SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SISS40DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS40DN-T1-GE3 0.5292
RFQ
 ECAD 3401 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS40 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 36.5A (TC) 6V, 10V 21mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 845 pf @ 50 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
IPB09N03LA G Infineon Technologies IPB09N03LA g -
RFQ
 ECAD 7350 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB09N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 25 v 50A (TC) 4.5V, 10V 8.9mohm @ 30a, 10V 2V @ 20µA 13 nc @ 5 v ± 20V 1642 pf @ 15 v - 63W (TC)
IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies IPB011N04LGATMA1 5.4700
RFQ
 ECAD 1539 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IPB011 MOSFET (금속 (() PG-to263-7-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 180A (TC) 4.5V, 10V 1.1MOHM @ 100A, 10V 2V @ 200µA 346 NC @ 10 v ± 20V 29000 pf @ 20 v - 250W (TC)
STP78N75F4 STMicroelectronics STP78N75F4 0.9700
RFQ
 ECAD 371 0.00000000 stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP78N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 78A (TC) 10V 11mohm @ 39a, 10V 4V @ 250µA 76 NC @ 10 v ± 20V 5015 pf @ 25 v - 150W (TC)
STFU10NK60Z STMicroelectronics stfu10nk60z 1.6600
RFQ
 ECAD 447 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STFU10 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 750mohm @ 4.5a, 10V 4.5V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 30V 1370 pf @ 25 v - 35W (TC)
FQD3N40TF Fairchild Semiconductor FQD3N40TF 0.3700
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 400 v 2A (TC) 10V 3.4ohm @ 1a, 10V 5V @ 250µA 7.5 NC @ 10 v ± 30V 230 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 30W (TC)
IPP086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP086N10N3GXKSA1 1.9300
RFQ
 ECAD 8651 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP086 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 80A (TC) 6V, 10V 8.6mohm @ 73a, 10V 3.5V @ 75µA 55 NC @ 10 v ± 20V 3980 pf @ 50 v - 125W (TC)
IPP60R380C6 Infineon Technologies IPP60R380C6 -
RFQ
 ECAD 2067 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 0000.00.0000 1 n 채널 600 v 10.6A (TC) 10V 380mohm @ 3.8a, 10V 3.5V @ 320µA 32 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 100 v - 83W (TC)
IPA65R280E6XKSA1 Infineon Technologies IPA65R280E6XKSA1 3.2100
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA65R280 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 13.8A (TC) 10V 280mohm @ 4.4a, 10V 3.5V @ 440µA 45 NC @ 10 v ± 20V 950 pf @ 100 v - 32W (TC)
FDP8440 onsemi FDP8440 4.4300
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FDP84 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 80a, 10V 3V @ 250µA 450 NC @ 10 v ± 20V 24740 pf @ 25 v - 306W (TC)
AOI1N60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI1N60L -
RFQ
 ECAD 7472 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK AOI1 MOSFET (금속 (() TO-251A 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 70 n 채널 600 v 1.3A (TC) 10V 9ohm @ 650ma, 10V 4.5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 30V 160 pf @ 25 v - 45W (TC)
NVF3055-100T1G onsemi NVF3055-100T1G -
RFQ
 ECAD 7930 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA NVF3055 MOSFET (금속 (() SOT-223 (TO-261) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 3A (TA) 10V 110mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 455 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
BTS244ZAKSA1 Infineon Technologies BTS244ZAKSA1 -
RFQ
 ECAD 6062 0.00000000 인피온 인피온 Tempfet® 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB MOSFET (금속 (() PG-to263-5-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 55 v 35A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 19a, 10V 2V @ 130µA 130 NC @ 10 v ± 20V 2660 pf @ 25 v - 170W (TC)
PJL9411_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9411_R2_00001 0.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9411 MOSFET (금속 (() 8-SOP - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9411_R2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 8.4A (TA) 4.5V, 10V 20mohm @ 8.4a, 10V 2.5V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 1169 pf @ 15 v - 1.7W (TA)
2N7002E-T1-E3 Vishay Siliconix 2N7002E-T1-E3 0.6400
RFQ
 ECAD 1582 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 240MA (TA) 4.5V, 10V 3ohm @ 250ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 20V 21 pf @ 5 v - 350MW (TA)
