- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
단일 단일, MOSFETS (44971)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQM200N04-1M1L_GE3 | 4.2600 |  | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | SQM200 | MOSFET (금속 (() | TO-263-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 200a (TC) | 4.5V, 10V | 1.1MOHM @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 413 NC @ 10 v | ± 20V | 20655 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | |||
 | IPU80R1K4CEAKMA1 | - | | 6395 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IPU80R | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001593930 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 800 v | 3.9A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2.3a, 10V | 3.9V @ 240µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 570 pf @ 100 v | - | 63W (TC) | ||
 | irf6648trpbf | 2.3700 | | 11 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 Mn | IRF6648 | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ Mn | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,800 | n 채널 | 60 v | 86A (TC) | 10V | 7mohm @ 17a, 10V | 4.9V @ 150µA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | 2120 pf @ 25 v | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | ||
 | IPP65R150CFDAAKSA1 | 6.2800 | | 6246 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP65R150 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 22.4A (TC) | 10V | 150mohm @ 9.3a, 10V | 4.5V @ 900µA | 86 NC @ 10 v | ± 20V | 2340 pf @ 100 v | - | 195.3W (TC) | ||
 | sqja86ep-t1_be3 | 0.9600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 19mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 25 v | - | 48W (TC) | |||||
 | IPS135N03LG | 0.1600 | | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
 | stu6nf10 | - | | 5632 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 튜브 | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | stu6nf10 | MOSFET (금속 (() | TO-251 (IPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 100 v | 6A (TC) | 10V | 250mohm @ 3a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 280 pf @ 25 v | - | 30W (TC) | ||
 | C3M0065090J | 16.4400 | | 4 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | C3M ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | C3M0065090 | sicfet ((카바이드) | TO-263-7 | 다운로드 | rohs 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 900 v | 35A (TC) | 15V | 78mohm @ 20a, 15V | 2.1V @ 5MA | 30 nc @ 15 v | +19V, -8V | 660 pf @ 600 v | - | 113W (TC) | |||
| IPP90N06S404AKSA2 | - | | 1336 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP90N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001028750 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 60 v | 90A (TC) | 10V | 4MOHM @ 90A, 10V | 4V @ 90µA | 128 NC @ 10 v | ± 20V | 10400 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||
 | PSMN022-30PL, 127 | 1.5100 | | 8659 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | PSMN022 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 5a, 10V | 2.15v @ 1ma | 9 NC @ 10 v | ± 20V | 447 pf @ 15 v | - | 41W (TC) | ||
 | IRFZ14SPBF | 1.5200 | | 120 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFZ14 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 10A (TC) | 10V | 200mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 300 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||
 | irl2203nstrlpbf | - | | 2969 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 116A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 60a, 10V | 3V @ 250µA | 60 nc @ 4.5 v | ± 16V | 3290 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 180W (TC) | |||
 | irfr9n20dtrpbf | - | | 3837 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 200 v | 9.4A (TC) | 10V | 380mohm @ 5.6a, 10V | 5.5V @ 250µA | 27 NC @ 10 v | ± 30V | 560 pf @ 25 v | - | 86W (TC) | |||
 | AUIRFS8409-7P | 13.0100 | | 908 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | AUIRF8409 | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 240A (TC) | 10V | 0.75mohm @ 100a, 10V | 3.9V @ 250µA | 460 nc @ 10 v | ± 20V | 13975 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | ||
 | AO4435L_104 | - | | 1363 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO44 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 10.5A (TA) | 5V, 20V | 14mohm @ 11a, 20V | 3V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 25V | 1400 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) | |||
