SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SPP47N10L Infineon Technologies SPP47N10L -
RFQ
ECAD 5768 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp47n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000012102 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 47A (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 33a, 10V 2V @ 2MA 135 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 25 v - 175W (TC)
AUIRF1405ZS Infineon Technologies AUIRF1405ZS -
RFQ
ECAD 3176 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 150A (TC) 10V 4.9mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 4780 pf @ 25 v - 230W (TC)
SIDR610DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIDR610DP-T1-GE3 3.4200
RFQ
ECAD 4634 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIDR610 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 8.9A (TA), 39.6A (TC) 7.5V, 10V 31.9mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1380 pf @ 100 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
NTD4804N-35G onsemi NTD4804N-35G -
RFQ
ECAD 6783 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK NTD48 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 14.5A (TA), 124A (TC) 4.5V, 11.5V 4mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 40 nc @ 4.5 v ± 20V 4490 pf @ 12 v - 1.43W (TA), 107W (TC)
NTD80N02G onsemi NTD80N02G -
RFQ
ECAD 6740 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD80 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 24 v 80A (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 80a, 10V 3V @ 250µA 42 NC @ 4.5 v ± 20V 2600 pf @ 20 v - 75W (TC)
RFD14N05L_NL Fairchild Semiconductor RFD14N05L_NL 0.5200
RFQ
ECAD 8832 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 408 n 채널 50 v 14A (TC) 5V 100mohm @ 14a, 5V 2V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 10V 670 pf @ 25 v - 48W (TC)
HUF75329S3 onsemi HUF75329S3 -
RFQ
ECAD 1031 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HUF75 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 55 v 49A (TC) 10V 24mohm @ 49a, 10V 4V @ 250µA 75 NC @ 20 v ± 20V 1060 pf @ 25 v - 128W (TC)
SPU30P06P Infineon Technologies spu30p06p -
RFQ
ECAD 6749 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA spu30p MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 60 v 30A (TC) 10V 75mohm @ 21.5a, 10V 4V @ 1.7ma 48 NC @ 10 v ± 20V 1535 pf @ 25 v - 125W (TC)
NTP13N10G onsemi NTP13N10G -
RFQ
ECAD 5826 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NTP13N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 NTP13N10GOS 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 13A (TA) 10V 165mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 550 pf @ 25 v - 64.7W (TC)
IRF730STRR Vishay Siliconix irf730strr -
RFQ
ECAD 9139 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF730 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
PMN27XPEAX Nexperia USA Inc. pmn27xpeax -
RFQ
ECAD 2007 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068551115 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.4A (TA) 2.5V, 4.5V 30mohm @ 3a, 4.5v 1.25V @ 250µA 22.5 nc @ 4.5 v ± 12V 1770 pf @ 10 v - 530MW (TA), 8.33W (TC)
XP162A11C0PR-G Torex Semiconductor Ltd xp162a11c0pr-g 0.2856
RFQ
ECAD 1846 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA XP162A MOSFET (금속 (() SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 30 v 2.5A (TA) 4.5V, 10V 150mohm @ 1.5a, 10V - ± 20V 280 pf @ 10 v - 2W (TA)
IXTX200N10L2 IXYS IXTX200N10L2 36.1500
RFQ
ECAD 60 0.00000000 ixys l2 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXTX200 MOSFET (금속 (() Plus247 ™ -3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 100 v 200a (TC) 10V 11mohm @ 100a, 10V 4.5V @ 3MA 540 nc @ 10 v ± 20V 23000 pf @ 25 v - 1040W (TC)
STW57N65M5-4 STMicroelectronics STW57N65M5-4 11.2000
RFQ
ECAD 33 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 STW57 MOSFET (금속 (() TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 42A (TC) 10V 63mohm @ 21a, 10V 5V @ 250µA 98 NC @ 10 v ± 25V 4200 pf @ 100 v - 250W (TC)
SI5443DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5443DC-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9334 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5443 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.6A (TA) 2.5V, 4.5V 65mohm @ 3.6a, 4.5v 600MV @ 250µa (최소) 14 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.3W (TA)
IPN70R900P7SATMA1 Infineon Technologies IPN70R900P7SATMA1 0.7800
RFQ
