SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IPD80N06S3-09 Infineon Technologies IPD80N06S3-09 -
RFQ
ECAD 9664 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD80N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 80A (TC) 10V 8.4mohm @ 40a, 10V 4V @ 55µA 88 NC @ 10 v ± 20V 6100 pf @ 25 v - 107W (TC)
NVMFS5C645NLT1G onsemi NVMFS5C645NLT1G -
RFQ
ECAD 9120 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2832-NVMFS5C645NLT1G-488 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 22A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 50 v - 3.7W (TA), 79W (TC)
UJ4SC075018B7S Qorvo UJ4SC075018B7S 19.8000
RFQ
ECAD 798 0.00000000 Qorvo - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA UJ4SC075 Sicfet (Cascode Sicjfet) D2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 750 v 72A (TC) 12V 23mohm @ 50a, 12v 6V @ 10MA 37.8 nc @ 15 v ± 20V 1414 pf @ 400 v - 259W (TC)
IPP120N08S404AKSA1 Infineon Technologies IPP120N08S404AKSA1 -
RFQ
ECAD 7519 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP120 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 80 v 120A (TC) 10V 4.4mohm @ 100a, 10V 4V @ 120µA 95 NC @ 10 v ± 20V 6450 pf @ 25 v - 179W (TC)
FQB5N50CFTM Fairchild Semiconductor fqb5n50cftm -
RFQ
ECAD 3311 0.00000000 페어차일드 페어차일드 FRFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 58 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.55ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 625 pf @ 25 v - 96W (TC)
BUK653R7-30C,127 NXP USA Inc. BUK653R7-30C, 127 -
RFQ
ECAD 4875 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 buk65 MOSFET (금속 (() TO-220AB - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 78 NC @ 10 v ± 16V 4707 pf @ 25 v - 158W (TC)
BUK9535-100A,127 Nexperia USA Inc. BUK9535-100A, 127 -
RFQ
ECAD 6834 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 41A (TC) 4.5V, 10V 34mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA ± 10V 3573 pf @ 25 v - 149W (TC)
GC20N65T Goford Semiconductor GC20N65T 2.7300
RFQ
ECAD 85 0.00000000 goford 반도체 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 20A (TC) 10V 170mohm @ 10a, 10V 4.5V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1724 pf @ 100 v - 151W (TC)
IRL1404ZS Infineon Technologies IRL1404ZS -
RFQ
ECAD 9339 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 75A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 75a, 10V 2.7V @ 250µA 110 NC @ 5 v ± 16V 5080 pf @ 25 v - 230W (TC)
IPB60R385CPATMA1 Infineon Technologies IPB60R385CPATMA1 -
RFQ
ECAD 4600 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CP 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB60R MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 385mohm @ 5.2a, 10V 3.5V @ 340µA 22 nc @ 10 v ± 20V 790 pf @ 100 v - 83W (TC)
DMN2114SN-7 Diodes Incorporated DMN2114SN-7 -
RFQ
ECAD 5132 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2114 MOSFET (금속 (() SC-59-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1.2A (TA) 2.5V, 4.5V 100mohm @ 500ma, 4.5v 1.4V @ 1mA ± 12V 180 pf @ 10 v - 500MW (TA)
IPB100N04S2L03ATMA1 Infineon Technologies IPB100N04S2L03ATMA1 -
RFQ
ECAD 8882 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB100N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 80A, 10V 2V @ 250µA 230 nc @ 10 v ± 20V 6000 pf @ 25 v - 300W (TC)
SPP15P10PGHKSA1 Infineon Technologies spp15p10pghksa1 -
RFQ
ECAD 9018 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp15p MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 p 채널 100 v 15A (TC) 10V 240mohm @ 10.6a, 10V 2.1V @ 1.54ma 48 NC @ 10 v ± 20V 1280 pf @ 25 v - 128W (TC)
IPP26CNE8N G Infineon Technologies IPP26CNE8N g -
RFQ
ECAD 1095 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP26C MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 85 v 35A (TC) 10V 26mohm @ 35a, 10V 4V @ 39µA 31 NC @ 10 v ± 20V 2070 pf @ 40 v - 71W (TC)
TPCP8001-H(TE85LFM Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8001-H (TE85LFM -
RFQ
ECAD 4459 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 TPCP8001 MOSFET (금속 (() PS-8 (2.9x2.4) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 7.2A (TA) 4.5V, 10V 16mohm @ 3.6a, 10V 2.3v @ 1ma 11 NC @ 10 v ± 20V 640 pf @ 10 v - 1W (TA), 30W (TC)
PJF7NA80_T0_00001 Panjit International Inc. PJF7NA80_T0_00001 -
