SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
BSC040N10NS5SCATMA1 Infineon Technologies BSC040N10NS5SCATMA1 3.9800
RFQ
ECAD 5506 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn BSC040 MOSFET (금속 (() PG-WSON-8-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-BSC040N10NS5SCATMA1CT 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 100 v 140A (TC) 6V, 10V 4mohm @ 50a, 10V 3.8V @ 95µA 72 NC @ 10 v ± 20V 5300 pf @ 50 v - 3W (TA), 167W (TC)
IRFCZ44VB Infineon Technologies IRFCZ44VB -
RFQ
ECAD 9434 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 대부분 쓸모없는 - 표면 표면 주사위 MOSFET (금속 (() 주사위 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 448-IRFCZ44VB 쓸모없는 1 - 60 v 55A 10V 16.5mohm @ 55a, 10V - - - -
IRFC260NB Infineon Technologies IRFC260NB -
RFQ
ECAD 1905 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 대부분 쓸모없는 - 표면 표면 주사위 MOSFET (금속 (() 주사위 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 448-IRFC260NB 쓸모없는 1 - 200 v 50a 10V 40mohm @ 50a, 10V - - - -
RQ7L050ATTCR Rohm Semiconductor RQ7L050ATTCR 1.2100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 RQ7L050 MOSFET (금속 (() TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 5A (TA) 4.5V, 10V 39mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 38 NC @ 10 v ± 20V 2160 pf @ 30 v - 1.1W (TA)
PHB21N06LT,118 NXP USA Inc. PHB21N06LT, 118 0.3700
RFQ
ECAD 978 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1 n 채널 55 v 19A (TC) 5V, 10V 70mohm @ 10a, 10V 2V @ 1mA 9.4 NC @ 5 v ± 15V 650 pf @ 25 v - 56W (TC)
BUK765R2-40B,118 NXP USA Inc. BUK765R2-40B, 118 0.7900
RFQ
ECAD 13 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 379 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 5.2MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 52 NC @ 10 v ± 20V 3789 pf @ 25 v - 203W (TC)
IRF840RU Harris Corporation IRF840RU -
RFQ
ECAD 5093 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 150
FDD5680 Fairchild Semiconductor FDD5680 -
RFQ
ECAD 1442 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 8.5A (TA) 6V, 10V 21mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 1835 pf @ 30 v - 2.8W (TA), 60W (TC)
FDA16N50-F109 Fairchild Semiconductor FDA16N50-F109 1.5600
RFQ
ECAD 270 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 귀 99 8542.39.0001 270 n 채널 500 v 16.5A (TC) 10V 380mohm @ 8.3a, 10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 30V 1945 pf @ 25 v - 205W (TC)
RV8L002SNHZGG2CR Rohm Semiconductor RV8L002SNHZGG2CR 0.5800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn RV8L002 MOSFET (금속 (() DFN1010-3W 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 8,000 n 채널 60 v 250MA (TA) 2.4ohm @ 250ma, 10V 2.3v @ 1ma ± 20V 15 pf @ 25 v - 1W (TA)
SI7116BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7116BDN-T1-GE3 1.1600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7116 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 18.4A (TA), 65A (TC) 7.4mohm @ 16a, 10V 2.5V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 20V 1915 pf @ 20 v - 5W (TA), 62.5W (TC)
IAUC120N04S6L012ATMA1 Infineon Technologies IAUC120N04S6L012ATMA1 1.7800
RFQ
ECAD 14 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IAUC120 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 120A (TC) 4.5V, 10V 1.21MOHM @ 60A, 10V 2V @ 60µA 80 nc @ 10 v ± 16V 4832 pf @ 25 v - 115W (TC)
IXTA94N20X4 IXYS IXTA94N20X4 12.8000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ixys x4 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA94 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 238-IXTA94N20X4 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 94A (TC) 10V 10.6mohm @ 47a, 10V 4.5V @ 250µA 77 NC @ 10 v ± 20V 5050 pf @ 25 v - 360W (TC)
BUK7M21-40E,115 NXP Semiconductors BUK7M21-40E, 115 1.0000
RFQ
ECAD 6146 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
CPH3442-TL-E Sanyo CPH3442-TL-E 0.4100
