SIC
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FET, MOSFET et (6056)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능
DMP2900UDW-7 Diodes Incorporated DMP2900UDW-7 0.3500
RFQ
 ECAD 3120 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMP2900 MOSFET (금속 (() 370MW (TA) SOT-363 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 630MA (TA) 750mohm @ 430ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.7NC @ 4.5V 49pf @ 16v -
PJT7802_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7802_R1_00001 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PJT7802 MOSFET (금속 (() 350MW (TA) SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJT7802_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 500MA (TA) 400mohm @ 500ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.9NC @ 4.5V 39pf @ 10V -
FF6MR12KM1HPHPSA1 Infineon Technologies FF6MR12KM1HPHPSA1 412.5275
RFQ
 ECAD 8940 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 FF6MR12 - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 8 -
AO4892 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4892 0.2741
RFQ
 ECAD 1485 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO489 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 100V 4a 68mohm @ 4a, 10V 2.8V @ 250µA 12NC @ 10V 415pf @ 50V -
DMN2029USD-13 Diodes Incorporated DMN2029USD-13 0.4000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMN2029 MOSFET (금속 (() 1.2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 5.8A 25mohm @ 6.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 18.6NC @ 8V 1171pf @ 10V 논리 논리 게이트
SP8M5FU6TB Rohm Semiconductor SP8M5FU6TB -
RFQ
 ECAD 6751 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8M5 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 6a, 7a 28mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 1mA 10.1nc @ 5v 520pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI6928DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6928DQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6592 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6928 MOSFET (금속 (() 1W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 4a 35mohm @ 4a, 10V 1V @ 250µA 14NC @ 5V - 논리 논리 게이트
NVMFD5852NLT1G onsemi NVMFD5852NLT1G -
RFQ
 ECAD 9030 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NVMFD5852 MOSFET (금속 (() 3.2W 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 40V 15a 6.9mohm @ 20a, 10V 2.4V @ 250µA 36NC @ 10V 1800pf @ 25V 논리 논리 게이트
SI7922DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7922DN-T1-E3 1.7700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7922 MOSFET (금속 (() 1.3W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 100V 1.8a 195mohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250µA 8NC @ 10V - 논리 논리 게이트
EFC6604R-TR onsemi EFC6604R-TR -
RFQ
 ECAD 8346 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-XFBGA EFC6604 MOSFET (금속 (() 1.6W 6-EFCP (1.9x1.46) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) - - - - 29NC @ 4.5V - 로직 로직 게이트, 2.5V 드라이브
AON2812 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON2812 0.1542
RFQ
 ECAD 4417 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 알파모 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 AON281 MOSFET (금속 (() 2.5W 6-DFN (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 4.5A 37mohm @ 2a, 10V 1.4V @ 250µA 10nc @ 10v 235pf @ 15V 논리 논리 게이트
DMT3020LFDBQ-7 Diodes Incorporated DMT3020LFDBQ-7 0.5500
RFQ
 ECAD 5461 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMT3020 - 700MW u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 7.7A (TA) 20mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 250µA 7NC @ 10V 393pf @ 15V -
DMG6968UDM-7 Diodes Incorporated DMG6968UDM-7 0.4600
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 DMG6968 MOSFET (금속 (() 850MW SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 20V 6.5A 24mohm @ 6.5a, 4.5v 900MV @ 250µA 8.8nc @ 4.5v 143pf @ 10V 논리 논리 게이트
AON6934A Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6934A -
RFQ
 ECAD 8906 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn AON693 MOSFET (금속 (() 3.6W, 4.3W 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 22A, 30A 5.2MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 22NC @ 10V 1037pf @ 15V 논리 논리 게이트
