SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
NVH4L020N090SC1 onsemi NVH4L020N090SC1 52.5100
RFQ
ECAD 450 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 MOSFET (금속 (() TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 900 v 116A (TC) 15V, 18V 16mohm @ 60a, 18V 4.3v @ 20ma 196 NC @ 15 v +22V, -8V 4415 pf @ 450 v - 484W (TC)
FDMC8327L-L701 onsemi FDMC8327L-L701 0.7510
RFQ
ECAD 8283 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8MLP (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-FDMC8327L-L701TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 12A (TA), 14A (TC) 4.5V, 10V 9.7mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 1850 pf @ 20 v - 2.3W (TA), 30W (TC)
NTTFS115P10M5 onsemi NTTFS115P10M5 0.9800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 100 v 2A (TA), 13A (TC) 6V, 10V 120mohm @ 2.4a, 10V 4V @ 45µA 9.2 NC @ 10 v ± 20V 637 pf @ 50 v - 900MW (TA), 41W (TC)
BSS138-F169 onsemi BSS138-F169 -
RFQ
ECAD 1749 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) - Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2832-BSS138-F169TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 220MA (TA) 4.5V, 10V 3.5ohm @ 220ma, 10V 1.5V @ 1mA 2.4 NC @ 10 v ± 20V 27 pf @ 25 v - 360MW (TA)
PJD55N03_L2_00001 Panjit International Inc. PJD55N03_L2_00001 0.1992
RFQ
ECAD 4928 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD55 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD55N03_L2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 10.5A (TA), 55A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 16a, 10V 2.5V @ 250µA 7.1 NC @ 4.5 v ± 20V 763 pf @ 25 v - 2W (TA), 54W (TC)
PJD18N20_L2_00001 Panjit International Inc. PJD18N20_L2_00001 0.9600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD18N20 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD18N20_L2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 18A (TC) 10V 160mohm @ 9a, 10V 3V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1017 pf @ 25 v - 83W (TC)
BSS138BKT116 Rohm Semiconductor BSS138BKT116 0.4200
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 400MA (TA) 2.5V, 10V 680mohm @ 400ma, 10V 2V @ 10µA ± 20V 47 pf @ 30 v - 200MW (TA)
RS3E130ATTB1 Rohm Semiconductor RS3E130ATTB1 2.0500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RS3E MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 13A (TA) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 13a, 10V 2.5V @ 2MA 83 NC @ 10 v ± 20V 3730 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
R6002ENHTB1 Rohm Semiconductor R6002enhtb1 1.1900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) R6002 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 1.7A (TA) 10V 3.4ohm @ 500ma, 10V 4V @ 1MA 6.5 NC @ 10 v ± 20V 65 pf @ 25 v - 2W (TA)
PMV88ENER Nexperia USA Inc. pmv88ener 0.3700
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 2.2A (TA) 4.5V, 10V 117mohm @ 2.2a, 10V 2.7V @ 250µA 6 nc @ 10 v ± 20V 196 pf @ 30 v - 615MW (TA), 7.5W (TC)
PJA3476_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3476_R1_00001 0.3500
RFQ
ECAD 429 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3476 MOSFET (금속 (() SOT-23 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJA3476_R1_00001CT 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 300MA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 300ma, 10V 2.5V @ 250µA 1.8 nc @ 10 v ± 20V 45 pf @ 25 v - 500MW (TA)
PJQ5440-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5440-AU_R2_000A1 1.7700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5440 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 17A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 5214 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 83.3W (TC)
PJQ5446-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5446-AU_R2_000A1 0.7300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5446 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 12A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1258 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 83.3W (TC)
SIA4265EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA4265EDJ-T1-GE3 0.4200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIA4265EDJ-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 7.8A (TA), 9A (TC) 1.8V, 4.5V 32mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 36 nc @ 8 v ± 8V 1180 pf @ 0 v - 2.9W (TA), 15.6W (TC)
SISA14BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA14BDN-T1-GE3 0.7100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 21A (TA), 72A (TC) 4.5V, 10V 5.38mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 22 nc @ 10 v +20V, -16V 917 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 45W (TC)
PJQ4446P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjq4446p-au_r2_000a1 0.8700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4446 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq4446p-au_r2_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 10.5A (TA), 48A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1258 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 50W (TC)
PJD85N03-AU_L2_000A1 Panjit International Inc. pjd85n03-au_l2_000a1 0.4455
RFQ
