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단일 단일, MOSFETS (44971)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PHU66NQ03LT, 127 | - |  | 9126 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | phu66 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 25 v | 66A (TC) | 5V, 10V | 10.5mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 12 nc @ 5 v | ± 20V | 860 pf @ 25 v | - | 93W (TC) | ||
 | TK56E12N1, S1X | 1.6800 | | 7085 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-Mosviii-H | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | TK56E12 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 120 v | 56A (TA) | 10V | 7mohm @ 28a, 10V | 4V @ 1MA | 69 NC @ 10 v | ± 20V | 4200 pf @ 60 v | - | 168W (TC) | |||
 | GT180P08T | 1.7100 | | 5202 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 3141-GT180P08T | 귀 99 | 8541.29.0000 | 50 | p 채널 | 40 v | 89A (TC) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 62 NC @ 10 v | ± 20V | 6040 pf @ 40 v | - | 245W (TC) | |||
 | EPC2038 | 1.2800 | | 214 | 0.00000000 | EPC | Egan® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | EPC20 | Ganfet ((갈륨) | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0040 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 500MA (TA) | 5V | 3.3ohm @ 50ma, 5V | 2.5V @ 20µA | 0.044 NC @ 5 v | +6V, -4V | 8.4 pf @ 50 v | - | - | ||
 | IPT65R033G7XTMA1 | 19.6600 | | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C7 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-Powersfn | IPT65R033 | MOSFET (금속 (() | PG-HSOF-8-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 650 v | 69A (TC) | 10V | 33mohm @ 28.9a, 10V | 4V @ 1.44ma | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 5000 pf @ 400 v | - | 391W (TC) | ||
 | IRFS7437TRLPBF | 2.1200 | | 8 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS7437 | MOSFET (금속 (() | TO-263AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 6V, 10V | 1.8mohm @ 100a, 10V | 3.9V @ 150µA | 225 NC @ 10 v | ± 20V | 7330 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | ||
 | PJQ2422_R1_00001 | 0.4500 | | 157 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | PJQ2422 | MOSFET (금속 (() | DFN2020B-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJQ2422_R1_00001DKR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 8A (TA) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 4.3 NC @ 4.5 v | ± 20V | 392 pf @ 25 v | - | 2W (TA) | |
 | NTDV2955-1G | - | | 7071 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | NTDV29 | - | i-pak | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | - | 12A (TA) | - | - | - | - | ||||||||
 | IPI70N04S307AKSA1 | - | | 9352 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI70N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 70a, 10V | 4V @ 50µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 2700 pf @ 25 v | - | 79W (TC) | |||
 | irfu1010zpbf | - | | 2678 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 55 v | 42A (TC) | 10V | 7.5mohm @ 42a, 10V | 4V @ 100µa | 95 NC @ 10 v | ± 20V | 2840 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | ||||
 | IRFSL33N15D | - | | 5995 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFSL33N15D | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 150 v | 33A (TC) | 10V | 56MOHM @ 20A, 10V | 5.5V @ 250µA | 90 NC @ 10 v | ± 30V | 2020 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 170W (TC) | ||
 | SI3442BDV-T1-GE3 | 0.2284 | | 3719 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3442 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 3A (TA) | 2.5V, 4.5V | 57mohm @ 4a, 4.5v | 1.8V @ 250µA | 5 nc @ 4.5 v | ± 12V | 295 pf @ 10 v | - | 860MW (TA) | |||
 | DMTH6016LFDFW-13 | 0.2443 | | 9958 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | DMTH6016 | MOSFET (금속 (() | U-DFN2020-6 (SWP) (F 형) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 60 v | 9.4A (TA) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 10a, 10V | 3V @ 250µA | 15.3 NC @ 10 v | ± 20V | 925 pf @ 30 v | - | 1.06W (TA) | ||
 | SSM6J424TU, LF | 0.4700 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-Mosvi | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 | SSM6J424 | MOSFET (금속 (() | UF6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 6A (TA) | 1.5V, 4.5V | 22.5mohm @ 6a, 4.5v | 1V @ 1mA | 23.1 NC @ 4.5 v | +6V, -8V | 1650 pf @ 10 v | - | 1W (TA) | |||
 | pmpb27ep/s500x | 0.1100 | | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | MOSFET (금속 (() | DFN2020MD-6 | - | 2156-PMPB27EP/S500X | 2,694 | p 채널 | 30 v | 6.1A (TA) | 4.5V, 10V | 29mohm @ 6.1a, 10V | 2.5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 1570 pf @ 15 v | - | 1.7W (TA), 12.5W (TC) | |||||||