 | DMG4466SSSL-13 | 0.2035 | | 8971 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DMG4466 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 10A (TA) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 10a, 10V | 2.4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 478.9 pf @ 15 v | - | 1.42W (TA) | ||
 | PJQ5442-AU_R2_000A1 | 0.9500 | | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | PJQ5442 | MOSFET (금속 (() | DFN5060-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJQ5442-AU_R2_000A1CT | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 14A (TA), 90A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 25 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1258 pf @ 25 v | - | 2.4W (TA), 99.3W (TC) | |
 | DMN3008SFGQ-7 | 0.3426 | | 8485 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | DMN3008 | MOSFET (금속 (() | PowerDI3333-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 30 v | 17.6A (TA), 62A (TC) | 4.5V, 10V | 4.4mohm @ 13.5a, 10V | 2.3V @ 250µA | 86 NC @ 10 v | ± 20V | 3690 pf @ 10 v | - | 900MW (TA) | ||
 | TK33S10N1Z, LQ | 1.5500 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-Mosviii-H | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | TK33S10 | MOSFET (금속 (() | DPAK+ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 33A (TA) | 10V | 9.7mohm @ 16.5a, 10V | 4V @ 500µA | 28 nc @ 10 v | ± 20V | 2050 pf @ 10 v | - | 125W (TC) | |||
 | R6509ENJTL | 3.4100 | | 88 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | R6509 | MOSFET (금속 (() | lpt | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 9A (TC) | 10V | 585mohm @ 2.8a, 10V | 4V @ 230µA | 24 nc @ 10 v | ± 20V | 430 pf @ 25 v | - | 94W (TC) | ||
 | SSM3K121TU | - | | 6715 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C | 표면 표면 | 3-smd,, 리드 | MOSFET (금속 (() | UFM | 다운로드 | 264-SSM3K121TU | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | n 채널 | 20 v | 3.2A (TA) | 1.5V, 4V | 48mohm @ 2a, 4v | 1V @ 1mA | 5.9 NC @ 4 v | ± 10V | 400 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | |||||
 | FQA70N10 | 2.9800 | | 4309 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | FQA70 | MOSFET (금속 (() | 3pn | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 100 v | 70A (TC) | 10V | 23mohm @ 35a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 25V | 3300 pf @ 25 v | - | 214W (TC) | ||
 | BUK9240-100A, 118 | 1.6800 | | 29 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | BUK9240 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 33A (TC) | 4.5V, 10V | 38.6MOHM @ 25A, 10V | 2V @ 1mA | ± 10V | 3072 pf @ 25 v | - | 114W (TC) | |||
 | HAT2096H-EL-E | - | | 6762 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | HAT2096 | MOSFET (금속 (() | LFPAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 40A (TA) | 4.5V, 10V | 5.3MOHM @ 20A, 10V | - | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 2200 pf @ 10 v | - | 20W (TC) | ||
 | DMT64M8LCG-13 | 0.3973 | | 4643 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | V-DFN3333-8 (유형 b) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMT64M8LCG-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 16.1A (TA), 77.8A (TC) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 20a, 10V | 2.4V @ 250µA | 47.5 nc @ 10 v | ± 20V | 2664 pf @ 30 v | - | 990MW (TA) | ||||
| IRLR3714TRL | - | | 3720 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | = 94-2307 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 18a, 10V | 3V @ 250µA | 9.7 NC @ 4.5 v | ± 20V | 670 pf @ 10 v | - | 47W (TC) | ||
 | CGD65B200S2-T13 | 4.7800 | | 4 | 0.00000000 | 케임브리지 케임브리지 장치 | Icegan ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | Ganfet ((갈륨) | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | - | 650 v | 8.5A (TC) | 9V, 20V | 280mohm @ 600ma, 12v | 4.2v @ 2.75ma | 1.4 NC @ 12 v | +20V, -1V | 현재 현재 | |||||
 | RYM002N05T2CL | 0.3800 | | 821 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-723 | RYM002 | MOSFET (금속 (() | VMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | n 채널 | 50 v | 200MA (TA) | 0.9V, 4.5V | 2.2ohm @ 200ma, 4.5v | 800mv @ 1ma | ± 8V | 26 pf @ 10 v | - | 150MW (TA) | |||
 | IRF9640 | - | | 3506 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF9640 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF9640 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 200 v | 11A (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |
 | IPI80N04S304AKSA1 | - | | 8389 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI80N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 10V | 4.1mohm @ 80a, 10V | 4V @ 90µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 5200 pf @ 25 v | - | 136W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)