BSP129L6327 Infineon Technologies BSP129L6327 0.2900
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4-21 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,039 n 채널 240 v 350MA (TA) 0V, 10V 6ohm @ 350ma, 10V 1V @ 108µA 5.7 NC @ 5 v ± 20V 108 pf @ 25 v 고갈 고갈 1.8W (TA)
SI4420DY onsemi si4420dy -
RFQ
 ECAD 1141 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI442 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SI4420DYFS 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 12.5A (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 12.5a, 10V 1V @ 250µA 53 NC @ 5 v ± 20V 2180 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
STF34N65M5 STMicroelectronics STF34N65M5 3.1412
RFQ
 ECAD 8083 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF34 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 28A (TC) 10V 110mohm @ 14.5a, 10V 5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 25V 2590 pf @ 100 v - 35W (TC)
STU25N10F7 STMicroelectronics stu25n10f7 -
RFQ
 ECAD 7237 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ F7 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA STU25 MOSFET (금속 (() i-pak - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 25A 4.5V, 10V - - - - -
SPI11N60S5 Infineon Technologies SPI11N60S5 1.0700
RFQ
 ECAD 368 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10V 5.5v @ 500µa 54 NC @ 10 v ± 20V 1460 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI4154DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4154DY-T1-GE3 1.4900
RFQ
 ECAD 9625 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4154 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 36A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 20V 4230 pf @ 20 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
APT17N80BC3G Microsemi Corporation APT17N80BC3G -
RFQ
 ECAD 9033 0.00000000 Microsemi Corporation Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 800 v 17A (TC) 10V 290mohm @ 11a, 10V 3.9V @ 1mA 90 NC @ 10 v ± 20V 2250 pf @ 25 v - 208W (TC)
AUIRFR3710ZTRL Infineon Technologies auirfr3710ztrl 1.4364
RFQ
 ECAD 7361 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AUIRFR3710 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001516670 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 42A (TC) 18mohm @ 33a, 10V 4V @ 250µA 100 nc @ 10 v 2930 pf @ 25 v - 140W (TC)
IRFD313 Harris Corporation IRFD313 0.8500
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOSFET (금속 (() 4-DIP, Hexdip 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 350 v 300MA (TC) 10V 5ohm @ 200ma, 10V 4V @ 250µA 7.5 NC @ 10 v ± 20V 135 pf @ 25 v - 1W (TC)
AUIRLS3034 International Rectifier auirls3034 2.6100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 40 v 195a (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 195a, 10V 2.5V @ 250µA 162 NC @ 4.5 v ± 20V 10315 pf @ 25 v - 375W (TC)
NVMFS5C466NLWFT1G onsemi NVMFS5C466NLWFT1G 0.7591
RFQ
 ECAD 1270 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 16A (TA), 52A (TC) 4.5V, 10V 7.3mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 30µA 16 nc @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 3.5W (TA), 37W (TC)
IRFR2407TR Infineon Technologies irfr2407tr -
RFQ
 ECAD 9697 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR2407 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 75 v 42A (TC) 10V 26mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 110W (TC)
AONR36326C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONR36326C 0.1538
RFQ
 ECAD 2729 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn AONR363 MOSFET (금속 (() 8-DFN-EP (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-Aonr36326ctr 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 12A (TA), 12A (TC) 4.5V, 10V 9.8mohm @ 12a, 10V 2.3V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 540 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 20.5W (TC)
NTE455 NTE Electronics, Inc NTE455 2.9800
RFQ
 ECAD 196 년 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SOT-103 MOSFET (금속 (() - 다운로드 rohs 비준수 2368-NTE455 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 20 v 25MA - - - ± 10V 3500 pf @ 10 v 기준 200MW (TA)
IPA50R399CPXKSA1 Infineon Technologies IPA50R399CPXKSA1 -
RFQ
 ECAD 9725 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA50R MOSFET (금속 (() PG-to220-3-31 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 9A (TC) 10V 399mohm @ 4.9a, 10V 3.5V @ 330µA 23 nc @ 10 v ± 20V 890 pf @ 100 v - 83W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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