SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
RJK0379DPA-00#J5A Renesas Electronics America Inc RJK0379DPA-00#J5A 1.4800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-Wfdfn d 패드 패드 MOSFET (금속 (() 8-wpak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 50A (TA) 2.3mohm @ 25a, 10V - 37 NC @ 4.5 v 5150 pf @ 10 v - 55W (TC)
SISS22LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS22LDN-T1-GE3 1.2100
RFQ
ECAD 8624 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS22 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SISS22LDN-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 25.5A (TA), 92.5A (TC) 4.5V, 10V 3.65mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V 2540 pf @ 30 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
SISA35DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA35DN-T1-GE3 0.5200
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SISA35 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 10A (TA), 16A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 9a, 10V 2.2V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 15 v - 3.2W (TA), 24W (TC)
FQAF28N15 Fairchild Semiconductor FQAF28N15 0.8000
RFQ
ECAD 473 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 150 v 22A (TC) 10V 90mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 25V 1600 pf @ 25 v - 102W (TC)
FDZ372NZ Fairchild Semiconductor FDZ372NZ 1.3600
RFQ
ECAD 978 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, WLCSP MOSFET (금속 (() 4-WLCSP (1x1) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 5,000 n 채널 20 v 4.7A (TA) 50mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 250µA 9.8 nc @ 4.5 v 685 pf @ 10 v - 1.7W (TA)
HUFA75307D3S Fairchild Semiconductor hufa75307d3 0.2100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,800 n 채널 55 v 15A (TC) 10V 90mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 20 v ± 20V 250 pf @ 25 v - 45W (TC)
2SK3814-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3814-AZ 1.5200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() TO-251 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 60A (TC) 8.7mohm @ 30a, 10V - 95 NC @ 10 v 5450 pf @ 10 v - 1W (TA), 84W (TC)
FQD5N50CTM Fairchild Semiconductor fqd5n50ctm 0.5100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 4A (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 625 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 48W (TC)
UPA620TT-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA620TT-E1-A 0.2700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 표면 표면 6-SMD,, 리드 MOSFET (금속 (() 6-wsof - Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 5A (TA) 38mohm @ 2.5a, 4.5v 1.5V @ 1mA 5.5 nc @ 4 v 450 pf @ 10 v -
FQB5N50CFTM Fairchild Semiconductor fqb5n50cftm -
RFQ
ECAD 3311 0.00000000 페어차일드 페어차일드 FRFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 58 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.55ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 625 pf @ 25 v - 96W (TC)
HUFA76619D3ST Fairchild Semiconductor hufa76619d3st 0.3600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 18A (TC) 4.5V, 10V 85mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 16V 767 pf @ 25 v - 75W (TC)
FQD6N50CTF Fairchild Semiconductor fqd6n50ctf 0.6000
RFQ
ECAD 750 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 500 v 4.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.25a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 61W (TC)
SCTH40N120G2V7AG STMicroelectronics SCTH40N120G2V7AG 21.3300
RFQ
ECAD 9081 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA SCTH40 sicfet ((카바이드) H2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-SCTH40N120G2V7AGTR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 33A (TC) 18V 105mohm @ 20a, 18V 5V @ 1MA 63 NC @ 18 v +22V, -10V 1230 pf @ 800 v - 250W (TC)
SCTW35N65G2VAG STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG 19.4800
RFQ
ECAD 2835 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCTW35 sicfet ((카바이드) HIP247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-SCTW35N65G2VAG 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 45A (TC) 18V, 20V 67mohm @ 20a, 20V 5V @ 1MA 73 NC @ 20 v +22V, -10V 1370 pf @ 400 v - 240W (TC)
SCTW100N65G2AG STMicroelectronics SCTW100N65G2AG 37.7600
RFQ