 | IPD105N04LGBTMA1 | - | | 9631 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD105N | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 40a, 10V | 2V @ 14µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1900 pf @ 20 v | - | 42W (TC) | |||
 | SCT3022ALHRC11 | 73.6000 | | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SCT3022 | sicfet ((카바이드) | TO-247N | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 93A (TC) | 18V | 28.6mohm @ 36a, 18V | 5.6v @ 18.2ma | 133 NC @ 18 v | +22V, -4V | 2208 pf @ 500 v | - | 339W | ||
 | FDMS8025S | 1.4000 | | 2 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench®, SyncFet ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS8025 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 24A (TA), 49A (TC) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 24a, 10V | 3V @ 1mA | 47 NC @ 10 v | ± 20V | 3000 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | ||
 | ZVN4306GVTC | - | | 4898 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 60 v | 2.1A (TA) | 5V, 10V | 3A 3A, 10V 330mohm | 3V @ 1mA | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | 3W (TA) | |||||
 | IXTA150N15X4-7 | 13.7900 | | 9311 | 0.00000000 | ixys | x4 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | IXTA150 | MOSFET (금속 (() | TO-263-7 (IXTA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 150 v | 150A (TC) | 10V | 6.9mohm @ 75a, 10V | 4.5V @ 250µA | 105 NC @ 10 v | ± 20V | 5500 pf @ 25 v | - | 480W (TC) | ||
 | AO4292E | 0.3624 | | 9751 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO42 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 8A (TA) | ||||||||||||||
 | STFI13N80K5 | - | | 4352 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ K5 | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-262-3 2 팩 팩, i²pak | STFI13N | MOSFET (금속 (() | I2PAKFP (TO-281) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 12A (TC) | 10V | 450mohm @ 6a, 10V | 5V @ 100µa | 29 NC @ 10 v | ± 30V | 870 pf @ 100 v | - | 35W (TC) | ||
 | IXFR32N50Q | - | | 2902 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXFR32 | MOSFET (금속 (() | ISOPLUS247 ™ | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 500 v | 30A (TC) | 10V | 160mohm @ 16a, 10V | 4.5V @ 4mA | 150 nc @ 10 v | ± 20V | 3950 pf @ 25 v | - | 310W (TC) | ||||
| TSM060N03CP | 0.7524 | | 7994 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | TSM060 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-TSM060N03CPTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 6MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 11.1 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1160 pf @ 25 v | - | 54W (TC) | ||
 | NVTA7002NT1G | 0.4100 | | 3 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | NVTA7002 | MOSFET (금속 (() | SC-75, SOT-416 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 154MA (TJ) | 2.5V, 4.5V | 7ohm @ 154ma, 4.5v | 1.5V @ 100µa | ± 10V | 20 pf @ 5 v | - | 300MW (TJ) | |||
| PCFA3612d | - | | 6354 | 0.00000000 | 온세미 | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-PCFA3612DTR | 쓸모없는 | 3,000 | ||||||||||||||||||||
 | PHP55N03LTA, 127 | - | | 2739 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | PHP55 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 25 v | 55A (TC) | 5V, 10V | 14mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 20 nc @ 5 v | ± 20V | 950 pf @ 25 v | - | 85W (TC) | ||
 | STD50NH02L-1 | - | | 4583 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ iii | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | std50n | MOSFET (금속 (() | TO-251 (IPAK) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 24 v | 50A (TC) | 5V, 10V | 10.5mohm @ 25a, 10V | 1.8V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 25 v | - | 60W (TC) | ||
 | BUK78150-55A, 135 | - | | 5208 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BUK78 | MOSFET (금속 (() | SC-73 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 55 v | 5.5A (TC) | 10V | 150mohm @ 5a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 230 pf @ 25 v | - | 8W (TC) | |||
 | IPP11N03LA | - | | 2288 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IP11N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 25 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 11.5mohm @ 30a, 10V | 2V @ 20µA | 11 NC @ 5 v | ± 20V | 1358 pf @ 15 v | - | 52W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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