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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | irfr5305trrpbf | - | ![]() | 4473 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001573302 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 55 v | 31A (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||
![]() | FQB2P25TM | - | ![]() | 4591 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FQB2 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 250 v | 2.3A (TC) | 10V | 4ohm @ 1.15a, 10V | 5V @ 250µA | 8.5 NC @ 10 v | ± 30V | 250 pf @ 25 v | - | 3.13W (TA), 52W (TC) | |||
![]() | IRF7321D2TR | - | ![]() | 7221 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Fetky ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 30 v | 4.7A (TA) | 4.5V, 10V | 62mohm @ 4.9a, 10V | 1V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 710 pf @ 25 v | Schottky 분리 (다이오드) | 2W (TA) | |||
AON6774 | - | ![]() | 9838 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 알파모 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | Aon67 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 44A (TA), 85A (TC) | 4.5V, 10V | 2.05mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 3000 pf @ 15 v | - | 6.2W (TA), 48W (TC) | |||
![]() | irfhm830trpbf | 0.9300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | IRFHM830 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn-dual (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 21A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 20a, 10V | 2.35V @ 50µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 2155 pf @ 25 v | - | 2.7W (TA), 37W (TC) | ||
![]() | MTD6N20ET4 | - | ![]() | 8435 | 0.00000000 | 온세미 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | mtd6n | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 200 v | 6A (TC) | 700mohm @ 3a, 10V | 4V @ 250µA | 21 NC @ 10 v | 480 pf @ 25 v | - | ||||||
![]() | APT6038BFLLG | 10.5300 | ![]() | 6337 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT6038 | MOSFET (금속 (() | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 17A (TC) | 380mohm @ 8.5a, 10V | 5V @ 1MA | 43 NC @ 10 v | 1850 pf @ 25 v | - | ||||||
![]() | IRF820 | 0.6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | PowerMesh ™ II | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF8 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 500 v | 4A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 315 pf @ 25 v | - | 80W (TC) | ||
![]() | es6u1t2r | 0.4000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 | MOSFET (금속 (() | 6-wemt | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | p 채널 | 12 v | 1.3A (TA) | 1.5V, 4.5V | 260mohm @ 1.3a, 4.5v | 1V @ 1mA | 2.4 NC @ 4.5 v | ± 10V | 290 pf @ 6 v | Schottky 분리 (다이오드) | 700MW (TA) | |||
![]() | IPT60T040S7XTMA1 | 4.8790 | ![]() | 4897 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | STH320N4F6-6 | 2.7377 | ![]() | 3981 | 0.00000000 | stmicroelectronics | AEC-Q101, DeepGate ™, Stripfet ™ vi | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | STH320 | MOSFET (금속 (() | H2PAK-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 200a (TC) | 10V | 1.3mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 240 NC @ 10 v | ± 20V | 13800 pf @ 15 v | - | 300W (TC) | ||
![]() | SI7413DN-T1-GE3 | - | ![]() | 3638 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7413 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 8.4A (TA) | 1.8V, 4.5V | 15mohm @ 13.2a, 4.5v | 1V @ 400µA | 51 NC @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.5W (TA) | |||
![]() | SUM90N08-7M6P-E3 | - | ![]() | 1249 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SUM90 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 75 v | 90A (TC) | 10V | 7.6mohm @ 30a, 10V | 4.8V @ 250µA | 90 NC @ 10 v | ± 20V | 3528 pf @ 30 v | - | 3.75W (TA), 150W (TC) | ||
![]() | STL9N80K5 | - | ![]() | 4890 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ K5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL9N80 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (5x6) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 800 v | 7A (TC) | 10V | - | - | - | - | 110W (TC) | ||||
![]() | IRF6898MTRPBF | 1.0000 | ![]() | 2752 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 MX | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ ™ 메트릭 MX | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1,009 | n 채널 | 25 v | 40A (TA), 214A (TC) | 1.1MOHM @ 40A, 10V | 2.1v @ 100µa | 68 NC @ 4.5 v | ± 16V | 5630 pf @ 13 v | Schottky Diode (Body) | 2.8W (TA), 78W (TC) | ||||
