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FET, MOSFET et (6056)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF40H233ATMA1 | - |  | 2455 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Strongirfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | IRF40 | MOSFET (금속 (() | 3.8W (TA), 50W (TC) | PG-TDSON-8-4 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 65A (TC) | 6.2MOHM @ 35A, 10V | 3.9V @ 50µA | 57NC @ 10V | 2200pf @ 20V | - | ||
 | SQJ844AEP-T1_BE3 | 1.2100 | | 7886 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SQJ844 | MOSFET (금속 (() | 48W (TC) | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sqj844aep-t1_be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 8A (TC) | 16.6MOHM @ 7.6A, 10V | 2.5V @ 250µA | 26NC @ 10V | 1161pf @ 15V | - | |||
| FF11MR12W1M1C11BPSA1 | - | | 9433 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모 쓸모 | FF11MR12 | - | - | 쓸모없는 | 1 | - | ||||||||||||||||||
 | BSZ0908NDXTMA1 | - | | 8235 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | BSZ0908 | MOSFET (금속 (() | 700MW (TA), 860MW (TA) | PG-Wison-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 4.8A (TA), 7.6A (TA) | 18mohm @ 9a, 10v, 9mohm @ 9a, 10v | 2V @ 250µA | 3NC @ 4.5V, 6.4NC @ 4.5V | 340pf @ 15v, 730pf @ 15v | 논리 논리 게이트, 4.5V 드라이브 | ||
 | FDS8934A | - | | 4276 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS89 | MOSFET (금속 (() | 900MW | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 4a | 55mohm @ 4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 28NC @ 5V | 1130pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||
 | aptm50tdum65pg | - | | 7413 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모 쓸모 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTM50 | MOSFET (금속 (() | 390W | SP6-P | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n 채널 (3 채널 교량) | 500V | 51A | 78mohm @ 25.5a, 10V | 5V @ 2.5MA | 140NC @ 10V | 7000pf @ 25V | - | |||
 | CAS530M12BM3 | 947.7000 | | 2946 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | CAS530 | 실리콘 실리콘 (sic) | - | - | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 | 1200V (1.2kv) | 630A (TC) | 3.47mohm @ 530a, 15V | 3.6v @ 127ma | 1362NC @ 15V | 38900pf @ 800V | - | ||||
 | SI7946DP-T1-E3 | - | | 1178 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SI7946 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 150V | 2.1a | 150mohm @ 3.3a, 10V | 4V @ 250µA | 20NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | ||
 | SI1967DH-T1-BE3 | 0.4100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1967 | MOSFET (금속 (() | 740MW (TA), 1.25W (TC) | SC-70-6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 742-SI1967DH-T1-BE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 1A (TA), 1.3A (TC) | 490mohm @ 910ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 4NC @ 10V | 110pf @ 10V | - | ||
| APTM60A11ft1g | 66.5200 | | 2985 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP1 | APTM60 | MOSFET (금속 (() | 390W | SP1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 교량) | 600V | 40a | 132MOHM @ 33A, 10V | 5V @ 2.5MA | 330NC @ 10V | 10552pf @ 25v | - | ||
 | DMC3730UVT-13 | 0.0927 | | 8239 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | DMC3730 | MOSFET (금속 (() | 700MW | TSOT-26 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n 보완 p 채널 및 | 25V | 680ma (TA), 460ma (TA) | 450mohm @ 500ma, 4.5v, 1.1ohm @ 500ma, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 1.64nc @ 4.5v, 1.1nc @ 4.5v | 50pf @ 10V, 63pf @ 10V | - | ||
 | SIL6321-TP | - | | 1571 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | SIL6321 | MOSFET (금속 (() | 1W | SOT-23-6L | - | 353-SIL6321-TP | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 및 p 채널 | 30V | 1A | 320mohm @ 1a, 10V | 1.4V @ 250µA, 1.3V @ 250µA | - | 1155pf @ 15v, 1050pf @ 15v | - | ||||
| DF15MR12W1M1B67BOMA1 | - | | 1571 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모 쓸모 | DF15MR12 | - | - | 쓸모없는 | 1 | - | ||||||||||||||||||
| FDS8928A | 1.0000 | | 1457 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS89 | MOSFET (금속 (() | 900MW | 8-SOIC | 다운로드 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | n 및 p 채널 | 30V, 20V | 5.5A, 4A | 30mohm @ 5.5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 28NC @ 4.5V | 900pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||
 | FDMS3616S | 0.8300 | | 65 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모 쓸모 | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS3616 | MOSFET (금속 (() | 1W | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) 비대칭 | 25V | 16a, 18a | 6.6mohm @ 16a, 10V | 2.5V @ 250µA | 27NC @ 10V | 1765pf @ 13v | 논리 논리 게이트 | |||||
