전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMP3011SPSW-13 | 0.2672 | ![]() | 3411 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powertdfn | DMP3011 | MOSFET (금속 (() | PowerDi5060-8 (유형 ux) | - | 31-DMP3011SSW-13 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 14A (TA), 65A (TC) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 11.5a, 10v | 3V @ 250µA | 46 NC @ 10 v | ± 25V | 2380 pf @ 15 v | - | 1.8W (TA) | ||||
![]() | IRFZ44NSPBF | - | ![]() | 9935 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 55 v | 49A (TC) | 10V | 17.5mohm @ 25a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1470 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 94W (TC) | |||
![]() | AUIRFR3504 | 1.0600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 40 v | 56A (TC) | 10V | 9.2MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 71 NC @ 10 v | ± 20V | 2150 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | |||
![]() | SPB80N04S2-H4 | - | ![]() | 3858 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB80N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 10V | 4mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 148 NC @ 10 v | ± 20V | 5890 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||
![]() | IRFH7184TRPBF | - | ![]() | 5846 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Fastirfet ™, Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | PQFN (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001570944 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 100 v | 20A (TA), 128A (TC) | 10V | 4.8mohm @ 50a, 10V | 3.6V @ 150µA | 54 NC @ 10 v | ± 20V | 2320 pf @ 50 v | - | 3.9W (TA), 156W (TC) | |||
![]() | CSD18514Q5AT | 1.0100 | ![]() | 890 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD18514 | MOSFET (금속 (() | 8-vsonp (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | n 채널 | 40 v | 89A (TC) | 4.5V, 10V | 7.9mohm @ 15a, 10V | 2.4V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 2683 pf @ 20 v | - | 74W (TC) | ||
![]() | SUD50N10-34P-T4-E3 | - | ![]() | 6384 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 5.9A (TA), 20A (TC) | 6V, 10V | 34mohm @ 7a, 10V | 4V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1800 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 56W (TC) | ||
![]() | CPC3720CTR | 0.3891 | ![]() | 9802 | 0.00000000 | ixys 회로 통합 부서 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-243AA | CPC3720 | MOSFET (금속 (() | SOT-89 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 350 v | - | 22ohm @ 130ma, 0v | - | 350 pf @ 25 v | 고갈 고갈 | |||||||
![]() | TSM2328CX | 0.4171 | ![]() | 7755 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM2328 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-tsm2328cxtr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 12,000 | n 채널 | 100 v | 1.5A (TA) | 10V | 250mohm @ 1.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 11.1 NC @ 5 v | ± 20V | 975 pf @ 25 v | - | 1.38W (TA) | ||
![]() | 2SK2989, F (J. | - | ![]() | 9148 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | 2SK2989 | TO-92 모드 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 5A (TJ) | ||||||||||||||||
![]() | IPF04N03LA | - | ![]() | 9074 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPF04N | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-23 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 25 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 50a, 10V | 2V @ 30µA | 41 NC @ 5 v | ± 20V | 5199 pf @ 15 v | - | 115W (TC) | ||
![]() | fqp11n50cf | - | ![]() | 5919 | 0.00000000 | 온세미 | FRFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FQP1 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 11A (TC) | 10V | 550mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 55 NC @ 10 v | ± 30V | 2055 PF @ 25 v | - | 195W (TC) | |||
![]() | 2SK3377-zk-e1-ay | 0.6800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | AO3459 | - | ![]() | 1941 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-SMD, SOT-23-3 변형 | AO34 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-AO3459tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 2.6A (TA) | 4.5V, 10V | 110mohm @ 2.6a, 10V | 2.4V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 197 pf @ 15 v | - | 1.4W (TA) | |
![]() | FDS4675-F085 | - | ![]() | 9539 | 0.00000000 | 온세미 | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS46 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 11A (TA) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 11a, 10V | 3V @ 250µA | 56 NC @ 4.5 v | ± 20V | 4350 pf @ 20 v | - | 2.4W (TA) | ||
