SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFR5305TRRPBF Infineon Technologies irfr5305trrpbf -
RFQ
ECAD 4473 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001573302 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 55 v 31A (TC) 10V 65mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 110W (TC)
FQB2P25TM onsemi FQB2P25TM -
RFQ
ECAD 4591 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FQB2 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 250 v 2.3A (TC) 10V 4ohm @ 1.15a, 10V 5V @ 250µA 8.5 NC @ 10 v ± 30V 250 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 52W (TC)
IRF7321D2TR Infineon Technologies IRF7321D2TR -
RFQ
ECAD 7221 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 30 v 4.7A (TA) 4.5V, 10V 62mohm @ 4.9a, 10V 1V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 710 pf @ 25 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA)
AON6774 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6774 -
RFQ
ECAD 9838 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 알파모 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 Aon67 MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 44A (TA), 85A (TC) 4.5V, 10V 2.05mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 15 v - 6.2W (TA), 48W (TC)
IRFHM830TRPBF Infineon Technologies irfhm830trpbf 0.9300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn IRFHM830 MOSFET (금속 (() 8-pqfn-dual (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 21A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 20a, 10V 2.35V @ 50µA 31 NC @ 10 v ± 20V 2155 pf @ 25 v - 2.7W (TA), 37W (TC)
MTD6N20ET4 onsemi MTD6N20ET4 -
RFQ
ECAD 8435 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 mtd6n MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 6A (TC) 700mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 21 NC @ 10 v 480 pf @ 25 v -
APT6038BFLLG Microchip Technology APT6038BFLLG 10.5300
RFQ
ECAD 6337 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT6038 MOSFET (금속 (() TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 17A (TC) 380mohm @ 8.5a, 10V 5V @ 1MA 43 NC @ 10 v 1850 pf @ 25 v -
IRF820 Harris Corporation IRF820 0.6000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 해리스 해리스 PowerMesh ™ II 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF8 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 500 v 4A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 315 pf @ 25 v - 80W (TC)
ES6U1T2R Rohm Semiconductor es6u1t2r 0.4000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MOSFET (금속 (() 6-wemt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 p 채널 12 v 1.3A (TA) 1.5V, 4.5V 260mohm @ 1.3a, 4.5v 1V @ 1mA 2.4 NC @ 4.5 v ± 10V 290 pf @ 6 v Schottky 분리 (다이오드) 700MW (TA)
IPT60T040S7XTMA1 Infineon Technologies IPT60T040S7XTMA1 4.8790
RFQ
ECAD 4897 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2,000
STH320N4F6-6 STMicroelectronics STH320N4F6-6 2.7377
RFQ
ECAD 3981 0.00000000 stmicroelectronics AEC-Q101, DeepGate ™, Stripfet ™ vi 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) STH320 MOSFET (금속 (() H2PAK-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 200a (TC) 10V 1.3mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 20V 13800 pf @ 15 v - 300W (TC)
SI7413DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7413DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3638 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7413 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8.4A (TA) 1.8V, 4.5V 15mohm @ 13.2a, 4.5v 1V @ 400µA 51 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.5W (TA)
SUM90N08-7M6P-E3 Vishay Siliconix SUM90N08-7M6P-E3 -
RFQ
ECAD 1249 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM90 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 90A (TC) 10V 7.6mohm @ 30a, 10V 4.8V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 3528 pf @ 30 v - 3.75W (TA), 150W (TC)
STL9N80K5 STMicroelectronics STL9N80K5 -
RFQ
ECAD 4890 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ K5 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 8-powervdfn STL9N80 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (5x6) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 800 v 7A (TC) 10V - - - - 110W (TC)
IRF6898MTRPBF International Rectifier IRF6898MTRPBF 1.0000
RFQ