| SQJB44EP-T1_GE3 | 1.5800 | | 5490 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SQJB44 | MOSFET (금속 (() | 48W (TC) | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sqjb44ep-t1_ge3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 30A (TC) | 5.2mohm @ 8a, 10V | 2.2V @ 250µA | 50NC @ 10V | 3075pf @ 25V | - | |||
 | AOCA32112E | 0.1157 | | 5597 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | AOCA32112 | MOSFET (금속 (() | 1.1W (TA) | 4- 알파드프 (alphadfn) (0.97x0.97) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 20V | 4.5A (TA) | 48mohm @ 3a, 4.5v | 1.3V @ 250µA | 11.5NC @ 4.5V | - | - | ||
 | FDC6432SH | 0.4400 | | 45 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench®, SyncFet ™ | 대부분 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | FDC6432 | MOSFET (금속 (() | 700MW | SUPERSOT ™ -6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 30V, 12V | 2.4A, 2.5A | 90mohm @ 2.4a, 10V | 3V @ 1mA | 3.5NC @ 5V | 270pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||
 | Sh32n65dm6ag | 21.2800 | | 61 | 0.00000000 | stmicroelectronics | ECOPACK® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 9-powersmd | SH32N65 | MOSFET (금속 (() | 208W (TC) | 9-Acepack Smit | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 200 | 2 n 채널 (채널 교량) | 650V | 32A (TC) | 97mohm @ 23a, 10V | 4.75V @ 250µA | 47NC @ 10V | 2211pf @ 100v | - | ||
| MTI85W100GC-SMD | 29.1277 | | 4814 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 17-SMD,, 날개 | MTI85W100 | MOSFET (금속 (() | - | Isoplus-Dil ™ | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-MTI85W100GC-SMD | 귀 99 | 8541.29.0095 | 13 | 6 n 채널 (3 채널 교량) | 100V | 120A (TC) | 4mohm @ 80a, 10V | 3.5V @ 150µA | 88NC @ 10V | - | - | ||
| FDS4935 | 1.0000 | | 6688 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS49 | MOSFET (금속 (() | 2W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 7a | 23mohm @ 7a, 10V | 3V @ 250µA | 21NC @ 5V | 1233pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||
 | PSMN9R3-60HSX | 2.0300 | | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1205, 8-LFPAK56 | psmn9r3 | MOSFET (금속 (() | 68W (TA) | LFPAK56D | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 40A (TA) | 9.3mohm @ 10a, 10V | 4V @ 1MA | 34.2NC @ 10V | 2348pf @ 25v | - | ||
| SI1905DL-T1-E3 | - | | 7024 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1905 | MOSFET (금속 (() | 270MW | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 8V | 570ma | 600mohm @ 570ma, 4.5V | 450MV @ 250µA (최소) | 2.3NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||
| APTM20AM10FTG | 147.6100 | | 5362 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | APTM20 | MOSFET (금속 (() | 694W | SP4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 교량) | 200V | 175a | 12MOHM @ 87.5A, 10V | 5V @ 5MA | 224NC @ 10V | 13700pf @ 25v | - | ||
 | CCB021M12FM3T | 241.9900 | | 5 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | CCB021 | 실리콘 실리콘 (sic) | 10MW | 기준 기준 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1697-CCB021M12FM3T | 18 | 6 n 채널 (3 채널 교량) | 1200V | 51A (TJ) | 27.9mohm @ 30a, 15V | 3.6v @ 17.7ma | 162NC @ 15V | 4900pf @ 800V | 실리콘 실리콘 (sic) | |||||
| FDS6898AZ | 1.2600 | | 6214 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS6898 | MOSFET (금속 (() | 900MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 9.4A | 14mohm @ 9.4a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 23NC @ 4.5V | 1821pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||
 | BSO215C | - | | 4370 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | BSO215 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 및 p 채널 | 20V | 3.7a | 100mohm @ 3.7a, 10V | 2V @ 10µA | 11.5NC @ 10V | 246pf @ 25v | 논리 논리 게이트 | ||
 | FDMS3602AS | - | | 2993 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS3602 | MOSFET (금속 (() | 2.2W, 2.5W | 56 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) 비대칭 | 25V | 15a, 26a | 5.6mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 27NC @ 10V | 1770pf @ 13v | 논리 논리 게이트 | ||
 | DMP57D5UV-7 | - | | 3576 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | dmp57d5uv | MOSFET (금속 (() | 400MW | SOT-563 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 50V | 160ma | 6ohm @ 100ma, 4v | 1V @ 250µA | - | 29pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | ||
 | MSCSM170AM11CT3AG | 536.8700 | | 8 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM170 | 실리콘 실리콘 (sic) | 1.14kW (TC) | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM170AM11CT3AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 다리) | 1700V (1.7kv) | 240A (TC) | 11.3MOHM @ 120A, 20V | 3.2v @ 10ma | 712NC @ 20V | 13200pf @ 1000V | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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