![]() | PJQ5468A_R2_00001 | 0.5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | PJQ5468 | MOSFET (금속 (() | DFN5060-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJQ5468A_R2_00001CT | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 5.5A (TA), 25A (TC) | 4.5V, 10V | 34mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 1173 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 40W (TC) | |
![]() | TK10A50W, S5X | 1.9200 | ![]() | 144 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | TK10A50 | MOSFET (금속 (() | TO-220SIS | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 9.7A (TA) | 10V | 380mohm @ 4.9a, 10V | 3.7V @ 500µA | 20 nc @ 10 v | ± 30V | 700 pf @ 300 v | - | 30W (TC) | |||
![]() | auirfr024n | - | ![]() | 3717 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AUIRFR024 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 55 v | 17A (TC) | 10V | 75mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 370 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | ||
![]() | ACMSP3415-HF | 0.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-ACMSP3415-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 4A (TA) | 1.8V, 4.5V | 50mohm @ 4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 10V | 1600 pf @ 10 v | - | 1.4W (TA) | |||
![]() | IXTP3N110 | - | ![]() | 3982 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXTP3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 1100 v | 3A (TC) | 10V | 4ohm @ 1.5a, 10V | 5V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 20V | 1350 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||
![]() | CSD23381F4T | 0.9400 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | FEMTOFET ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | CSD23381 | MOSFET (금속 (() | 3- 시코스타 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 250 | p 채널 | 12 v | 2.3A (TA) | 1.8V, 4.5V | 175mohm @ 500ma, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 1.14 NC @ 6 v | -8V | 236 pf @ 6 v | - | 500MW (TA) | ||
![]() | TSM60N600CI C0G | 0.9062 | ![]() | 4036 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | TSM60 | MOSFET (금속 (() | ITO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 8A (TC) | 10V | 600mohm @ 4a, 10V | 4V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 30V | 743 pf @ 100 v | - | 83W (TC) | ||
![]() | STF15N60M2-EP | 1.9000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ M2-EP | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF15 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 11A (TC) | 10V | 378mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 25V | 590 pf @ 100 v | - | 25W (TC) | ||
![]() | PMPB15XN, 115 | 0.1441 | ![]() | 1249 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | PMPB15 | MOSFET (금속 (() | DFN2020MD-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 7.3A (TA) | 1.8V, 4.5V | 21mohm @ 7.3a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 20.2 NC @ 4.5 v | ± 12V | 1240 pf @ 10 v | - | 1.7W (TA), 12.5W (TC) | ||
![]() | BUK6610-75C, 118 | 0.4100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | nxp 반도체 | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BUK6610-75C, 118-954 | 1 | n 채널 | 75 v | 78A (TC) | 10V | 10mohm @ 25a, 10V | 2.8V @ 1MA | 81 NC @ 10 v | ± 16V | 5251 pf @ 25 v | - | 158W (TC) | |||||
![]() | TK4K1A60F, S4X | 0.8300 | ![]() | 8560 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | TK4K1A60 | MOSFET (금속 (() | TO-220SIS | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 2A (TA) | 10V | 4.1ohm @ 1a, 10V | 4V @ 190µA | 8 nc @ 10 v | ± 30V | 270 pf @ 300 v | - | 30W (TC) | |||
![]() | IRFH5210TR2PBF | - | ![]() | 5309 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 100 v | 10A (TA), 55A (TC) | 14.9mohm @ 33a, 10V | 4V @ 100µa | 59 NC @ 10 v | 2570 pf @ 25 v | - | ||||||||
![]() | pja3439-au_r1_000a1 | 0.4300 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PJA3439 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJA3439-AU_R1_000A1DKR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 300MA (TA) | 2.5V, 10V | 4ohm @ 500ma, 10V | 2.5V @ 250µA | 1.1 NC @ 4.5 v | ± 20V | 51 pf @ 25 v | - | 500MW (TA) | |
![]() | ixfr26n120p | 35.1193 | ![]() | 6209 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXFR26 | MOSFET (금속 (() | ISOPLUS247 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1200 v | 15A (TC) | 10V | 500mohm @ 13a, 10V | 6.5V @ 1mA | 225 NC @ 10 v | ± 30V | 14000 pf @ 25 v | - | 320W (TC) | ||
IXTA3N110-TRL | 4.3470 | ![]() | 1435 | 0.00000000 | ixys | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXTA3 | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXTA3N110-TRLTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 1100 v | 3A (TC) | 10V | 4ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 150W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고