RFQ
ECAD 2944 0.00000000 Sanyo - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 MOSFET (금속 (() 3-cph - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 81 n 채널 30 v 6.5A (TA) 24mohm @ 3a, 4v - 16.1 NC @ 4 v 1295 pf @ 10 v - 1.2W (TA)
PH5830DL,115 NXP USA Inc. ph5830dl, 115 0.2200
RFQ
ECAD 106 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
BUK762R6-40E118 NXP USA Inc. BUK762R6-40E118 -
RFQ
ECAD 3400 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
FQPF17N40T Fairchild Semiconductor FQPF17N40T 1.8300
RFQ
ECAD 642 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 400 v 9.5A (TC) 10V 270mohm @ 4.75a, 10V 5V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 30V 2300 pf @ 25 v - 56W (TC)
BUK969R3-100E,118 NXP USA Inc. BUK969R3-100E, 118 1.1100
RFQ
ECAD 8475 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 100A (TC) 5V, 10V 8.9mohm @ 25a, 10V 2.1v @ 1ma 94.3 NC @ 5 v ± 10V 11650 pf @ 25 v - 263W (TC)
IRFS4620PBF International Rectifier IRFS4620PBF 1.0000
RFQ
ECAD 1444 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 24A (TC) 10V 77.5mohm @ 15a, 10V 5V @ 100µa 38 NC @ 10 v ± 20V 1710 pf @ 50 v - 144W (TC)
PHB18NQ10T,118 NXP USA Inc. PHB18NQ10T, 118 0.4500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 727 n 채널 100 v 18A (TC) 10V 90mohm @ 9a, 10V 4V @ 1MA 21 NC @ 10 v ± 20V 633 pf @ 25 v - 79W (TC)
IRLR7833TRPBF International Rectifier IRLR7833TRPBF -
RFQ
ECAD 7124 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 30 v 140A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 4010 pf @ 15 v - 140W (TC)
FDS9435A Fairchild Semiconductor FDS9435A -
RFQ
ECAD 8938 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 p 채널 30 v 5.3A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 5.3a, 10V 3V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 25V 528 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IPP062NE7N3G Infineon Technologies IPP062NE7N3G 1.0000
RFQ
ECAD 3188 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 75 v 80A (TC) 10V 6.2MOHM @ 73A, 10V 3.8V @ 70µA 55 NC @ 10 v ± 20V 3840 pf @ 37.5 v - 136W (TC)
PSMN030-150P,127 NXP USA Inc. PSMN030-150P, 127 -
RFQ
ECAD 5355 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PSMN0 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000
PSMN1R5-30YL,115 NXP USA Inc. PSMN1R5-30YL, 115 -
RFQ
ECAD 3777 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PSMN1 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500
CMS46N03V8-HF Comchip Technology CMS46N03V8-HF -
RFQ
ECAD 8661 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn CMS46 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (SPR-PAK) (3.3x3.3) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-CMS46N03V8-HFTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 46A (TC) 9mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 12.8 nc @ 4.5 v ± 20V 1317 pf @ 15 v - 1.67W (TA), 29W (TC)
CMS75P06CT-HF Comchip Technology CMS75P06CT-HF -
RFQ
ECAD 9017 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 CMS75 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-CMS75P06CT-HFTR 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 75A (TC) 9.5mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 141 NC @ 10 v ± 20V 8620 pf @ 25 v - 2W (TA), 183W (TC)
BSS7728NH6327 Infineon Technologies BSS7728NH6327 -
RFQ
ECAD 9911 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() PG-SOT23-3-5 다운로드 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 60 v 200MA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 2.3V @ 26µA 1.5 nc @ 10 v ± 20V 56 pf @ 25 v - 360MW (TA)
FDB9409-F085 Fairchild Semiconductor FDB9409-F085 1.0000
RFQ
ECAD 2313 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 3.5mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V 2980 pf @ 25 v - 94W (TJ)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고