SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
PMV32UP,215 Nexperia USA Inc. PMV32UP, 215 0.5800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV32 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TA) 1.8V, 4.5V 36mohm @ 2.4a, 4.5v 950MV @ 250µA 15.5 nc @ 4.5 v ± 8V 1890 pf @ 10 v - 510MW (TA)
DMG3415UFY4-7 Diodes Incorporated DMG3415UFY4-7 -
RFQ
ECAD 8712 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMG3415 MOSFET (금속 (() DFN2015H4-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 16 v 2.5A (TA) 1.8V, 4.5V 39mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 281.9 pf @ 10 v - 400MW (TA)
PHP14NQ20T,127 NXP USA Inc. PHP14NQ20T, 127 -
RFQ
ECAD 8953 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PHP14 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 14A (TC) 10V 230mohm @ 7a, 10V 4V @ 1MA 38 NC @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 25 v - 125W (TC)
SIHP25N50E-GE3 Vishay Siliconix SIHP25N50E-GE3 3.2100
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP25 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2266-SIHP25N50E-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 26A (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1980 pf @ 100 v - 250W (TC)
IPN80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies IPN80R4K5P7ATMA1 0.8300
RFQ
ECAD 8745 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IPN80R4 MOSFET (금속 (() PG-SOT223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 800 v 1.5A (TC) 10V 4.5ohm @ 400ma, 10V 3.5V @ 20µA 4 NC @ 10 v ± 20V 80 pf @ 500 v - 6W (TC)
AON7502 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7502 0.2537
RFQ
ECAD 1940 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn Aon75 MOSFET (금속 (() 8-DFN-EP (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 21A (TA), 30A (TC) 6V, 10V 4.7mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 25V 1022 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 31W (TC)
CSD17522Q5A Texas Instruments CSD17522Q5A 1.2100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn CSD17522 MOSFET (금속 (() 8-vsonp (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 87A (TC) 4.5V, 10V 8.1mohm @ 14a, 10V 2V @ 250µA 4.3 NC @ 4.5 v ± 20V 695 pf @ 15 v - 3W (TA)
IXFT52N30Q TRL IXYS IXFT52N30Q TRL -
RFQ
ECAD 3258 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT52 MOSFET (금속 (() TO-268 (IXFT) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 300 v 52A (TC) 10V 60mohm @ 26a, 10V 4V @ 4MA 150 nc @ 10 v ± 20V 5300 pf @ 25 v - 360W (TC)
AUIRFZ24NS Infineon Technologies auirfz24ns -
RFQ
ECAD 7214 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 auirfz24 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 17A (TC) 10V 70mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 370 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 45W (TC)
AON6532 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6532 -
RFQ
ECAD 1624 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 AON653 MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 27A (TA), 68A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1080 pf @ 15 v - 5.7W (TA), 35.5W (TC)
MCACD40N03-TP Micro Commercial Co MCACD40N03-TP 0.5600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 MCACD40N03 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000
BSC027N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC027N04LSGATMA1 1.5800
RFQ
ECAD 51 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC027 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 24A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 50a, 10V 2V @ 49µA 85 NC @ 10 v ± 20V 6800 pf @ 20 v - 2.5W (TA), 83W (TC)
RMP3N90LD Rectron USA RMP3N90LD 0.3300
RFQ
ECAD 3260 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RMP3N90LD 8541.10.0080 4,000 n 채널 900 v 3A (TC) 10V 3.2ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250µA ± 30V 850 pf @ 25 v - 50W (TC)
2SK2736-E Renesas Electronics America Inc 2SK2736-E 1.3600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
DIT195N08 Diotec Semiconductor DIT195N08 2.8404
RFQ
ECAD 2 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-DIT195N08 8541.21.0000 50 n 채널 85 v 195a (TC) 10V 40A, 10V 4.95mohm 4V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 20V 16880 pf @ 25 v - 300W (TC)
NP36N055HLE-AY Renesas Electronics America Inc NP36N055HLE-ay 1.2600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
2N7002KHE3-TP Micro Commercial Co 2N7002KHE3-TP 0.2500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 340ma 4.5V, 10V 2.5ohm @ 300ma, 10V 2.5V @ 1mA ± 20V 40 pf @ 10 v - 350MW
2N7002KWA-TP Micro Commercial Co 2N7002KWA-TP 0.3600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 340ma 4.5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 2V @ 250µA ± 20V 40 pf @ 10 v - 200MW
FDMC15N06 onsemi FDMC15N06 0.7788
RFQ
ECAD 6654 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDMC15 MOSFET (금속 (() 8MLP (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 2.4A (TA), 15A (TC) 10V 900mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 11.5 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.3W (TA), 35W (TC)
2SK1133-T2B-A Renesas Electronics America Inc 2SK1133-T2B-A -
RFQ
ECAD 6909 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
SI1488DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1488DH-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6551 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1488 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6.1A (TC) 1.8V, 4.5V 49mohm @ 4.6a, 4.5v 950MV @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 530 pf @ 10 v - 1.5W (TA), 2.8W (TC)
MCT03N06-TP Micro Commercial Co MCT03N06-TP 0.1645
RFQ
ECAD 7983 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MCT03 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 353-MCT03N06-TP 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 3A 4.5V, 10V 105mohm @ 3a, 10V 2V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 20V 247 pf @ 30 v - 1.2W
SIHD3N50D-BE3 Vishay Siliconix SIHD3N50D-BE3 0.9200
RFQ
ECAD 1899 0.00000000 Vishay Siliconix 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD3 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-SIHD3N50D-BE3 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 500 v 3A (TC) 10V 3.2ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 30V 175 pf @ 100 v - 69W (TC)
BUK661R8-30C,118 NXP USA Inc. BUK661R8-30C, 118 1.1300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 120A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 168 NC @ 10 v ± 16V 10918 pf @ 25 v - 263W (TC)
STB5NK50Z-1 STMicroelectronics STB5NK50Z-1 -
RFQ
ECAD 9829 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STB5N MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 500 v 4.4A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10V 4.5V @ 50µA 28 nc @ 10 v ± 30V 535 pf @ 25 v - 70W (TC)
AON7458 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7458 0.2226
RFQ
ECAD 6777 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn AON745 MOSFET (금속 (() 8-DFN-EP (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 250 v 1.5A (TA), 5A (TC) 10V 560mohm @ 1.5a, 10V 4.3V @ 250µA 7.2 NC @ 10 v ± 30V 370 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 33W (TC)
MCTL270N04Y-TP Micro Commercial Co MCTL270N04Y-TP 3.2100
RFQ
ECAD 5628 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn MOSFET (금속 (() Toll-8l - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 270A (TC) 6V, 10V 2MOHM @ 30A, 10V 4.4V @ 250µA 135.6 NC @ 10 v ± 20V 8010 pf @ 25 v - 391W (TJ)
FDD9509L onsemi FDD9509L -
RFQ
ECAD 3302 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 - 영향을받지 영향을받지 488-FDD9509L 쓸모없는 1
SIR5112DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5112dp-t1-Re3 1.8000
RFQ
ECAD 7663 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir5112 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 12.6A (TA), 42.6A (TC) 7.5V, 10V 14.9mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 790 pf @ 50 v - 5W (TA), 56.8W (TC)
FDB3652 onsemi FDB3652 2.2200
RFQ
ECAD 5895 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB365 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 9A (TA), 61A (TC) 6V, 10V 16MOHM @ 61A, 10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 20V 2880 pf @ 25 v - 150W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고