SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
DMP3011SPSW-13 Diodes Incorporated DMP3011SPSW-13 0.2672
RFQ
ECAD 3411 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn DMP3011 MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (유형 ux) - 31-DMP3011SSW-13 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 14A (TA), 65A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 11.5a, 10v 3V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 25V 2380 pf @ 15 v - 1.8W (TA)
IRFZ44NSPBF International Rectifier IRFZ44NSPBF -
RFQ
ECAD 9935 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 55 v 49A (TC) 10V 17.5mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1470 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 94W (TC)
AUIRFR3504 International Rectifier AUIRFR3504 1.0600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252AA) 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 40 v 56A (TC) 10V 9.2MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 20V 2150 pf @ 25 v - 140W (TC)
SPB80N04S2-H4 Infineon Technologies SPB80N04S2-H4 -
RFQ
ECAD 3858 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 4mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 148 NC @ 10 v ± 20V 5890 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRFH7184TRPBF Infineon Technologies IRFH7184TRPBF -
RFQ
ECAD 5846 0.00000000 인피온 인피온 Fastirfet ™, Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PQFN (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001570944 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 100 v 20A (TA), 128A (TC) 10V 4.8mohm @ 50a, 10V 3.6V @ 150µA 54 NC @ 10 v ± 20V 2320 pf @ 50 v - 3.9W (TA), 156W (TC)
CSD18514Q5AT Texas Instruments CSD18514Q5AT 1.0100
RFQ
ECAD 890 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn CSD18514 MOSFET (금속 (() 8-vsonp (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 250 n 채널 40 v 89A (TC) 4.5V, 10V 7.9mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 2683 pf @ 20 v - 74W (TC)
SUD50N10-34P-T4-E3 Vishay Siliconix SUD50N10-34P-T4-E3 -
RFQ
ECAD 6384 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 5.9A (TA), 20A (TC) 6V, 10V 34mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 56W (TC)
CPC3720CTR IXYS Integrated Circuits Division CPC3720CTR 0.3891
RFQ
ECAD 9802 0.00000000 ixys 회로 통합 부서 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-243AA CPC3720 MOSFET (금속 (() SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 350 v - 22ohm @ 130ma, 0v - 350 pf @ 25 v 고갈 고갈
TSM2328CX Taiwan Semiconductor Corporation TSM2328CX 0.4171
RFQ
ECAD 7755 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM2328 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-tsm2328cxtr 귀 99 8541.29.0095 12,000 n 채널 100 v 1.5A (TA) 10V 250mohm @ 1.5a, 10V 2.5V @ 250µA 11.1 NC @ 5 v ± 20V 975 pf @ 25 v - 1.38W (TA)
2SK2989,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989, F (J. -
RFQ
ECAD 9148 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SK2989 TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 5A (TJ)
IPF04N03LA Infineon Technologies IPF04N03LA -
RFQ
ECAD 9074 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPF04N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-23 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 50A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 50a, 10V 2V @ 30µA 41 NC @ 5 v ± 20V 5199 pf @ 15 v - 115W (TC)
FQP11N50CF onsemi fqp11n50cf -
RFQ
ECAD 5919 0.00000000 온세미 FRFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP1 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 11A (TC) 10V 550mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 30V 2055 PF @ 25 v - 195W (TC)
2SK3377-ZK-E1-AY Renesas Electronics America Inc 2SK3377-zk-e1-ay 0.6800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1
AO3459 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3459 -
RFQ
ECAD 1941 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-SMD, SOT-23-3 변형 AO34 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-AO3459tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 2.6A (TA) 4.5V, 10V 110mohm @ 2.6a, 10V 2.4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 197 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
FDS4675-F085 onsemi FDS4675-F085 -
RFQ
ECAD 9539 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS46 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 11A (TA) 4.5V, 10V 13mohm @ 11a, 10V 3V @ 250µA 56 NC @ 4.5 v ± 20V 4350 pf @ 20 v - 2.4W (TA)