ECAD 1183 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCTW100 sicfet ((카바이드) HIP247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-SCTW100N65G2AG 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 100A (TC) 18V 26mohm @ 50a, 18V 5V @ 5MA 162 NC @ 18 v +22V, -10V 3315 pf @ 520 v - 420W (TC)
IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies IMZA65R072M1HXKSA1 12.9500
RFQ
ECAD 264 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IMZA65 sicfet ((카바이드) PG-to247-4-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 28A (TC) 18V 94mohm @ 13.3a, 18V 5.7V @ 4mA 22 nc @ 18 v +23V, -5V 744 pf @ 400 v - 96W (TC)
IPAN60R125PFD7SXKSA1 Infineon Technologies IPAN60R125PFD7SXKSA1 2.8800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ PFD7 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPAN60 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 25A (TC) 10V 125mohm @ 7.8a, 10V 4.5V @ 390µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1503 pf @ 400 v - 32W (TC)
IPN60R1K5PFD7SATMA1 Infineon Technologies IPN60R1K5PFD7SATMA1 0.7900
RFQ
ECAD 7569 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ PFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IPN60R1 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 700ma, 10V 4.5V @ 40µA 4.6 NC @ 10 v ± 20V 169 pf @ 400 v - 6W (TC)
FQB9N08TM Fairchild Semiconductor FQB9N08TM 0.3100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 9.3A (TC) 10V 210mohm @ 4.65a, 10V 4V @ 250µA 7.7 NC @ 10 v ± 25V 250 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 40W (TC)
RJK0364DPA-00#J0 Renesas Electronics America Inc RJK0364DPA-00#J0 0.6500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-wpak (3) 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 35A (TA) 7.8mohm @ 17.5a, 10V - 10 nc @ 4.5 v 1600 pf @ 10 v - 35W (TC)
NDH832P Fairchild Semiconductor NDH832P 0.3700
RFQ
ECAD 73 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSP (0.130 ", 3.30mm 너비) MOSFET (금속 (() SUPERSOT ™ -8 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 4.2A (TA) 2.7V, 4.5V 60mohm @ 4.2a, 4.5v 1V @ 250µA 30 nc @ 4.5 v -8V 1000 pf @ 10 v - 1.8W (TA)
UPA1818GR-9JG-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA1818GR-9JG-E1-A 0.8000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 10A (TA) 15.2mohm @ 5a, 4.5v 1.5V @ 1mA 20 nc @ 4 v 2200 pf @ 10 v -
FQU7N20TU Fairchild Semiconductor fqu7n20tu 0.6000
RFQ
ECAD 17 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 5,040 n 채널 200 v 5.3A (TC) 10V 690mohm @ 2.65a, 10V 5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 30V 400 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 45W (TC)
FDB6030L Fairchild Semiconductor FDB6030L 0.4900
RFQ
ECAD 22 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 48A (TA) 4.5V, 10V 13mohm @ 26a, 10V 3V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 20V 1250 pf @ 15 v - 52W (TC)
IRFP460C Fairchild Semiconductor IRFP460C -
RFQ
ECAD 8134 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 240mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 30V 6000 pf @ 25 v - 235W (TC)
FDZ294N Fairchild Semiconductor FDZ294N 0.9600
RFQ
ECAD 53 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 9-VFBGA MOSFET (금속 (() 9-BGA (1.5x1.6) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6A (TA) 2.5V, 4.5V 23mohm @ 6a, 4.5v 1.5V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 12V 670 pf @ 10 v - 1.7W (TA)
FQD5N40TM Fairchild Semiconductor FQD5N40TM 0.4400
RFQ
ECAD 157 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 400 v 3.4A (TC) 10V 1.6ohm @ 1.7a, 10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 460 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 45W (TC)
FDP8443 Fairchild Semiconductor FDP8443 1.2300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 40 v 20A (TA), 80A (TC) 10V 3.5mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 185 NC @ 10 v ± 20V 9310 pf @ 25 v - 188W (TC)
FQU1N50TU Fairchild Semiconductor fqu1n50tu 0.1700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 5,040 n 채널 500 v 1.1A (TC) 10V 9ohm @ 550ma, 10V 5V @ 250µA 5.5 nc @ 10 v ± 30V 150 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
FQD7N10TM Fairchild Semiconductor fqd7n10tm 0.5100
RFQ
ECAD 176 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 5.8A (TC) 10V 350mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250µA 7.5 NC @ 10 v ± 25V 250 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고