SIC
close

단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
PSMN041-80YL115 NXP USA Inc. PSMN041-80YL15 1.0000
RFQ
 ECAD 3638 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BSS84AKM,315 NXP USA Inc. BSS84AKM, 315 -
RFQ
 ECAD 1687 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 MOSFET (금속 (() DFN1006-3 다운로드 귀 99 8541.21.0095 1 p 채널 50 v 230MA (TA) 10V 7.5ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.35 nc @ 5 v ± 20V 36 pf @ 25 v - 340MW (TA), 2.7W (TC)
FQU5N40TU Fairchild Semiconductor fqu5n40tu 0.5600
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 귀 99 8542.39.0001 535 n 채널 400 v 3.4A (TC) 10V 1.6ohm @ 1.7a, 10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 460 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 45W (TC)
IPA50R140CP Infineon Technologies IPA50R140CP -
RFQ
 ECAD 3700 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-111 다운로드 귀 99 8542.39.0001 80 n 채널 500 v 23A (TC) 10V 140mohm @ 14a, 10V 3.5V @ 930µA 64 NC @ 10 v ± 20V 2540 pf @ 100 v - 34W (TC)
FCH060N80-F155 Fairchild Semiconductor FCH060N80-F155 1.0000
RFQ
 ECAD 3001 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Superfet® II 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 0000.00.0000 1 n 채널 800 v 56A (TC) 10V 60mohm @ 29a, 10V 4.5V @ 5.8ma 350 NC @ 10 v ± 20V 14685 pf @ 100 v - 500W (TC)
IPS80R1K4P7 Infineon Technologies IPS80R1K4P7 0.5800
RFQ
 ECAD 2173 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos P7 ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() PG-to251 다운로드 귀 99 8542.39.0001 375 n 채널 800 v 4A (TJ) 10V 1.4ohm @ 1.4a, 10V 3.5V @ 700µA 10 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 500 v - 32W (TC)
IRFR120NTRRPBF International Rectifier irfr120ntrrpbf -
RFQ
 ECAD 9869 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 귀 99 8542.39.0001 145 n 채널 100 v 9.4A (TC) 10V 210mohm @ 5.6a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 330 pf @ 25 v - 48W (TC)
FCPF190N60E-F154 onsemi FCPF190N60E-F154 2.1745
RFQ
 ECAD 9960 0.00000000 온세미 Superfet® II 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FCPF190 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-FCPF190N60E-F154 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 20.6A (TJ) 190mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 82 NC @ 10 v ± 20V 3175 pf @ 25 v - 39W (TC)
FCPF380N60-F154 onsemi FCP380N60-F154 1.5282
RFQ
 ECAD 1166 0.00000000 온세미 Superfet® II 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 fcpf380 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 10.2A (TJ) 380mohm @ 5a, 10V 3.5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 1665 pf @ 25 v - 31W (TC)
RS1G201ATTB1 Rohm Semiconductor RS1G201ATTB1 2.8600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn Rs1g MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 20A (TA), 78A (TC) 5.2MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 1mA 130 NC @ 10 v ± 20V 6890 pf @ 20 v - 3W (TA), 40W (TC)
RTF016N05FRATL Rohm Semiconductor RTF016N05FRATL 0.6900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 3-smd,, 리드 RTF016 MOSFET (금속 (() tumt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 45 v 1.6A (TA) 190mohm @ 1.6a, 4.5v 1.5V @ 1mA 2.3 NC @ 4.5 v ± 12V 150 pf @ 10 v - 800MW
IRFH8202TRPBFTR Infineon Technologies irfh8202trpbftr -
RFQ
 ECAD 6572 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 귀 99 8541.29.0095 1
IRF200S234 International Rectifier IRF200S234 -
RFQ
 ECAD 5507 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 200 v 90A 10V 16.9mohm @ 51a, 10V 5V @ 250µA 162 NC @ 10 v ± 20V 6484 pf @ 50 v - 417W (TC)
AUIRFSL8405 International Rectifier auirfsl8405 -
RFQ
 ECAD 6271 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 2.3mohm @ 100a, 10V 3.9V @ 100µA 161 NC @ 10 v ± 20V 5193 pf @ 25 v - 163W (TC)
FQPF6N80T Fairchild Semiconductor FQPF6N80T 1.1600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 800 v 3.3A (TC) 10V 1.95ohm @ 1.65a, 10V 5V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 30V 1500 pf @ 25 v - 51W (TC)
IRFR7440TRPBF International Rectifier irfr7440trpbf -
RFQ
 ECAD 2155 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 176-LQFP MOSFET (금속 (() 176-LQFP (24x24) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 40 v 90A (TC) 6V, 10V 2.4mohm @ 90a, 10V 3.9V @ 100µA 134 NC @ 10 v ± 20V 4610 pf @ 25 v - 140W (TC)
