SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies IPB037N06N3GATMA1 1.9300
RFQ
ECAD 9600 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB037 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 90A (TC) 10V 3.7mohm @ 90a, 10V 4V @ 90µA 98 NC @ 10 v ± 20V 11000 pf @ 30 v - 188W (TC)
FDWS9509L-F085 onsemi FDWS9509L-F085 -
RFQ
ECAD 8163 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDWS9509 MOSFET (금속 (() 8-DFN (5.1x6.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 65A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 65a, 10V 3V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 16V 3360 pf @ 20 v - 107W (TJ)
FQB2N90TM onsemi FQB2N90TM -
RFQ
ECAD 5726 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FQB2 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 900 v 2.2A (TC) 10V 7.2ohm @ 1.1a, 10V 5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 30V 500 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 85W (TC)
TK15S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK15S04N1L, LXHQ 0.9600
RFQ
ECAD 3131 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK15S04 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 15A (TA) 4.5V, 10V 17.8mohm @ 7.5a, 10V 2.5V @ 100µa 10 nc @ 10 v ± 20V 610 pf @ 10 v - 46W (TC)
NTDV5804NT4G onsemi NTDV5804NT4G -
RFQ
ECAD 9907 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTDV58 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 69A (TC) 5V, 10V 8.5mohm @ 30a, 10V 3.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 2850 pf @ 25 v - 71W (TC)
R6507END3TL1 Rohm Semiconductor R6507end3tl1 1.9500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 R6507 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 7A (TC) 10V 665mohm @ 2.4a, 10V 4V @ 200µA 20 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 78W (TC)
CSD19535KTTT Texas Instruments CSD19535KTTT 4.1200
RFQ
ECAD 8 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-4, d²pak (3 리드 + 탭), TO-263AA CSD19535 MOSFET (금속 (() DDPAK/TO-263-3 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 200a (TA) 6V, 10V 3.4mohm @ 100a, 10V 3.4V @ 250µA 98 NC @ 10 v ± 20V 7930 pf @ 50 v - 300W (TC)
BSN20,215 NXP USA Inc. BSN20,215 -
RFQ
ECAD 3849 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BSN2 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
AOD403_DELTA Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD403_DELTA -
RFQ
ECAD 7505 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD40 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 15A (TA), 70A (TC) 10V, 20V 6.2MOHM @ 20A, 20V 3.5V @ 250µA 61 NC @ 10 v ± 25V 3500 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 90W (TC)
STW12NK95Z STMicroelectronics STW12NK95Z -
RFQ
ECAD 6931 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW12N MOSFET (금속 (() TO-247-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-5167-5 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 950 v 10A (TC) 10V 900mohm @ 5a, 10V 4.5V @ 100µa 113 NC @ 10 v ± 30V 3500 pf @ 25 v - 230W (TC)
AUIRL7766M2TR Infineon Technologies auirl7766m2tr -
RFQ
ECAD 8524 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 M4 auirl7766 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ ™ 메트릭 M4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001516036 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 100 v 10A (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 31a, 10V 2.5V @ 150µA 66 NC @ 4.5 v ± 16V 5305 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 62.5W (TC)
STD1NK60-1 STMicroelectronics STD1NK60-1 1.1000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA std1 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 1A (TC) 10V 8.5ohm @ 500ma, 10V 3.7V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 30V 156 pf @ 25 v - 30W (TC)
BUK9Y21-40E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y21-40E, 115 0.7000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y21 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 33A (TC) 5V 17mohm @ 10a, 10V 2.1v @ 1ma 7 nc @ 5 v ± 10V 824 pf @ 25 v - 45W (TC)
NTMSD3P102R2G onsemi NTMSD3P102R2G -
RFQ
ECAD 5865 0.00000000 온세미 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NTMSD3 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 NTMSD3P102R2GOS 귀 99 8541.21.0095 2,500 p 채널 20 v 2.34A (TA) 4.5V, 10V 85mohm @ 3.05a, 10V 2.5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 750 pf @ 16 v Schottky 분리 (다이오드) 730MW (TA)
AUIRF2807 Infineon Technologies AUIRF2807 -
RFQ
ECAD 8052 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001522572 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 75 v 75A (TC) 10V 13mohm @ 43a, 10V 4V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 3820 pf @ 25 v - 230W (TC)
SFH9250L onsemi SFH9250L -
RFQ
ECAD 9109 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 SFH925 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 p 채널 200 v 19.5A (TC) 5V 230mohm @ 9.8a, 5V 2V @ 250µA 120 nc @ 5 v ± 20V 3250 pf @ 25 v - 204W (TC)
SPP11N80C3XKSA1 Infineon Technologies SPP11N80C3XKSA1 3.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp11n80 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 11A (TC) 10V 450mohm @ 7.1a, 10V 3.9V @ 680µA 85 NC @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 100 v - 156W (TC)
HUF76633S3S onsemi HUF76633S3S -
RFQ
ECAD 7009 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB huf76 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 39A (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 39a, 10V 3V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 16V 1820 pf @ 25 v - 145W (TC)
CSD18537NKCS Texas Instruments CSD18537NKCS 1.3500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 CSD18537 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 50A (TC) 6V, 10V 14mohm @ 25a, 10V 3.5V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 1480 pf @ 30 v - 94W (TC)
STP5NB40 STMicroelectronics STP5NB40 -
RFQ
ECAD 3265 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP5N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 4.7A (TC) 10V 1.8ohm @ 2.3a, 10V 5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 405 pf @ 25 v - 80W (TC)
IRFZ44RPBF Vishay Siliconix IRFZ44RPBF 2.8100
RFQ
ECAD 6719 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ44 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFZ44RPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 28mohm @ 31a, 10V 4V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 25 v - 150W (TC)
IPI16CN10N G Infineon Technologies IPI16CN10N g -
RFQ
ECAD 5757 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI16C MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 53A (TC) 10V 16.2MOHM @ 53A, 10V 4V @ 61µA 48 NC @ 10 v ± 20V 3220 pf @ 50 v - 100W (TC)
RJK4007DPP-L1#T2 Renesas Electronics America Inc RJK4007DPP-L1#T2 2.5500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
IRF540P2 Harris Corporation IRF540P2 -
RFQ
ECAD 1842 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
SI7116DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7116DN-T1-GE3 2.3500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7116 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 10.5A (TA) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 16.4a, 10V 2.5V @ 250µA 23 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.5W (TA)
IXFV12N90P IXYS IXFV12N90p -
RFQ
ECAD 7513 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Polarp2 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3,-탭 IXFV12 MOSFET (금속 (() Plus220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 12A (TC) 10V 900mohm @ 6a, 10V 6.5V @ 1mA 56 NC @ 10 v ± 30V 3080 pf @ 25 v - 380W (TC)
IPP023N04NGXKSA1 Infineon Technologies IPP023N04NGXKSA1 2.5600
RFQ
ECAD 2040 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP023 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 90A (TC) 10V 2.3MOHM @ 90A, 10V 4V @ 95µA 120 nc @ 10 v ± 20V 10000 pf @ 20 v - 167W (TC)
IRF740LCL Vishay Siliconix IRF740LCL -
RFQ
ECAD 7398 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF740 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF740LCL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - -
IPB034N03LGATMA1 Infineon Technologies IPB034N03LGATMA1 -
RFQ
ECAD 9919 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB034 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 5300 pf @ 15 v - 94W (TC)
BSS110 onsemi BSS110 -
RFQ
ECAD 9086 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BSS11 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 50 v 170ma (TA) 10ohm @ 170ma, 10V 2V @ 1mA 40 pf @ 25 v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고