SIC
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FET, MOSFET et (6056)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능
SSM6L16FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L16FETE85LF 0.3800
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TA) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SSM6L16 MOSFET (금속 (() 150MW ES6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 n 및 p 채널 20V 100ma 3ohm @ 10ma, 4v 1.1V @ 100µa - 9.3pf @ 3v -
RF1K4909096 Fairchild Semiconductor RF1K4909096 0.6200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RF1K4 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 12V 3.5A (TA) 50mohm @ 3.5a, 5V 2V @ 250µA 25NC @ 10V 750pf @ 10V 논리 논리 게이트
MTI85W100GC-SMD IXYS MTI85W100GC-SMD 29.1277
RFQ
 ECAD 4814 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 17-SMD,, 날개 MTI85W100 MOSFET (금속 (() - Isoplus-Dil ™ - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-MTI85W100GC-SMD 귀 99 8541.29.0095 13 6 n 채널 (3 채널 교량) 100V 120A (TC) 4mohm @ 80a, 10V 3.5V @ 150µA 88NC @ 10V - -
SQJB44EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJB44EP-T1_GE3 1.5800
RFQ
 ECAD 5490 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB44 MOSFET (금속 (() 48W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 742-sqjb44ep-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 30A (TC) 5.2mohm @ 8a, 10V 2.2V @ 250µA 50NC @ 10V 3075pf @ 25V -
AOCA32112E Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOCA32112E 0.1157
RFQ
 ECAD 5597 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 AOCA32112 MOSFET (금속 (() 1.1W (TA) 4- 알파드프 (alphadfn) (0.97x0.97) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 20V 4.5A (TA) 48mohm @ 3a, 4.5v 1.3V @ 250µA 11.5NC @ 4.5V - -
FDR8308P Fairchild Semiconductor fdr8308p 0.2900
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSP (0.130 ", 3.30mm 너비) FDR83 MOSFET (금속 (() 800MW SUPERSOT ™ -8 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 3.2A 50mohm @ 3.2a, 4.5v 1.5V @ 250µA 19NC @ 4.5V 1240pf @ 10V 논리 논리 게이트
SQJ844AEP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ844AEP-T1_BE3 1.2100
RFQ
 ECAD 7886 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ844 MOSFET (금속 (() 48W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 742-sqj844aep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 8A (TC) 16.6MOHM @ 7.6A, 10V 2.5V @ 250µA 26NC @ 10V 1161pf @ 15V -
FF11MR12W1M1C11BPSA1 Infineon Technologies FF11MR12W1M1C11BPSA1 -
RFQ
 ECAD 9433 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모 쓸모 FF11MR12 - - 쓸모없는 1 -
BSZ0908NDXTMA1 Infineon Technologies BSZ0908NDXTMA1 -
RFQ
 ECAD 8235 0.00000000 인피온 인피온 Optimos® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn BSZ0908 MOSFET (금속 (() 700MW (TA), 860MW (TA) PG-Wison-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 30V 4.8A (TA), 7.6A (TA) 18mohm @ 9a, 10v, 9mohm @ 9a, 10v 2V @ 250µA 3NC @ 4.5V, 6.4NC @ 4.5V 340pf @ 15v, 730pf @ 15v 논리 논리 게이트, 4.5V 드라이브
IRF40H233ATMA1 Infineon Technologies IRF40H233ATMA1 -
RFQ
 ECAD 2455 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn IRF40 MOSFET (금속 (() 3.8W (TA), 50W (TC) PG-TDSON-8-4 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 40V 65A (TC) 6.2MOHM @ 35A, 10V 3.9V @ 50µA 57NC @ 10V 2200pf @ 20V -
PSMN9R3-60HSX Nexperia USA Inc. PSMN9R3-60HSX 2.0300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 psmn9r3 MOSFET (금속 (() 68W (TA) LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 60V 40A (TA) 9.3mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 34.2NC @ 10V 2348pf @ 25v -
DMTH8030LPDW-13 Diodes Incorporated DMTH8030LPDW-13 0.3559
RFQ
 ECAD 7470 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH8030 MOSFET (금속 (() 3.1W (TA), 41W (TC) PowerDI5060-8 (유형 UXD) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH8030LPDW-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 80V 28.5A (TC) 26mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 10.4NC @ 10V 631pf @ 40v -
DMN5L06DWK-7 Diodes Incorporated DMN5L06DWK-7 -
RFQ
 ECAD 4363 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN5L06 MOSFET (금속 (() 250MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 50V 305MA 2ohm @ 50ma, 5V 1V @ 250µA - 50pf @ 25V 논리 논리 게이트
FDMS3604AS Fairchild Semiconductor FDMS3604AS 1.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS3604 MOSFET (금속 (() 1W 8-pqfn (5x6) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 2 n 채널 (채널) 비대칭 30V 13a, 23a 8mohm @ 13a, 10V 2.7V @ 250µA 29NC @ 10V 1695pf @ 15V 논리 논리 게이트
APTC60AM45T1G Microchip Technology APTC60AM45T1G 67.0800
RFQ