IPW60R199CP Infineon Technologies IPW60R199CP -
RFQ
 ECAD 3900 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() PG-to247-3-21 다운로드 0000.00.0000 1 n 채널 600 v 16A (TC) 10V 199mohm @ 9.9a, 10V 3.5V @ 660µA 43 NC @ 10 v ± 20V 1520 pf @ 100 v - 139W (TC)
FCH25N60N Fairchild Semiconductor FCH25N60N 3.7500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Supremos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 귀 99 8542.39.0001 80 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 126MOHM @ 12.5A, 10V 4V @ 250µA 74 NC @ 10 v ± 30V 3352 pf @ 100 v - 216W (TC)
FQP20N06L Fairchild Semiconductor FQP20N06L -
RFQ
 ECAD 2169 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 - 0000.00.0000 1 n 채널 60 v 21A (TC) 5V, 10V 55mohm @ 10.5a, 10V 2.5V @ 250µA 13 nc @ 5 v ± 20V 630 pf @ 25 v - 53W (TC)
PMCM6501VPEZ NXP Semiconductors PMCM6501VPEZ 0.2000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 nxp 반도체 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-XFBGA, WLCSP MOSFET (금속 (() 6-WLCSP (1.48x0.98) 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1,528 p 채널 12 v 6.2A (TA) 1.8V, 4.5V 25mohm @ 3a, 4.5v 900MV @ 250µA 29.4 NC @ 4.5 v ± 8V 1400 pf @ 6 v - 556MW (TA), 12.5W (TC)
STW68N65DM6-4AG STMicroelectronics STW68N65DM6-4AG 12.3100
RFQ
 ECAD 9273 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, MDMESH ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 STW68 MOSFET (금속 (() TO-247-4 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 497-STW68N65DM6-4AG 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 72A (TC) 39mohm @ 36a, 10V 4.75V @ 250µA 118 NC @ 10 v ± 25V 5900 pf @ 100 v - 480W (TC)
NTMFS034N15MC onsemi NTMFS034N15MC 2.0100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NTMFS034 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 6.1A (TA), 31A (TC) 31mohm @ 13a, 10V 4.5V @ 70µA 12 nc @ 10 v ± 20V 905 pf @ 75 v - 2.5W (TA), 62.5W (TC)
NTHL082N65S3HF onsemi NTHL082N65S3HF 9.4800
RFQ
 ECAD 8755 0.00000000 온세미 FRFET®, SUPERFET® III 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NTHL082 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-NTHL082N65S3HF 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 40A (TC) 82mohm @ 20a, 10V 5V @ 1MA 79 NC @ 10 v ± 30V 3330 pf @ 400 v - 313W (TC)
FDBL9406-F085T6 onsemi FDBL9406-F085T6 5.8200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn FDBL9406 MOSFET (금속 (() 8-HPSOF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-FDBL9406-F085T6TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 45A (TA), 240A (TC) 1.21mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 190µA 75 NC @ 10 v +20V, -16V 4960 pf @ 25 v - 4.3W (TA), 136.4W (TC)
FDD6688 Fairchild Semiconductor FDD6688 1.1100
RFQ
 ECAD 149 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 30 v 84A (TA) 4.5V, 10V 5mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V 3845 pf @ 15 v - 83W (TA)
BUK6607-75C,118 NXP USA Inc. BUK6607-75C, 118 -
RFQ
 ECAD 9969 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 75 v 100A (TC) 10V 7mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 123 NC @ 10 v ± 16V 7600 pf @ 25 v - 204W (TC)
BSS214NWH6327 Infineon Technologies BSS214NWH6327 1.0000
RFQ
 ECAD 7135 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 2 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() PG-SOT323-3-2 다운로드 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 20 v 1.5A (TA) 2.5V, 4.5V 140mohm @ 1.5a, 4.5v 1.2V @ 3.7µA 0.8 nc @ 5 v ± 12V 143 pf @ 10 v - 500MW (TA)
BUK9D23-40E,115 Nexperia USA Inc. BUK9D23-40E, 115 -
RFQ
 ECAD 2995 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
AUIRF1404S International Rectifier AUIRF1404S 3.3600
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 4mohm @ 95a, 10V 4V @ 250µA 200 nc @ 10 v ± 20V 7360 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
AUIRFR3504Z International Rectifier auirfr3504z 0.8200
RFQ
 ECAD 7953 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 42A (TC) 10V 9MOHM @ 42A, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1510 pf @ 25 v - 90W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다