APTM100UM65SAG | 346.0300 | ![]() | 2996 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTM100 | MOSFET (금속 (() | SP6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 145A (TC) | 10V | 78mohm @ 72.5a, 10V | 5V @ 20MA | 1068 NC @ 10 v | ± 30V | 28500 pf @ 25 v | - | 3250W (TC) | |||
![]() | SPP07N60S5XKSA1 | - | ![]() | 1722 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | spp07n | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000681034 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 7.3A (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 5.5V @ 350µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 970 pf @ 25 v | - | 83W (TC) | |
![]() | PJZ9NA90_T0_10001 | - | ![]() | 6592 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | PJZ9NA90 | MOSFET (금속 (() | to-3pl | - | 3757-PJZ9NA90_T0_10001 | 쓸모없는 | 1 | n 채널 | 900 v | 9A (TA) | 10V | 1.4ohm @ 4.5a, 10V | 4V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 30V | 1634 pf @ 25 v | - | 240W (TC) | |||||
![]() | SSM3J120TU, LF | - | ![]() | 2941 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | u- 모시브 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 리드 | SSM3J120 | MOSFET (금속 (() | UFM | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 4A (TA) | 1.5V, 4V | 3A @ 3A, 4V | 1V @ 1mA | 22.3 NC @ 4 v | ± 8V | 1484 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | |||
![]() | IXTT74N20P | 7.2430 | ![]() | 7227 | 0.00000000 | ixys | 극선 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | IXTT74 | MOSFET (금속 (() | TO-268AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 200 v | 74A (TC) | 10V | 34mohm @ 37a, 10V | 5V @ 250µA | 107 NC @ 10 v | ± 20V | 3300 pf @ 25 v | - | 480W (TC) | ||
IPW60R041P6FKSA1 | 13.4900 | ![]() | 4596 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P6 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IPW60R041 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 77.5A (TC) | 10V | 41mohm @ 35.5a, 10V | 4.5V @ 2.96ma | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 8180 pf @ 100 v | - | 481W (TC) | |||
![]() | TK12A50W, S5X | 2.1100 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | dtmosiv | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220SIS | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 11.5A (TA) | 10V | 300mohm @ 5.8a, 10V | 3.7V @ 600µA | 25 nc @ 10 v | ± 30V | 890 pf @ 300 v | - | 35W (TC) | ||||
![]() | ixfq8n85x | 4.5552 | ![]() | 8060 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Ultra x | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | IXFQ8N85 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXFQ8N85X | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 850 v | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4a, 10V | 5.5V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 654 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | ||
![]() | RJK0351DPA-WS#J0 | 0.8500 | ![]() | 410 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
ipi16cne8n g | - | ![]() | 1583 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI16C | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 85 v | 53A (TC) | 10V | 16.5mohm @ 53a, 10V | 4V @ 61µA | 48 NC @ 10 v | ± 20V | 3230 pf @ 40 v | - | 100W (TC) | ||||
![]() | FDA16N50-F109 | 1.5600 | ![]() | 270 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | unifet ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (금속 (() | 3pn | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 270 | n 채널 | 500 v | 16.5A (TC) | 10V | 380mohm @ 8.3a, 10V | 5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 30V | 1945 pf @ 25 v | - | 205W (TC) | ||||||
![]() | IXFX110N65X3 | 18.3853 | ![]() | 2257 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | IXFX110 | - | 238-IXFX110N65X3 | 30 | ||||||||||||||||||||||
APT6010B2LLG | 27.1800 | ![]() | 5738 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 7 | APT6010 | MOSFET (금속 (() | T-Max ™ [B2] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 54A (TC) | 10V | 100mohm @ 27a, 10V | 5V @ 2.5MA | 150 nc @ 10 v | ± 30V | 6710 pf @ 25 v | - | 690W (TC) | |||
![]() | CPC3960ZTR | 0.8900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ixys 회로 통합 부서 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | CPC3960 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | - | 0V | 44ohm @ 100ma, 0v | - | ± 15V | 100 pf @ 25 v | 고갈 고갈 | 1.8W (TA) | |||
![]() | RJK0397DPA-02#J53 | 0.5500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 |
일일 평균 RFQ 볼륨
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