RFQ
ECAD 8035 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF7NA80 MOSFET (금속 (() ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJF7NA80_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 7A (TA) 10V 1.55ohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 1082 pf @ 25 v - 50W (TC)
UPA2737GR-E1-AX Renesas Electronics America Inc UPA2737GR-E1-AX 0.5821
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) UPA2737 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -1161-UPA2737GR-E1-AXCT 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 13mohm @ 11a, 10V - 45 NC @ 10 v ± 20V 1750 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
AOTF20N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF20N60 1.4818
RFQ
ECAD 3310 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 AOTF20 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 370mohm @ 10a, 10V 4.5V @ 250µA 74 NC @ 10 v ± 30V 3680 pf @ 25 v - 50W (TC)
SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K345R, LF 0.4300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 SSM3K345 MOSFET (금속 (() SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 4A (TA) 1.5V, 4.5V 33mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 1mA 3.6 NC @ 4.5 v ± 8V 410 pf @ 10 v - 1W (TA)
FQD6P25TF Fairchild Semiconductor FQD6P25TF 0.6000
RFQ
ECAD 72 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 250 v 4.7A (TC) 10V 1.1ohm @ 2.35a, 10V 5V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 30V 780 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 55W (TC)
RFD3055LESM Fairchild Semiconductor RFD3055LESM 0.2600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,255 n 채널 60 v 11A (TC) 5V 107mohm @ 8a, 5V 3V @ 250µA 11.3 NC @ 10 v ± 16V 350 pf @ 25 v - 38W (TC)
IXFA20N60X3 IXYS IXFA20N60X3 5.1264
RFQ
ECAD 5930 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 IXFA20 - 238-IXFA20N60X3 50
STD7N60M2 STMicroelectronics STD7N60M2 1.5900
RFQ
ECAD 14 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 플러스 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD7N60 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 5A (TC) 10V 950mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 8.8 NC @ 10 v ± 25V 271 pf @ 100 v - 60W (TC)
IPB80N06S205ATMA1 Infineon Technologies IPB80N06S205ATMA1 -
RFQ
ECAD 4265 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 80A (TC) 10V 4.8mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 5110 pf @ 25 v - 300W (TC)
SI8424DB-T1-E1 Vishay Siliconix SI8424DB-T1-E1 -
RFQ
ECAD 6622 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, CSPBGA SI8424 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 8 v 12.2A (TC) 1.2V, 4.5V 31mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 250µA 33 NC @ 5 v ± 5V 1950 pf @ 4 v - 2.78W (TA), 6.25W (TC)
NTMS5P02R2G onsemi NTMS5P02R2G 0.9300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NTMS5 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 p 채널 20 v 3.95A (TA) 2.5V, 4.5V 33mohm @ 5.4a, 4.5v 1.25V @ 250µA 35 NC @ 4.5 v ± 10V 1900 pf @ 16 v - 790MW (TA)
BUK9515-60E,127 NXP USA Inc. BUK9515-60E, 127 -
RFQ
ECAD 7879 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 buk95 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 54A (TC) 5V, 10V 13mohm @ 15a, 10V 2.1v @ 1ma 20.5 nc @ 5 v ± 10V 2651 pf @ 25 v - 96W (TC)
IRFDC20 Vishay Siliconix IRFDC20 -
RFQ
ECAD 5440 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFDC20 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFDC20 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 320MA (TA) 10V 4.4ohm @ 190ma, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 1W (TA)
SIHP25N50E-GE3 Vishay Siliconix SIHP25N50E-GE3 3.2100
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP25 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2266-SIHP25N50E-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 26A (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1980 pf @ 100 v - 250W (TC)
SIHG22N60AE-GE3 Vishay Siliconix SIHG22N60AE-GE3 4.0100
RFQ
ECAD 5859 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG22 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 96 NC @ 10 v ± 30V 1451 pf @ 100 v - 179W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고