SFT1427-TL-E Sanyo SFT1427-TL-E 0.5600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Sanyo * 대부분 활동적인 SFT1427 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 -
NTMS4503NR2G-001 onsemi NTMS4503NR2G-001 1.0800
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 NTMS4503 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 2,500 -
CSD75204W15 Texas Instruments CSD75204W15 -
RFQ
 ECAD 1422 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 9-UFBGA, DSBGA CSD75204 MOSFET (금속 (() 700MW 9-DSBGA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) - 3A - 900MV @ 250µA 3.9nc @ 4.5v 410pf @ 10V 논리 논리 게이트
MCH6606-TL-EX onsemi MCH6606-TL-EX -
RFQ
 ECAD 6752 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모 쓸모 - - - MCH6606 - - - - 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
FDC6327C onsemi FDC6327C 0.5700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 FDC6327 MOSFET (금속 (() 700MW SUPERSOT ™ -6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 2.7a, 1.9a 80mohm @ 2.7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 4.5NC @ 4.5V 325pf @ 10V 논리 논리 게이트
NVMFD5C446NT1G onsemi nvmfd5c446nt1g 4.2700
RFQ
 ECAD 7041 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NVMFD5 MOSFET (금속 (() 3.2W (TA), 89W (TC) 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 40V 24A (TA), 127A (TC) 2.9mohm @ 30a, 10V 3.5V @ 250µA 38NC @ 10V 2450pf @ 25V -
TSM085NB03DCR Taiwan Semiconductor Corporation TSM085NB03DCR 0.9944
RFQ
 ECAD 8310 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn TSM085 MOSFET (금속 (() 2W (TA), 40W (TC) 8-PDFNU (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM085NB03DCRTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 30V 12A (TA), 51A (TC) 8.5mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 20NC @ 10V 1091pf @ 15V 논리 논리 게이트
APTMC120HM17CT3AG Microchip Technology APTMC120HM17CT3AG -
RFQ
 ECAD 7646 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 APTMC120 실리콘 실리콘 (sic) 750W SP3 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 4 n 채널 1200V (1.2kv) 147A (TC) 17mohm @ 100a, 20V 4V @ 30MA 332NC @ 5V 5576pf @ 1000V -
2SJ653-CB11 Sanyo 2SJ653-CB11 1.7400
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Sanyo * 대부분 활동적인 2SJ65 - 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 -
CCB016M12GM3T Wolfspeed, Inc. CCB016M12GM3T 329.7700
RFQ
 ECAD 7808 0.00000000 Wolfspeed, Inc. - 상자 활동적인 CCB016 - 적용 적용 수 할 1697-CCB016M12GM3T 18
AON4803 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON4803 -
RFQ
 ECAD 9666 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 AON480 MOSFET (금속 (() 1.7W 8-DFN (3x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 3.4a 90mohm @ 3.4a, 4.5v 1V @ 250µA 8NC @ 4.5V 745pf @ 10V 논리 논리 게이트
DMHC4035LSD-13 Diodes Incorporated DMHC4035LSD-13 0.8700
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMHC4035 MOSFET (금속 (() 1.5W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 및 2 p 및 (하프 브리지) 40V 4.5A, 3.7A 45mohm @ 3.9a, 10V 3V @ 250µA 12.5NC @ 10V 574pf @ 20V 논리 논리 게이트
SI7913DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7913DN-T1-GE3 1.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7913 MOSFET (금속 (() 1.3W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 5a 37mohm @ 7.4a, 4.5v 1V @ 250µA 24NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRF7307PBF Infineon Technologies IRF7307pbf -
RFQ
 ECAD 6850 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF73 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001559776 귀 99 8541.29.0095 95 n 및 p 채널 20V 5.2A, 4.3A 50mohm @ 2.6a, 4.5v 700MV @ 250µA 20NC @ 4.5V 660pf @ 15V 논리 논리 게이트
APTC60DHM24T3G Microchip Technology APTC60DHM24T3G 126.2000
RFQ
 ECAD 3973 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Coolmos ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP3 APTC60 MOSFET (금속 (() 462W SP3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 비대칭 600V 95A 24mohm @ 47.5a, 10V 3.9V @ 5MA 300NC @ 10V 14400pf @ 25v 슈퍼 슈퍼
SIA913ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA913ADJ-T1-GE3 0.6200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA913 MOSFET (금속 (() 6.5W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 4.5A 61mohm @ 3.6a, 4.5v 1V @ 250µA 20nc @ 8v 590pf @ 6v 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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