ECAD 2752 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX MOSFET (금속 (() DirectFet ™ ™ 메트릭 MX 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1,009 n 채널 25 v 40A (TA), 214A (TC) 1.1MOHM @ 40A, 10V 2.1v @ 100µa 68 NC @ 4.5 v ± 16V 5630 pf @ 13 v Schottky Diode (Body) 2.8W (TA), 78W (TC)
APTM100UM65SAG Microchip Technology APTM100UM65SAG 346.0300
RFQ
ECAD 2996 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTM100 MOSFET (금속 (() SP6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1000 v 145A (TC) 10V 78mohm @ 72.5a, 10V 5V @ 20MA 1068 NC @ 10 v ± 30V 28500 pf @ 25 v - 3250W (TC)
SPP07N60S5XKSA1 Infineon Technologies SPP07N60S5XKSA1 -
RFQ
ECAD 1722 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp07n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000681034 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 5.5V @ 350µA 35 NC @ 10 v ± 20V 970 pf @ 25 v - 83W (TC)
PJZ9NA90_T0_10001 Panjit International Inc. PJZ9NA90_T0_10001 -
RFQ
ECAD 6592 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 PJZ9NA90 MOSFET (금속 (() to-3pl - 3757-PJZ9NA90_T0_10001 쓸모없는 1 n 채널 900 v 9A (TA) 10V 1.4ohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 30V 1634 pf @ 25 v - 240W (TC)
SSM3J120TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J120TU, LF -
RFQ
ECAD 2941 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u- 모시브 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 SSM3J120 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TA) 1.5V, 4V 3A @ 3A, 4V 1V @ 1mA 22.3 NC @ 4 v ± 8V 1484 pf @ 10 v - 500MW (TA)
IXTT74N20P IXYS IXTT74N20P 7.2430
RFQ
ECAD 7227 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXTT74 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 74A (TC) 10V 34mohm @ 37a, 10V 5V @ 250µA 107 NC @ 10 v ± 20V 3300 pf @ 25 v - 480W (TC)
IPW60R041P6FKSA1 Infineon Technologies IPW60R041P6FKSA1 13.4900
RFQ
ECAD 4596 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P6 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW60R041 MOSFET (금속 (() PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 77.5A (TC) 10V 41mohm @ 35.5a, 10V 4.5V @ 2.96ma 170 nc @ 10 v ± 20V 8180 pf @ 100 v - 481W (TC)
TK12A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50W, S5X 2.1100
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 11.5A (TA) 10V 300mohm @ 5.8a, 10V 3.7V @ 600µA 25 nc @ 10 v ± 30V 890 pf @ 300 v - 35W (TC)
IXFQ8N85X IXYS ixfq8n85x 4.5552
RFQ
ECAD 8060 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra x 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXFQ8N85 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXFQ8N85X 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 850 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4a, 10V 5.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 654 pf @ 25 v - 200W (TC)
RJK0351DPA-WS#J0 Renesas Electronics America Inc RJK0351DPA-WS#J0 0.8500
RFQ
ECAD 410 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
IPI16CNE8N G Infineon Technologies ipi16cne8n g -
RFQ
ECAD 1583 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI16C MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 85 v 53A (TC) 10V 16.5mohm @ 53a, 10V 4V @ 61µA 48 NC @ 10 v ± 20V 3230 pf @ 40 v - 100W (TC)
FDA16N50-F109 Fairchild Semiconductor FDA16N50-F109 1.5600
RFQ
ECAD 270 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 귀 99 8542.39.0001 270 n 채널 500 v 16.5A (TC) 10V 380mohm @ 8.3a, 10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 30V 1945 pf @ 25 v - 205W (TC)
IXFX110N65X3 IXYS IXFX110N65X3 18.3853
RFQ
ECAD 2257 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 IXFX110 - 238-IXFX110N65X3 30
APT6010B2LLG Microchip Technology APT6010B2LLG 27.1800
RFQ
ECAD 5738 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 APT6010 MOSFET (금속 (() T-Max ™ [B2] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 54A (TC) 10V 100mohm @ 27a, 10V 5V @ 2.5MA 150 nc @ 10 v ± 30V 6710 pf @ 25 v - 690W (TC)
CPC3960ZTR IXYS Integrated Circuits Division CPC3960ZTR 0.8900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 ixys 회로 통합 부서 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA CPC3960 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v - 0V 44ohm @ 100ma, 0v - ± 15V 100 pf @ 25 v 고갈 고갈 1.8W (TA)
RJK0397DPA-02#J53 Renesas Electronics America Inc RJK0397DPA-02#J53 0.5500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고