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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN3009SFGQ-7 | 0.9700 | ![]() | 4094 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | DMN3009 | MOSFET (금속 (() | PowerDI3333-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 30 v | 16A (TA), 45A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 20V | 2 nf @ 15 v | - | 900MW (TA) | ||
![]() | sqa413cejw-t1_ge3 | 0.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | PowerPak® SC-70-6 | SQA413 | MOSFET (금속 (() | PowerPak®SC-70W-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 7.5A (TC) | 2.5V, 4.5V | 38mohm @ 4.5a, 4.5v | 1.3V @ 250µA | 16 nc @ 4.5 v | ± 12V | 1350 pf @ 10 v | - | 13.6W (TC) | |||
![]() | NTE2398 | 6.7100 | ![]() | 228 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - | 가방 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2368-NTE2398 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 4.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.7a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 610 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | ||||
![]() | SPP06N80C3XK | - | ![]() | 8833 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | spp06n | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | SP000013366 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 800 v | 6A (TC) | 10V | 900mohm @ 3.8a, 10V | 3.9V @ 250µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 785 pf @ 100 v | - | 83W (TC) | ||
![]() | DMTH15H017SPS-13 | 0.6125 | ![]() | 7792 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | DMTH15 | MOSFET (금속 (() | PowerDI5060-8 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMTH15H017SPS-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 150 v | 11A (TA), 61A (TC) | 8V, 10V | 19mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 2344 pf @ 75 v | - | 1.5W (TA), 107W (TC) | |||
IRFZ34 | - | ![]() | 6877 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFZ34 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFZ34 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 30A (TC) | 10V | 50mohm @ 18a, 10V | 4V @ 250µA | 46 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 88W (TC) | ||
![]() | IPP055N03LGXKSA1 | 1.2900 | ![]() | 3070 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP055 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 3200 pf @ 15 v | - | 68W (TC) | ||
![]() | HTNFET-TC | - | ![]() | 9171 | 0.00000000 | Honeywell Aerospace | HTMOS ™ | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | - | htnfet | MOSFET (금속 (() | - | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 55 v | - | 5V | 400mohm @ 100ma, 5V | 2.4V @ 100µa | 4.3 NC @ 5 v | 10V | 290 pf @ 28 v | - | 50W (TJ) | |||
![]() | FCH023N65S3-F155 | - | ![]() | 9454 | 0.00000000 | 온세미 | Superfet® III | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | FCH023 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 75A (TC) | 10V | 23mohm @ 37.5a, 10V | 4.5V @ 7.5MA | 222 NC @ 10 v | ± 30V | 7160 pf @ 400 v | - | 595W (TC) | ||
![]() | irlz34nstrr | - | ![]() | 4889 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | Q971401 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 30A (TC) | 4V, 10V | 35mohm @ 16a, 10V | 2V @ 250µA | 25 nc @ 5 v | ± 16V | 880 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 68W (TC) | ||
![]() | huf76619d3st | 1.0000 | ![]() | 7026 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 18A (TC) | 4.5V, 10V | 85mohm @ 18a, 10V | 3V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 16V | 767 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | |||||
![]() | IPD60R950C6 | - | ![]() | 8733 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C6 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD60R | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 4.4A (TC) | 10V | 950mohm @ 1.5a, 10V | 3.5V @ 130µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | 280 pf @ 100 v | - | 37W (TC) | ||
![]() | irl3705nstrl | - | ![]() | 4654 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001571922 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 89A (TC) | 4V, 10V | 10mohm @ 46a, 10V | 2V @ 250µA | 98 NC @ 5 v | ± 16V | 3600 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 170W (TC) | ||
![]() | irfr5505trr | - | ![]() | 9969 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 55 v | 18A (TC) | 10V | 110mohm @ 9.6a, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 650 pf @ 25 v | - | 57W (TC) | |||
![]() | IPLU300N04S41R1XTMA1 | 5.7000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-Powersfn | IPLU300 | MOSFET (금속 (() | PG-HSOF-8-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 300A (TC) | 10V | 1.15mohm @ 100a, 10V | 4V @ 125µA | 151 NC @ 10 v | ± 20V | 12090 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||
