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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSC040N10NS5SCATMA1 | 3.9800 | ![]() | 5506 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | BSC040 | MOSFET (금속 (() | PG-WSON-8-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 448-BSC040N10NS5SCATMA1CT | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 100 v | 140A (TC) | 6V, 10V | 4mohm @ 50a, 10V | 3.8V @ 95µA | 72 NC @ 10 v | ± 20V | 5300 pf @ 50 v | - | 3W (TA), 167W (TC) | |
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![]() | IRFC260NB | - | ![]() | 1905 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 대부분 | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | 주사위 | MOSFET (금속 (() | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 448-IRFC260NB | 쓸모없는 | 1 | - | 200 v | 50a | 10V | 40mohm @ 50a, 10V | - | - | - | - | ||||||
![]() | RQ7L050ATTCR | 1.2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | RQ7L050 | MOSFET (금속 (() | TSMT8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 5A (TA) | 4.5V, 10V | 39mohm @ 5a, 10V | 2.5V @ 1mA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 2160 pf @ 30 v | - | 1.1W (TA) | ||
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![]() | ph5830dl, 115 | 0.2200 | ![]() | 106 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | BUK762R6-40E118 | - | ![]() | 3400 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF17N40T | 1.8300 | ![]() | 642 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 400 v | 9.5A (TC) | 10V | 270mohm @ 4.75a, 10V | 5V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 30V | 2300 pf @ 25 v | - | 56W (TC) | ||||||
![]() | BUK969R3-100E, 118 | 1.1100 | ![]() | 8475 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 100A (TC) | 5V, 10V | 8.9mohm @ 25a, 10V | 2.1v @ 1ma | 94.3 NC @ 5 v | ± 10V | 11650 pf @ 25 v | - | 263W (TC) | ||||||
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![]() | PHB18NQ10T, 118 | 0.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 727 | n 채널 | 100 v | 18A (TC) | 10V | 90mohm @ 9a, 10V | 4V @ 1MA | 21 NC @ 10 v | ± 20V | 633 pf @ 25 v | - | 79W (TC) | ||||||
![]() | IRLR7833TRPBF | - | ![]() | 7124 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 30 v | 140A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 15a, 10V | 2.3V @ 250µA | 50 nc @ 4.5 v | ± 20V | 4010 pf @ 15 v | - | 140W (TC) | ||||||
![]() | FDS9435A | - | ![]() | 8938 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | p 채널 | 30 v | 5.3A (TA) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 5.3a, 10V | 3V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 25V | 528 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||||||
![]() | IPP062NE7N3G | 1.0000 | ![]() | 3188 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 3 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 75 v | 80A (TC) | 10V | 6.2MOHM @ 73A, 10V | 3.8V @ 70µA | 55 NC @ 10 v | ± 20V | 3840 pf @ 37.5 v | - | 136W (TC) | ||||||
![]() | PSMN030-150P, 127 | - | ![]() | 5355 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PSMN0 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||
![]() | PSMN1R5-30YL, 115 | - | ![]() | 3777 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PSMN1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | |||||||||||||||||||
![]() | CMS46N03V8-HF | - | ![]() | 8661 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | CMS46 | MOSFET (금속 (() | 8-PDFN (SPR-PAK) (3.3x3.3) | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 641-CMS46N03V8-HFTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 46A (TC) | 9mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 12.8 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1317 pf @ 15 v | - | 1.67W (TA), 29W (TC) | |||
![]() | CMS75P06CT-HF | - | ![]() | 9017 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | CMS75 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 641-CMS75P06CT-HFTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 60 v | 75A (TC) | 9.5mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 141 NC @ 10 v | ± 20V | 8620 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 183W (TC) | |||
![]() | BSS7728NH6327 | - | ![]() | 9911 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT23-3-5 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | n 채널 | 60 v | 200MA (TA) | 4.5V, 10V | 5ohm @ 500ma, 10V | 2.3V @ 26µA | 1.5 nc @ 10 v | ± 20V | 56 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) | ||||||
![]() | FDB9409-F085 | 1.0000 | ![]() | 2313 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 10V | 3.5mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 56 NC @ 10 v | ± 20V | 2980 pf @ 25 v | - | 94W (TJ) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고