SIC
close

단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIR696DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir696dp-t1-ge3 1.3600
RFQ
 ECAD 4035 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir696 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 125 v 60A (TC) 7.5V, 10V 11.5mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1410 pf @ 75 v - 104W (TC)
FCP21N60N Fairchild Semiconductor FCP21N60N 2.3100
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 FCP21 MOSFET (금속 (() TO-220-3 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v - - - - -
BUK7509-55A,127 NXP USA Inc. BUK7509-55A, 127 -
RFQ
 ECAD 5893 0.00000000 NXP USA Inc. * 튜브 활동적인 BUK75 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000
DMT34M1LPS-13 Diodes Incorporated DMT34M1LPS-13 0.2440
RFQ
 ECAD 4970 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT34 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.2MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 2242 pf @ 15 v - 42W (TC)
HAT1096C-EL-E Renesas HAT1096C-EL-E 0.2100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 MOSFET (금속 (() 6-CMFPAK 다운로드 rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-HAT1096C-EL-E 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 20 v 1A (TA) 2.5V, 4.5V 293mohm @ 500µa, 4.5v 1.4V @ 1mA 2 nc @ 4.5 v ± 12V 155 pf @ 10 v - 790MW (TA)
FQU5N50CTU onsemi fqu5n50ctu -
RFQ
 ECAD 5128 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA fqu5 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,040 n 채널 500 v 4A (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 625 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 48W (TC)
NVE4153NT1G onsemi NVE4153nt1g 0.5200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 NVE4153 MOSFET (금속 (() SC-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 915MA (TA) 1.5V, 4.5V 230mohm @ 600ma, 4.5v 1.1V @ 250µA 1.82 NC @ 4.5 v ± 6V 110 pf @ 16 v - 300MW (TJ)
IPU50R1K4CEAKMA1 Infineon Technologies ipu50r1k4ceakma1 -
RFQ
 ECAD 6270 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA ipu50r MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 500 v 3.1A (TC) 13V 1.4ohm @ 900ma, 13v 3.5V @ 70µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 178 pf @ 100 v - 42W (TC)
BSS138 Good-Ark Semiconductor BSS138 0.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 50 v 220MA (TJ) 4.5V, 10V 3.5ohm @ 220ma, 10V 1.5V @ 250µA 2.4 NC @ 10 v ± 20V 30 pf @ 25 v - 430MW
SSM3J16FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm3j16fu (te85l, f) 0.3700
RFQ
 ECAD 9188 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() USM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 100MA (TA) 1.5V, 4V 8ohm @ 10ma, 4v 1.1V @ 100µa ± 10V 11 pf @ 3 v - 150MW (TA)
RJK5033DPD-00#J2 Renesas Electronics America Inc rjk5033dpd-00#j2 1.0546
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RJK5033 MOSFET (금속 (() MP-3A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 6A (TA) 10V 1.3ohm @ 3a, 10V - ± 30V 600 pf @ 25 v - 65W (TC)
SFH154 onsemi SFH154 -
RFQ
 ECAD 6376 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 SFH154 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 150 v 34A (TC) 10V 75mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 30V 3370 pf @ 25 v - 204W (TC)
RF1S9630SM Harris Corporation RF1S9630SM 0.9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 - 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 200 v 6.5A - - - - - -
RM80N30LD Rectron USA RM80N30LD 0.1900
RFQ
 ECAD 3404 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM80N30LDTR 8541.10.0080 25,000 n 채널 30 v 80A (TC) 5V, 10V 6.5mohm @ 30a, 10V 3V @ 250µA ± 20V 2330 pf @ 15 v - 83W (TC)
FDD8880-SN00319 onsemi FDD8880-SN00319 0.4100
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-FDD8880-SN00319-488 1
PJF4NA70_T0_00001 Panjit International Inc. PJF4NA70_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 2554 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF4NA70 MOSFET (금속 (() ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJF4NA70_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 700 v 4A (TA) 10V 2.8ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 10.5 nc @ 10 v ± 30V 514 pf @ 25 v - 33W (TC)
IPSH5N03LA G Infineon Technologies ipsh5n03la g -
RFQ