![]() | NILMS4501NR2 | - | ![]() | 1862 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-DFN | NILMS45 | MOSFET (금속 (() | 4-PLLP (6.2x5.2) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 24 v | 9.5A (TA) | 10V | 13mohm @ 6a, 10V | 2V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 10V | 1500 pf @ 6 v | 현재 현재 | 1.4W (TA) | ||
![]() | ixfn48n60p | 30.8300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXFN48 | MOSFET (금속 (() | SOT-227B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | -ixfn48n60p | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 600 v | 40A (TC) | 10V | 140mohm @ 4a, 10V | 5.5V @ 8mA | 150 nc @ 10 v | ± 30V | 8860 pf @ 25 v | - | 625W (TC) | |
![]() | DMN3025LFG-13 | 0.1628 | ![]() | 4440 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | DMN3025 | MOSFET (금속 (() | PowerDI3333-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 7.5A (TA) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 7.8a, 10V | 2V @ 250µA | 11.6 NC @ 10 v | ± 20V | 605 pf @ 15 v | - | 2W (TA) | ||
![]() | FCH077N65F-F085 | 11.5800 | ![]() | 450 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101, SUPERFET® II | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | FCH077 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 54A (TC) | 10V | 77mohm @ 27a, 10V | 5V @ 250µA | 164 NC @ 10 v | ± 20V | 7162 pf @ 25 v | - | 481W (TC) | ||
![]() | FDP20N50 | - | ![]() | 6739 | 0.00000000 | 온세미 | unifet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FDP20 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 20A (TC) | 10V | 230mohm @ 10a, 10V | 5V @ 250µA | 59.5 nc @ 10 v | ± 30V | 3120 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | ||
![]() | SSFQ3907 | 0.5000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 8A (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 17 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1820 pf @ 15 v | - | 2.1W (TC) | |||
![]() | IQDH35N03LM5CGATMA1 | 3.9700 | ![]() | 7676 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 9-powertdfn | IQDH35 | MOSFET (금속 (() | PG-TTFN-9-U02 | - | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 66A (TA), 700A (TC) | 4.5V, 10V | 0.35mohm @ 50a, 10V | 2V @ 1.46MA | 197 NC @ 10 v | ± 20V | 18000 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 278W (TC) | ||||
![]() | IRL1004 | - | ![]() | 6692 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL1004 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 130A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 78a, 10V | 1V @ 250µA | 100 nc @ 4.5 v | ± 16V | 5330 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | ||
![]() | SI3446ADV-T1-GE3 | - | ![]() | 4627 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3446 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 6A (TC) | 2.5V, 4.5V | 37mohm @ 5.8a, 4.5v | 1.8V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 12V | 640 pf @ 10 v | - | 2W (TA), 3.2W (TC) | ||
![]() | FQI27P06TU | - | ![]() | 2059 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | FQI2 | MOSFET (금속 (() | i2pak | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 60 v | 27A (TC) | 10V | 70mohm @ 13.5a, 10V | 4V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | ± 25V | 1400 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 120W (TC) | |||
![]() | IXTP54N30T | - | ![]() | 1215 | 0.00000000 | ixys | 도랑 | 튜브 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXTP54 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 300 v | 54A (TC) | - | - | - | - | ||||||
![]() | DMN3024LK3-13 | 0.5500 | ![]() | 5106 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | DMN3024 | MOSFET (금속 (() | TO-252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 9.78A (TA) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 7a, 10V | 3V @ 250µA | 12.9 NC @ 10 v | ± 20V | 608 pf @ 15 v | - | 2.17W (TA) | ||
![]() | NP89N04puk-e1-ay | 2.3100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | NP89N04 | MOSFET (금속 (() | TO-263 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 90A (TC) | 10V | 2.95mohm @ 45a, 5V | 4V @ 250µA | 102 NC @ 10 v | ± 20V | 5850 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA), 147W (TC) | ||
![]() | FDMS0308CS | - | ![]() | 4710 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS03 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 22A (TA) | 3MOHM @ 21A, 10V | 3V @ 1mA | 66 NC @ 10 v | 4225 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 65W (TC) | |||||
STP140NF55 | 2.7900 | ![]() | 6818 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP140 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 80A (TC) | 10V | 8mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250µA | 142 NC @ 10 v | ± 20V | 5300 pf @ 25 v | - | 300W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고