
ECAD 3802 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 14A (TC) 10V 115mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 740 pf @ 25 v - 56W (TC)
RJK6013DPP-E0#T2 Renesas Electronics America Inc RJK6013DPP-E0#T2 -
RFQ
ECAD 6503 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 11A (TA) 10V 700mohm @ 5.5a, 10V - 37.5 nc @ 10 v ± 30V 1450 pf @ 25 v - 30W (TC)
PJD55N03_L2_00001 Panjit International Inc. PJD55N03_L2_00001 0.1992
RFQ
ECAD 4928 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD55 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD55N03_L2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 10.5A (TA), 55A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 16a, 10V 2.5V @ 250µA 7.1 NC @ 4.5 v ± 20V 763 pf @ 25 v - 2W (TA), 54W (TC)
STR1P2UH7 STMicroelectronics str1p2uh7 -
RFQ
ECAD 4704 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ H7 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 str1 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.4A (TA) 1.8V, 4.5V 100mohm @ 700ma, 4.5v 1V @ 250µA 4.8 NC @ 4.5 v ± 8V 510 pf @ 10 v - 350MW (TC)
SI1469DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1469DH-T1-GE3 0.6300
RFQ
ECAD 6496 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1469 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.7A (TC) 2.5V, 10V 80mohm @ 2a, 10V 1.5V @ 250µA 8.5 NC @ 4.5 v ± 12V 470 pf @ 10 v - 1.5W (TA), 2.78W (TC)
2SJ438,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438, Q (j -
RFQ
ECAD 2689 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SJ438 TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 5A (TJ)
SSM3K7002KFU,LXH Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KFU, LXH 0.4000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() USM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 400MA (TA) 4.5V, 10V 1.5ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 20V 40 pf @ 10 v - 150MW (TA)
IXTY1R4N100P IXYS IXTY1R4N100P 2.6384
RFQ
ECAD 6346 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IXTY1 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 70 n 채널 1000 v 1.4A (TC) 10V 11ohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 50µA 17.8 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 25 v - 63W (TC)
ZVN4206GTC Diodes Incorporated ZVN4206GTC 0.9400
RFQ
ECAD 5841 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ZVN4206 MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 60 v 1A (TA) 5V, 10V 1ohm @ 1.5a, 10V 3V @ 1mA ± 20V 100 pf @ 25 v - 2W (TA)
2N7002KA-TP Micro Commercial Co 2N7002KA-TP 0.0411
RFQ
ECAD 2395 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 340MA (TJ) 4.5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 40 pf @ 10 v - 350MW
RTF015P02TL Rohm Semiconductor RTF015P02TL 0.7500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 RTF015 MOSFET (금속 (() tumt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.5A (TA) 2.5V, 4.5V 135mohm @ 1.5a, 4.5v 2V @ 1mA 5.2 NC @ 4.5 v ± 12V 560 pf @ 10 v - 800MW (TA)
SSM6K518NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K518NU, LF 0.4100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-wdfn n 패드 SSM6K518 MOSFET (금속 (() 6-udfnb (2x2) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6A (TA) 1.5V, 4.5V 33mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 1mA 3.6 NC @ 4.5 v ± 8V 410 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
PJA3416A_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3416A_R1_00001 0.3500
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3416 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 5.8A (TA) 1.8V, 4.5V 24mohm @ 5.8a, 4.5v 1.2V @ 250µA 10.4 NC @ 4.5 v ± 12V 592 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
IRF3704ZSPBF Infineon Technologies IRF3704ZSPBF -
RFQ
ECAD 4574 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 67A (TC) 4.5V, 10V 7.9mohm @ 21a, 10V 2.55V @ 250µA 13 nc @ 4.5 v ± 20V 1220 pf @ 10 v - 57W (TC)
HUF75329P3 Harris Corporation HUF75329P3 0.5900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 해리스 해리스 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 55 v 49A (TC) 10V 24mohm @ 49a, 10V 4V @ 250µA 75 NC @ 20 v ± 20V 1060 pf @ 25 v - 128W (TC)
FDS6294 Fairchild Semiconductor FDS6294 0.4500
RFQ
ECAD 27 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS62 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 30 v 13A (TA) 4.5V, 10V 11.3mohm @ 13a, 10V 3V @ 250µA 14 nc @ 5 v ± 20V 1205 pf @ 15 v - 3W (TA)
DMTH4014SPSWQ-13 Diodes Incorporated DMTH4014SPSWQ-13 0.2452
RFQ
ECAD 5215 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (유형 ux) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH4014SWSWQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 43.5A (TC) 10V 14.8mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 10.6 NC @ 10 v ± 20V 805 pf @ 20 v - 4W (TA), 46.9W (TC)
BSN20BK215 Nexperia USA Inc. BSN20BK215 -
RFQ
ECAD 2915 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
STU10P6F6 STMicroelectronics stu10p6f6 -
RFQ
ECAD 2036 0.00000000 stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ vi 튜브 쓸모없는 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA stu10p MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 60 v 10A (TC) 10V 160mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 6.4 NC @ 10 v ± 20V 340 pf @ 48 v - 35W (TC)
TPHR8504PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR8504PL, L1Q 1.9400
RFQ
ECAD 5381 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPHR8504 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 150A (TC) 4.5V, 10V 0.85mohm @ 50a, 10V 2.4V @ 1mA 103 NC @ 10 v ± 20V 9600 pf @ 20 v - 1W (TA), 170W (TC)
IRFB13N50APBF Vishay Siliconix IRFB13N50APBF 3.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB13 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 14A (TC) 10V 450mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 81 NC @ 10 v ± 30V 1910 pf @ 25 v - 250W (TC)
IPI120P04P404AKSA1 Infineon Technologies IPI120P04P404AKSA1 -
RFQ
ECAD 1023 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI120P MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000842274 귀 99 8541.29.0095 500 p 채널 40 v 120A (TC) 10V 3.8mohm @ 100a, 10V 4V @ 340µA 205 NC @ 10 v ± 20V 14790 pf @ 25 v - 136W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고