 ECAD 8019 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK IPSH5N MOSFET (금속 (() PG-to251-3-11 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 50A (TC) 4.5V, 10V 5.4mohm @ 50a, 10V 2V @ 35µA 22 nc @ 5 v ± 20V 2653 pf @ 15 v - 83W (TC)
IRLZ34NL Infineon Technologies irlz34nl -
RFQ
 ECAD 4254 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irlz34nl 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 30A (TC) 4V, 10V 35mohm @ 16a, 10V 2V @ 250µA 25 nc @ 5 v ± 16V 880 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 68W (TC)
AOTF298L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF298L -
RFQ
 ECAD 6133 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 AOTF298 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-1382-5 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 9A (TA), 33A (TC) 10V 14.5mohm @ 20a, 10V 4.1V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 1670 pf @ 15 v - 2.1W (TA), 33W (TC)
AUIRFR5505TRL Infineon Technologies auirfr5505trl -
RFQ
 ECAD 1243 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001519572 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 55 v 18A (TC) 10V 110mohm @ 9.6a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 650 pf @ 25 v - 57W (TC)
FDMA7670 onsemi FDMA7670 0.8500
RFQ
 ECAD 682 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 FDMA76 MOSFET (금속 (() 6 x 2 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 11a, 10V 3V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1360 pf @ 15 v - 2.4W (TA)
PHP96NQ03LT,127 NXP USA Inc. php96nq03lt, 127 -
RFQ
 ECAD 8301 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 php96 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 25 v 75A (TC) 5V, 10V 4.95mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 26.7 NC @ 5 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 115W (TC)
PJA3415AE-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJA3415AE-AU_R1_000A1 0.4000
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3415 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pja3415ae-au_r1_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.3A (TA) 1.8V, 4.5V 52mohm @ 4.3a, 4.5v 1V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 8V 907 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
TSM250NB06CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06CV RGG 1.5500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn TSM250 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (3.15x3.1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 6A (TA), 28A (TC) 7V, 10V 25mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1440 pf @ 30 v - 1.9W (TA), 42W (TC)
NTMFS016N06CT1G onsemi NTMFS016N06CT1G 0.7724
RFQ
 ECAD 1035 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS016 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NTMFS016N06CT1GTR 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 10A (TA), 33A (TC) 10V 15.6mohm @ 5a, 10V 4V @ 25µA 6.9 NC @ 10 v ± 20V 489 pf @ 30 v - 3.4W (TA), 36W (TC)
SI1442DH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1442DH-T1-BE3 0.4500
RFQ
 ECAD 4936 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1442 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 4A (TA) 20mohm @ 6a, 4.5v 1V @ 250µA 33 NC @ 8 v ± 8V 1010 pf @ 6 v - 1.56W (TA)
YJL3404A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL3404A 0.2900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5.6A (TA) 4.5V, 10V 24mohm @ 5.6a ,, 10V 2.2V @ 250µA 12.22 NC @ 10 v ± 20V 526 pf @ 15 v - 1.2W (TA)
RQK0607AQDQS#H1 Renesas Electronics America Inc RQK0607AQDQS#H1 -
RFQ
 ECAD 7456 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA RQK0607 MOSFET (금속 (() upak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 2.4A (TA) 2.5V, 4.5V 270mohm @ 1.2a, 4.5v - 2 nc @ 4.5 v ± 12V 170 pf @ 10 v - 1.5W (TA)
SSM3K15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15F, LF 0.2300
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π- 모임 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K15 MOSFET (금속 (() S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 100MA (TA) 2.5V, 4V 4ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100µa ± 20V 7.8 pf @ 3 v - 200MW (TA)
MCU60P04-TP Micro Commercial Co MCU60P04-TP 0.9700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MCU60 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 60a 4.5V, 10V 8mohm @ 20a, 10V 2.8V @ 250µA 97 NC @ 10 v ± 20V 5235 pf @ 20 v - 110W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다