PJQ5468A_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5468A_R2_00001 0.5900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5468 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5468A_R2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 5.5A (TA), 25A (TC) 4.5V, 10V 34mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1173 pf @ 25 v - 2W (TA), 40W (TC)
TK10A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A50W, S5X 1.9200
RFQ
ECAD 144 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK10A50 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 9.7A (TA) 10V 380mohm @ 4.9a, 10V 3.7V @ 500µA 20 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 300 v - 30W (TC)
AUIRFR024N Infineon Technologies auirfr024n -
RFQ
ECAD 3717 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AUIRFR024 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 17A (TC) 10V 75mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 370 pf @ 25 v - 45W (TC)
ACMSP3415-HF Comchip Technology ACMSP3415-HF 0.6000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-ACMSP3415-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 p 채널 20 v 4A (TA) 1.8V, 4.5V 50mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 10V 1600 pf @ 10 v - 1.4W (TA)
IXTP3N110 IXYS IXTP3N110 -
RFQ
ECAD 3982 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1100 v 3A (TC) 10V 4ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 25 v - 150W (TC)
CSD23381F4T Texas Instruments CSD23381F4T 0.9400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 텍사스 텍사스 FEMTOFET ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn CSD23381 MOSFET (금속 (() 3- 시코스타 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 250 p 채널 12 v 2.3A (TA) 1.8V, 4.5V 175mohm @ 500ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 1.14 NC @ 6 v -8V 236 pf @ 6 v - 500MW (TA)
TSM60N600CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N600CI C0G 0.9062
RFQ
ECAD 4036 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSM60 MOSFET (금속 (() ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 8A (TC) 10V 600mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 743 pf @ 100 v - 83W (TC)
STF15N60M2-EP STMicroelectronics STF15N60M2-EP 1.9000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2-EP 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF15 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 378mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 25V 590 pf @ 100 v - 25W (TC)
PMPB15XN,115 Nexperia USA Inc. PMPB15XN, 115 0.1441
RFQ
ECAD 1249 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB15 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 7.3A (TA) 1.8V, 4.5V 21mohm @ 7.3a, 4.5v 900MV @ 250µA 20.2 NC @ 4.5 v ± 12V 1240 pf @ 10 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
BUK6610-75C,118 NXP Semiconductors BUK6610-75C, 118 0.4100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 nxp 반도체 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-BUK6610-75C, 118-954 1 n 채널 75 v 78A (TC) 10V 10mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 81 NC @ 10 v ± 16V 5251 pf @ 25 v - 158W (TC)
TK4K1A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4K1A60F, S4X 0.8300
RFQ
ECAD 8560 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK4K1A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 2A (TA) 10V 4.1ohm @ 1a, 10V 4V @ 190µA 8 nc @ 10 v ± 30V 270 pf @ 300 v - 30W (TC)
IRFH5210TR2PBF Infineon Technologies IRFH5210TR2PBF -
RFQ
ECAD 5309 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 100 v 10A (TA), 55A (TC) 14.9mohm @ 33a, 10V 4V @ 100µa 59 NC @ 10 v 2570 pf @ 25 v -
PJA3439-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. pja3439-au_r1_000a1 0.4300
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3439 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJA3439-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 300MA (TA) 2.5V, 10V 4ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 1.1 NC @ 4.5 v ± 20V 51 pf @ 25 v - 500MW (TA)
IXFR26N120P IXYS ixfr26n120p 35.1193
RFQ
ECAD 6209 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFR26 MOSFET (금속 (() ISOPLUS247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 15A (TC) 10V 500mohm @ 13a, 10V 6.5V @ 1mA 225 NC @ 10 v ± 30V 14000 pf @ 25 v - 320W (TC)
IXTA3N110-TRL IXYS IXTA3N110-TRL 4.3470
RFQ
ECAD 1435 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA3 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTA3N110-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 1100 v 3A (TC) 10V 4ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 150W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고