ECAD 7992 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IPN70R900 MOSFET (금속 (() PG-SOT223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 700 v 6A (TC) 10V 900mohm @ 1.1a, 10V 3.5V @ 60µA 6.8 NC @ 10 v ± 16V 211 PF @ 400 v - 6.5W (TC)
AOT15S65L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT15S65L 2.8200
RFQ
ECAD 230 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 AOT15 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 15A (TC) 10V 290mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 17.2 NC @ 10 v ± 30V 841 pf @ 100 v - 208W (TC)
BUK763R8-80E,118 Nexperia USA Inc. BUK763R8-80E, 118 3.8700
RFQ
ECAD 5853 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK763 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 120A (TC) 10V 3.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 169 NC @ 10 v ± 20V 12030 pf @ 25 v - 357W (TC)
FQD5N40TF onsemi FQD5N40TF -
RFQ
ECAD 9982 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD5 MOSFET (금속 (() TO-252AA - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 400 v 3.4A (TC) 10V 1.6ohm @ 1.7a, 10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 460 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 45W (TC)
NP82N04NDG-S18-AY NEC Corporation NP82N04NDG-S18-ay 2.1600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NEC Corporation 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() 3-LDPAK 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 82A (TC) 4.2MOHM @ 41A, 10V 2.5V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 9000 pf @ 25 v - 1.8W (TA), 143W (TC)
2N6764T1 Microsemi Corporation 2N6764T1 -
RFQ
ECAD 8974 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AE 2N6764 MOSFET (금속 (() TO-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 38A (TC) 10V 65mohm @ 38a, 10V 4V @ 250µA 125 nc @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
NTMTS1D5N08H onsemi NTMTS1D5N08H 6.8100
RFQ
ECAD 1385 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn ntmts1d MOSFET (금속 (() 8-DFNW (8.3x8.4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 36A (TA), 255A (TC) 6V, 10V 1.5mohm @ 90a, 10V 4V @ 490µA 125 nc @ 10 v ± 20V 8220 pf @ 40 v - 4.2W (TA), 208W (TC)
IMW120R040M1HXKSA1 Infineon Technologies IMW120R040M1HXKSA1 21.3000
RFQ
ECAD 1471 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 55A (TC) 15V, 18V 54.4mohm @ 19.3a, 18V 5.2v @ 10ma 39 NC @ 18 v +20V, -5V 1620 NF @ 25 v - 227W (TC)
TSM60NB099CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099CF C0G 12.8700
RFQ
ECAD 905 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TSM60 MOSFET (금속 (() ITO-220S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 600 v 38A (TC) 10V 99mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 30V 2587 pf @ 100 v - 69W (TC)
AON7264C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7264C 0.2503
RFQ
ECAD 1271 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn Aon72 MOSFET (금속 (() 8-DFN-EP (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-aon7264ctr 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 13A (TA), 24A (TC) 4.5V, 10V 13.2mohm @ 13a, 10V 2.2V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 895 pf @ 30 v - 4.1W (TA), 24W (TC)
SSM3J143TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J143TU, LXHF 0.4600
RFQ
ECAD 32 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 3-smd,, 리드 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 5.5A (TA) 1.5V, 4.5V 29.8mohm @ 3a, 4.5v 1V @ 1mA 12.8 nc @ 4.5 v +6V, -8V 840 pf @ 10 v - 500MW (TA)
IRFR18N15DTRLP International Rectifier irfr18n15dtrlp -
RFQ
ECAD 1059 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 3,000 n 채널 150 v 18A (TC) 125mohm @ 11a, 10V 5.5V @ 250µA 43 NC @ 10 v 900 pf @ 25 v -
CSD16321Q5C Texas Instruments CSD16321Q5C 1.9800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn CSD1632 MOSFET (금속 (() 8-vson-clip (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 31A (TA), 100A (TC) 3V, 8V 2.4mohm @ 25a, 8v 1.4V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v +10V, -8V 3100 pf @ 12.5 v - 3.1W (TA)
APT12067LFLLG Microchip Technology APT12067LFLLG 33.9300
RFQ
ECAD 3869 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT12067 MOSFET (금속 (() TO-264 [L] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1200 v 18A (TC) 670mohm @ 9a, 10V 5V @ 2.5MA 150 nc @ 10 v 4420 pf @ 25 v -
PHP174NQ04LT,127 NXP USA Inc. PHP174NQ04LT, 127 -
RFQ
ECAD 2807 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PHP17 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 75A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 64 NC @ 5 v ± 15V 5345 pf @ 25 v - 250W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고