ECAD 2393 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD85 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjd85n03-au_l2_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 16A (TA), 85A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 23 NC @ 4.5 v ± 20V 2436 pf @ 25 v - 2W (TA), 58W (TC)
PJW7N06A_R2_00001 Panjit International Inc. PJW7N06A_R2_00001 0.5400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PJW7N06 MOSFET (금속 (() SOT-223 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 6.6A (TC) 4.5V, 10V 34mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1173 pf @ 25 v - 3.1W (TC)
PJF7NA80_T0_00001 Panjit International Inc. PJF7NA80_T0_00001 -
RFQ
ECAD 8035 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF7NA80 MOSFET (금속 (() ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJF7NA80_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 7A (TA) 10V 1.55ohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 1082 pf @ 25 v - 50W (TC)
PJF2NA70_T0_00001 Panjit International Inc. PJF2NA70_T0_00001 -
RFQ
ECAD 9272 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF2NA70 MOSFET (금속 (() ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJF2NA70_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 700 v 2A (TA) 10V 6.5ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 7.8 NC @ 10 v ± 30V 260 pf @ 25 v - 28W (TC)
PJQ5448_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5448_R2_00001 -
RFQ
ECAD 6875 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5448 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5448_R2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 9.6A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 20V 1040 pf @ 20 v - 2W (TA), 54W (TC)
PJQ5450_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5450_R2_00001 0.1641
RFQ
ECAD 4409 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5450 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5450_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 5.9A (TA), 21A (TC) 4.5V, 10V 32mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 4.4 NC @ 4.5 v ± 20V 425 pf @ 25 v - 2W (TA), 25W (TC)
PJS6461-AU_S1_000A1 Panjit International Inc. PJS6461-AU_S1_000A1 0.7300
RFQ
ECAD 44 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6461 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 3.2A (TA) 4.5V, 10V 110mohm @ 3.2a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 785 pf @ 30 v - 2W (TA)
PJQ4441P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjq4441p-au_r2_000a1 0.7100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4441 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq4441p-au_r2_000a1dkr 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 40 v 8.5A (TA), 44A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 20V 2030 pf @ 25 v - 2W (TA), 59.5W (TC)
PJS6461_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6461_S1_00001 0.4600
RFQ
ECAD 48 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6461 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6461_S1_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 3.2A (TA) 4.5V, 10V 110mohm @ 3.2a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 785 pf @ 30 v - 2W (TA)
PJS6415AE_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6415AE_S1_00001 0.4000
RFQ
ECAD 3688 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6415 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6415AE_S1_00001CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.9A (TA) 1.8V, 10V 60mohm @ 4.9a, 10V 1.2V @ 250µA 6.9 NC @ 4.5 v ± 12V 602 pf @ 10 v - 2W (TA)
PJQ4448P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ4448P-AU_R2_000A1 0.5900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4448 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq4448p-au_r2_000a1ct 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 10A (TA), 42A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 20V 1040 pf @ 20 v - 2.4W (TA), 42W (TC)
PJQ1902_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ1902_R1_00001 0.4400
RFQ
ECAD 9553 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn PJQ1902 MOSFET (금속 (() 3-DFN (0.6x1) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ1902_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 8,000 n 채널 30 v 500MA (TA) 1.5V, 4.5V 1.2ohm @ 350ma, 4.5v 1.1V @ 250µA 0.87 NC @ 4.5 v ± 10V 34 pf @ 15 v - 700MW (TA)
PJF60R190E_T0_00001 Panjit International Inc. PJF60R190E_T0_00001 0.1728
RFQ
ECAD 4117 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF60R190E MOSFET (금속 (() ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJF60R190E_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 2.1A (TA), 20A (TC) 10V 196MOHM @ 10A, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 20V 1421 pf @ 25 v - 1.04W (TA), 68W (TC)
C3M0025065J1 Wolfspeed, Inc. C3M0025065J1 28.1500
RFQ
ECAD 609 0.00000000 Wolfspeed, Inc. C3M ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA sicfet ((카바이드) TO-263-7 다운로드 3 (168 시간) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 80A (TC) 15V 34mohm @ 33.5a, 15V 3.6v @ 9.22ma 109 NC @ 15 v +19V, -8V 2980 pf @ 400 v - 271W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고