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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
FQU1N50TU Fairchild Semiconductor fqu1n50tu 0.1700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 5,040 n 채널 500 v 1.1A (TC) 10V 9ohm @ 550ma, 10V 5V @ 250µA 5.5 nc @ 10 v ± 30V 150 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
FQD7N10TM Fairchild Semiconductor fqd7n10tm 0.5100
RFQ
 ECAD 176 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 5.8A (TC) 10V 350mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250µA 7.5 NC @ 10 v ± 25V 250 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
FQB6N60TM Fairchild Semiconductor FQB6N60TM 1.3600
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 6.2A (TC) 10V 1.5ohm @ 3.1a, 10V 5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 30V 1000 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 130W (TC)
RFP14N05L Fairchild Semiconductor RFP14N05L 0.4000
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 50 v 14A (TC) 5V 100mohm @ 14a, 5V 2V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 10V 670 pf @ 25 v - 48W (TC)
ISL9N302AS3ST Fairchild Semiconductor ISL9N302AS3ST 2.0700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 75A (TC) 4.5V, 10V 2.3mohm @ 75a, 10V 3V @ 250µA 300 NC @ 10 v ± 20V 11000 pf @ 15 v - 345W (TC)
FDU6676AS Fairchild Semiconductor FDU6676AS 0.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 90A (TA) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 16a, 10V 3V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 2470 pf @ 15 v - 70W (TA)
2SJ328-Z-AZ Renesas Electronics America Inc 2SJ328-Z-AZ 2.7800
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 125
ISL9N310AP3 Fairchild Semiconductor ISL9N310AP3 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 62A (TC) 4.5V, 10V 10ohm @ 62a, 10a 3V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 15 v - 70W (TA)
IPI80N04S3-04 Infineon Technologies IPI80N04S3-04 -
RFQ
 ECAD 8281 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 370
FDU6644 Fairchild Semiconductor FDU6644 1.4800
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 204 n 채널 30 v 67A (TA) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 16a, 10V 3V @ 250µA 35 NC @ 5 v ± 16V 3087 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
FS5ASJ-06F-T13#B00 Renesas Electronics America Inc FS5ASJ-06F-T13#B00 0.7400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000
2SK1838S-E Renesas Electronics America Inc 2SK1838S-E 1.9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
FDU6682_NL Fairchild Semiconductor FDU6682_NL 0.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 75A (TA) 4.5V, 10V 6.2mohm @ 17a, 10V 3V @ 250µA 31 NC @ 5 v ± 20V 2400 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
RJK0380DPA-00#J53 Renesas Electronics America Inc RJK0380DPA-00#J53 1.2600
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000
NX2020P1115 NXP USA Inc. NX2020P1115 0.0700
RFQ
 ECAD 262 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000
RF1S40N10SM Harris Corporation RF1S40N10SM 1.3200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 - 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 40a - - - - - -
RFD16N05L Harris Corporation RFD16N05L 1.1700
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 50 v 16A (TC) 4V, 5V 47mohm @ 16a, 5V 2V @ 250ma 80 nc @ 10 v ± 10V - 60W (TC)
MTW24N40E onsemi MTW24N40E 6.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1
NTD4N60 onsemi NTD4N60 0.4100
RFQ
 ECAD 184 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1
RJL5014DPP-00#T2 Renesas Electronics America Inc RJL5014DPP-00#T2 5.0300
RFQ
 ECAD 788 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
NTD4906NT4H Sanyo NTD4906NT4H 0.2000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Sanyo * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500
VN10KC-T1 Siliconix VN10KC-T1 0.2800
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 실리코 실리코 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 1
RF1K4915796 Fairchild Semiconductor RF1K4915796 0.8200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 6.3A (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 6.3a, 10V 3V @ 250µA 88 NC @ 20 v ± 20V 1575 pf @ 25 v - 2W (TA)
2SK3288ENTL-E Renesas Electronics America Inc 2SK3288ENTL-e 0.1100
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
SFR9214TF Fairchild Semiconductor SFR9214TF 0.1400
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-3 (DPAK) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 250 v 1.53A (TC) 10V 4ohm @ 770ma, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 30V 295 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 19W (TC)
RF1S530 Harris Corporation RF1S530 0.9300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 - rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
PMN52XP115 NXP USA Inc. PMN52XP115 0.0800
RFQ
 ECAD 636 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
SGF25-TR-E onsemi SGF25-TR-E 0.2900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
PMN40UPEA115 NXP USA Inc. PMN40UPEA115 0.2700
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 4.7A (TA) 1.8V, 4.5V 43mohm @ 3a, 4.5v 950MV @ 250µA 23 NC @ 4.5 v ± 8V 1820 pf @ 10 v - 500MW (TA), 8.33W (TC)
SFU9210TU Fairchild Semiconductor SFU9210TU 0.3200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 200 v 1.6A (TC) 10V 3ohm @ 800ma, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 30V 285 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 19W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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