 ECAD 6434 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP1 APTC60 MOSFET (금속 (() 250W SP1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 교량) 600V 49a 45mohm @ 24.5a, 10V 3.9V @ 3MA 150NC @ 10V 7200pf @ 25v -
FDMS3660S onsemi FDMS3660S 2.1200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS3660 MOSFET (금속 (() 1W 56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 비대칭 30V 30A, 60A 8mohm @ 13a, 10V 2.7V @ 250µA 29NC @ 10V 1765pf @ 15V 논리 논리 게이트
FDMS3606AS onsemi FDMS3606AS -
RFQ
 ECAD 2828 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS3606 MOSFET (금속 (() 1W 56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 비대칭 30V 13a, 27a 8mohm @ 13a, 10V 2.7V @ 250µA 29NC @ 10V 1695pf @ 15V 논리 논리 게이트
SH8M13GZETB Rohm Semiconductor SH8M13GZETB 0.4645
RFQ
 ECAD 8959 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) Sh8m13 - 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 6a, 7a 29mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 18NC @ 5V 1200pf @ 10V -
DMP2035UTS-13 Diodes Incorporated DMP2035UTS-13 0.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DMP2035 MOSFET (금속 (() 890MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 p 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 20V 6.04A 35mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 15.4NC @ 4.5V 1610pf @ 10V 논리 논리 게이트
ECH8662-TL-H onsemi ECH8662-TL-H -
RFQ
 ECAD 7191 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 ech8662 MOSFET (금속 (() 1.5W 8- 초 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 6.5A 30mohm @ 3.5a, 4.5v - 12NC @ 4.5V 1130pf @ 20V 논리 논리 게이트
SI5915DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5915DC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6494 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5915 MOSFET (금속 (() 1.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 8V 3.4a 70mohm @ 3.4a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 9NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
GWM160-0055X1-SLSAM IXYS GWM160-0055X1-SLSAM -
RFQ
 ECAD 5475 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 17-SMD,, 리드 GWM160 MOSFET (금속 (() - Isoplus-Dil ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 6 n 채널 (3 채널 교량) 55V 150a 3.3mohm @ 100a, 10V 4.5V @ 1mA 105nc @ 10V - -
CSD87384M Texas Instruments CSD87384M 1.7800
RFQ
 ECAD 239 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 5-LGA CSD87384 MOSFET (금속 (() 8W 5-PTAB (5x3.5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널 교량) 30V 30A 7.7mohm @ 25a, 8v 1.9V @ 250µA 9.2NC @ 4.5V 1150pf @ 15V 논리 논리 게이트
IPG20N04S412ATMA1 Infineon Technologies IPG20N04S412ATMA1 1.4600
RFQ
 ECAD 5077 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn IPG20N MOSFET (금속 (() 41W PG-TDSON-8-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 40V 20A 12.2mohm @ 17a, 10V 4V @ 15µA 18NC @ 10V 1470pf @ 25V -
DMC2041UFDB-7 Diodes Incorporated DMC2041UFDB-7 0.8300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMC2041 MOSFET (금속 (() 1.4W u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 4.7A, 3.2A 4.2A, 4.5V 40mohm 1.4V @ 250µA 15nc @ 8v 713pf @ 10V -
IPG16N10S461AATMA1 Infineon Technologies IPG16N10S461AATMA1 1.1400
RFQ
 ECAD 1146 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn IPG16N10 MOSFET (금속 (() 29W PG-TDSON-8-10 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 100V 16A 61mohm @ 16a, 10V 3.5V @ 9µA 7NC @ 10V 490pf @ 25V -
SP8M9TB Rohm Semiconductor SP8M9TB -
RFQ
 ECAD 3786 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8M9 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 9a, 5a 18mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 1mA 21NC @ 5V 1190pf @ 10V 논리 논리 게이트
AO9926BL_101 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO9926BL_101 -
RFQ
 ECAD 6790 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO9926 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 7.6a 23mohm @ 7.6a, 10V 1.1V @ 250µA 12.5NC @ 10V 630pf @ 15V -
ALD114904APAL Advanced Linear Devices Inc. Ald114904apal 6.8234
RFQ
 ECAD 7241 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD114904 MOSFET (금속 (() 500MW 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1061 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v 12MA, 3MA 500ohm @ 3.6v 380mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V 고갈 고갈
UP04979G0L Panasonic Electronic Components UP04979G0L -
RFQ
 ECAD 7472 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 125 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 UP04979 MOSFET (금속 (() 125MW ssmini6-f2 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 n 및 p 채널 50V, 30V 100ma 12ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 1µa - - 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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